NMOS logic
http://dbpedia.org/resource/NMOS_logic an entity of type: Thing
يُستخدم منطق أكسيد شبه موصل من النوع السالب لتنفيذ البوابات المنطقية والدوائر الرقمية الأخرى. تعمل ترانزستورات منطق أكسيد شبه موصل من النوع السالب هذه عن طريق إنشاء طبقة عكسية في جسم ترانزستور من النوع p. يمكن لطبقة الانعكاس هذه، التي تسمى القناة n، توصيل الإلكترونات بين محطات «المصدر» و«التصريف» من النوع n. يتم إنشاء القناة n من خلال تطبيق الجهد على الطرف الثالث، الذي يسمى البوابة. مثل وحدات ترانزستور الأثر الحقلي للأكاسيد المعدنية لأشباه الموصلات الأخرى، تحتوي ترانزستورات منطق أكسيد شبه موصل من النوع السالب على أربعة أوضاع للتشغيل: القطع (أو العتبة الفرعية)، والثالث، والتشبع (يسمى أحيانًا النشط)، وتشبع السرعة.
rdf:langString
El NMOS (Negative-channel Metal-Oxide Semiconductor) es un tipo de semiconductor que se carga negativamente de modo que los transistores se enciendan o apaguen con el movimiento de los electrones. En contraste, los PMOS (Positive-channel MOS) funcionan moviendo las valencias de electrones. El NMOS es más veloz que el PMOS, pero también es más costosa su fabricación.Actualmente es el tipo de tecnología que más se usa en la fabricación de circuitos integrados.
* Datos: Q83908
* Multimedia: MOS / Q83908
rdf:langString
Un circuit logique MOS de type N utilise des MOSFETs (transistors à effet de champ à structure métal-oxyde-semiconducteur ou MOS) de type n pour fabriquer des portes logiques et autres circuits numériques. Ces transistors nMOS fonctionnent en créant une couche d'inversion dans un transistor à substrat de type p. Cette couche d'inversion, appelée canal n, peut conduire les électrons entre les électrodes "source" et "drain" de type n. Le canal n est créé en appliquant une tension sur la troisième électrode, appelée la grille. Comme les autres MOSFETs, les nMOS ont quatre modes de fonctionnement : bloqué (sous le seuil), linéaire (ou triode), saturation (appelé parfois actif) et saturation en vitesse.
rdf:langString
La lògica nMOS (nFET Metall Oxide Silicon) usa transistors d'efecte de camp (FET) de metal-òxid-semiconductor (MOS) tipus N per implementar portes lògiques i altres circuits digitals. Transistores nMOS posseeixen tres modes d'operació: cort, tríode i saturació (també denominat actiu).
rdf:langString
NMOS logika (anglicky N-type metal-oxide-semiconductor) je technologie výroby logických integrovaných obvodů, které pro realizaci logických členů používají unipolární tranzistory s indukovaným kanálem (v obohaceném režimu) typu N.
rdf:langString
Die NMOS-Logik (von englisch N-type metal-oxide-semiconductor) ist eine Halbleitertechnik, welche bei digitalen, integrierten Schaltungen Anwendung findet und zur Realisierung von Logikschaltungen dient. Als Besonderheit werden dabei ausschließlich so genannte n-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (n-Kanal-MOSFET) verwendet.
rdf:langString
N-type metal-oxide-semiconductor logic uses n-type (-) MOSFETs (metal-oxide-semiconductor field-effect transistors) to implement logic gates and other digital circuits. These nMOS transistors operate by creating an inversion layer in a p-type transistor body. This inversion layer, called the n-channel, can conduct electrons between n-type "source" and "drain" terminals. The n-channel is created by applying voltage to the third terminal, called the gate. Like other MOSFETs, nMOS transistors have four modes of operation: cut-off (or subthreshold), triode, saturation (sometimes called active), and velocity saturation.
rdf:langString
Logika nMOS adalah gerbang logika yang menggunakan transistor efek medan semikonduktor oksida logam (MOSFET) untuk membentuk fungsi gerbang logika dan sirkuit digital lainnya.MOSFET tipe-n disusun dalam bentuk "jaringan pull-down" (PDN) di antara keluaran gerbang logika dan tegangan catu negatif, dimana sebuah resistor diletakkan di antara keluaran gerbang logika dan tegangan catu postif. Sirkuit didesain sedemikian rupa sehingga jika keluaran adalah rendah (logika 0), sirkuit PDN akan aktif, membuat jalan arus antara catu negatif dengan keluaran.
rdf:langString
N형 금속산화물 반도체 논리는 논리 회로와 다른 디지털 회로를 실행하기 위해 n형 MOSFET을 이용한다. NMOS트랜지스터는 차단상태, 선형상태, 포화상태, 속도 포화 상태의 4가지 동작 상태가 있다. N형 MOSFET은 PDN이라고 불리는 배열로 배치되는데, PDN은 논리 게이트 출력과 음 전압원 사이에 N형 MOSFET이 놓이고, 논리게이트 출력과 양 전압원 사이에 저항이 놓이는 배열이다. 회로는 만약 출력값이 낮으면 PDN이 활성화되어 음 전압원과 출력사이에 전류가 흐르도록 하기 위해 설계되었다. 예를 들어, NMOS 논리에 NOR게이트가 있다고 치자. 만약 입력A나 입력B가 높으면(논리1=참), 각각의 MOS트랜지스터는 출력과 음전압원 사이에서 매우 약한 저항으로 작용함으로써 출력갑을 낮게 한다(논리0=거짓). 만약 A와 B가 모두 높으면, 두 개의 트랜지스터는 도체가 되고, 훨씬 더 낮은 저항경로를 만든다. 출력값이 높게 나올 때는 두 개의 트랜지스터가 모두 OFF상태일 때뿐인데, 이때는 입력A와 입력B가 모두 낮아서 NOR게이트의 참값조건을 만족시킬 때이다.
rdf:langString
La logica NMOS utilizza transistori a effetto di campo metallo-ossido-semiconduttore (MOSFET) con drogaggio di tipo N per implementare circuiti logici e altri circuiti digitali. I transistori NMOS hanno tre modi di operare: in zona di interdizione, in zona di triodo e in zona di saturazione. Tabella della verità di una porta NOR: Inoltre, gli ingressi logici asimmetrici rendono i circuiti NMOS suscettibili al rumore.
rdf:langString
A lógica nMOS (nFET Metal Oxide Silicon) usa transistores de efeito de campo de metal óxido-semicondutor MOSFET tipo-n para implementar portas lógicas e outros circuitos digitais. Transistores nMOS têm três modos de operação: corte, tríodo e saturação (também denominado ativo).
rdf:langString
МОП (металл-оксид-полупроводник) — один из видов полевого транзистора, в котором управляющий электрод (затвор) отделён от канала слоем диэлектрика, в простейшем случае, диоксида кремния. Транзисторы МОП-структуры лучше других активных полупроводниковых приборов подходили для создания логических БИС и СБИС, и ранний прогресс цифровой техники обусловлен микросхемами на транзисторах с МОП-структурой. В отличие от биполярного транзистора, выходной ток которого управляется входным током, МОП-транзистор, как и другие полевые транзисторы, управляется напряжением, этим он напоминает электровакуумный триод. В зависимости от типа носителей зарядов, МОП-транзисторы могут быть n-канальными или p-канальными, в первых используются электроны, во вторых — дырки.
rdf:langString
N-МОН (метал-оксид-напівпровідник) логіка — технологія побудови логічних електронних схем, яка використовує МОН польові транзистори N-типу. Існує два типи провідності каналу: n-канальні і p-канальні. Тип провідності визначається типом носія заряду в каналі: електрон або «дірка». Якщо транзистор n-канальний (тип носія електрон):
* він відкривається позитивною напругою на затворі по відношенню до витоку.
* паразитний діод в структурі каналу катодом приєднаний до стоку, анодом — до витоку.
* канал звичайно під'єднують так, що на стоці більш позитивна напруга, ніж на витоку.
rdf:langString
rdf:langString
منطق أكسيد شبه موصل من النوع السالب
rdf:langString
Lògica nMOS
rdf:langString
NMOS
rdf:langString
NMOS-Logik
rdf:langString
NMOS
rdf:langString
Logika nMOS
rdf:langString
NMOS
rdf:langString
Logica NMOS
rdf:langString
NMOS 논리
rdf:langString
NMOS logic
rdf:langString
Lógica NMOS
rdf:langString
N-МОП
rdf:langString
N-МОН
xsd:integer
49416
xsd:integer
1107545196
rdf:langString
La lògica nMOS (nFET Metall Oxide Silicon) usa transistors d'efecte de camp (FET) de metal-òxid-semiconductor (MOS) tipus N per implementar portes lògiques i altres circuits digitals. Transistores nMOS posseeixen tres modes d'operació: cort, tríode i saturació (també denominat actiu). Els MOSFETs de tipus N són disposats en una xarxa "pull-down" (PDN) entre la sortida de la porta lògica i la voltatge d'alimentació negativa, mentre una resistència és col·locada entre la sortida de la porta lògica i la voltatge d'alimentació positiva. El circuit és dissenyat de tal forma que la hi sortida desitjada sigui baixa, llavors el PDN serà actiu, creant un corrent entre l'alimentació negativa i la sortida.
rdf:langString
NMOS logika (anglicky N-type metal-oxide-semiconductor) je technologie výroby logických integrovaných obvodů, které pro realizaci logických členů používají unipolární tranzistory s indukovaným kanálem (v obohaceném režimu) typu N. Okolo roku 1975 získala NMOS logika dominantní postavení při výrobě složitých digitálních logických obvodů, především mikroprocesorů, které si (ve vylepšené verzi HMOS) udržela až do konce 80. let 20. století, kdy byla nahrazena logikou CMOS, která je sice výrobně složitější, ale umožňuje vytváření obvodů s vyšší integrací, nižší spotřebou a díky pokroku výroby a zmenšování rozměrů i větší rychlostí. V současnosti se již obvody NMOS téměř nepoužívají (s výjimkou specializovaných aplikací).
rdf:langString
يُستخدم منطق أكسيد شبه موصل من النوع السالب لتنفيذ البوابات المنطقية والدوائر الرقمية الأخرى. تعمل ترانزستورات منطق أكسيد شبه موصل من النوع السالب هذه عن طريق إنشاء طبقة عكسية في جسم ترانزستور من النوع p. يمكن لطبقة الانعكاس هذه، التي تسمى القناة n، توصيل الإلكترونات بين محطات «المصدر» و«التصريف» من النوع n. يتم إنشاء القناة n من خلال تطبيق الجهد على الطرف الثالث، الذي يسمى البوابة. مثل وحدات ترانزستور الأثر الحقلي للأكاسيد المعدنية لأشباه الموصلات الأخرى، تحتوي ترانزستورات منطق أكسيد شبه موصل من النوع السالب على أربعة أوضاع للتشغيل: القطع (أو العتبة الفرعية)، والثالث، والتشبع (يسمى أحيانًا النشط)، وتشبع السرعة.
rdf:langString
Die NMOS-Logik (von englisch N-type metal-oxide-semiconductor) ist eine Halbleitertechnik, welche bei digitalen, integrierten Schaltungen Anwendung findet und zur Realisierung von Logikschaltungen dient. Als Besonderheit werden dabei ausschließlich so genannte n-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (n-Kanal-MOSFET) verwendet. Die NMOS-Logik wurde in den 1970er bis Ende der 1980er Jahre zur Realisierung von digitalen Logikschaltungen, wie sie beispielsweise in Mikroprozessoren vorkommen, verwendet. Sie findet heute, bis auf Nischenanwendungen, keine Anwendung mehr. Sie wurde fast vollständig durch die CMOS-Logik (geringere Verlustleistung) ersetzt.
rdf:langString
El NMOS (Negative-channel Metal-Oxide Semiconductor) es un tipo de semiconductor que se carga negativamente de modo que los transistores se enciendan o apaguen con el movimiento de los electrones. En contraste, los PMOS (Positive-channel MOS) funcionan moviendo las valencias de electrones. El NMOS es más veloz que el PMOS, pero también es más costosa su fabricación.Actualmente es el tipo de tecnología que más se usa en la fabricación de circuitos integrados.
* Datos: Q83908
* Multimedia: MOS / Q83908
rdf:langString
Un circuit logique MOS de type N utilise des MOSFETs (transistors à effet de champ à structure métal-oxyde-semiconducteur ou MOS) de type n pour fabriquer des portes logiques et autres circuits numériques. Ces transistors nMOS fonctionnent en créant une couche d'inversion dans un transistor à substrat de type p. Cette couche d'inversion, appelée canal n, peut conduire les électrons entre les électrodes "source" et "drain" de type n. Le canal n est créé en appliquant une tension sur la troisième électrode, appelée la grille. Comme les autres MOSFETs, les nMOS ont quatre modes de fonctionnement : bloqué (sous le seuil), linéaire (ou triode), saturation (appelé parfois actif) et saturation en vitesse.
rdf:langString
N-type metal-oxide-semiconductor logic uses n-type (-) MOSFETs (metal-oxide-semiconductor field-effect transistors) to implement logic gates and other digital circuits. These nMOS transistors operate by creating an inversion layer in a p-type transistor body. This inversion layer, called the n-channel, can conduct electrons between n-type "source" and "drain" terminals. The n-channel is created by applying voltage to the third terminal, called the gate. Like other MOSFETs, nMOS transistors have four modes of operation: cut-off (or subthreshold), triode, saturation (sometimes called active), and velocity saturation. For many years, NMOS circuits were much faster than comparable PMOS and CMOS circuits, which had to use much slower p-channel transistors. It was also easier to manufacture NMOS than CMOS, as the latter has to implement p-channel transistors in special n-wells on the p-substrate. The major drawback with NMOS (and most other logic families) is that a DC current must flow through a logic gate even when the output is in a steady state (low in the case of NMOS). This means static power dissipation, i.e. power drain even when the circuit is not switching. Additionally, just like in diode–transistor logic, transistor–transistor logic, emitter-coupled logic etc., the asymmetric input logic levels make NMOS and PMOS circuits more susceptible to noise than CMOS. These disadvantages are why CMOS logic has supplanted most of these types in most high-speed digital circuits such as microprocessors despite the fact that CMOS was originally very slow compared to logic gates built with bipolar transistors.
rdf:langString
Logika nMOS adalah gerbang logika yang menggunakan transistor efek medan semikonduktor oksida logam (MOSFET) untuk membentuk fungsi gerbang logika dan sirkuit digital lainnya.MOSFET tipe-n disusun dalam bentuk "jaringan pull-down" (PDN) di antara keluaran gerbang logika dan tegangan catu negatif, dimana sebuah resistor diletakkan di antara keluaran gerbang logika dan tegangan catu postif. Sirkuit didesain sedemikian rupa sehingga jika keluaran adalah rendah (logika 0), sirkuit PDN akan aktif, membuat jalan arus antara catu negatif dengan keluaran. Sebagai contoh adalah gerbang NOR logika nMOS. Jika masukan A atau masukan B tinggi (logika 1), transistor MOS yang bersangkutan berperan sebagai resistansi rendah di antara keluaran dan catu negatif, menyebabkan keluaran menjadi rendah (logika 0). Ketika kedua masukan A dan B tinggi, semua transistor menghantar, membuat keluaran semakin rendah. Keluaran logika menjadi tinggi hanya jika kedua transistor mati, yang terjadi saat semua masukan rendah, sehingga memenuhi tabel kebenaran gerbang NOR. Walaupun gerbang logika nMOS mudah didesain dan dibuat (sebuah MOSFET dapat dioperasikan sebagai resistor, jadi sirkuit dapat dibuat hanya dari nMOSFETs), ini mempunyai beberapa kekurangan. Problem terburuk adalah arus yang mengalir dalam gerbang logika nMOS ketika keluaran rendah, yaitu ketika jaringan PDN is active. Ini menyebabkan borosan daya statis bahkan saat sirkuit dalam keadaan siaga.Selain itu sirkuit nMOS mempunyai transisi rendah-ke-tinggi yang lambat. Ketika keluaran berubah dari tinggi ke rendah, transistor memberikan resistansi rendah, dan muatan kapasitif pada keluaran dapat dibuang dengan berat. Tetapi saat berubah dari rendah ke tinggi, resistansi di antara keluaran dan catu positif lebih besar, jadi kapasitas liar pada keluaran diisi lebih lama. Menggunakan resistor dengan harga lebih rendah akan mempercepat transisi, tetapi juga menambah borosan daya.Selain itu, level masukan logika yang taksimetris membuat sirkuit nMOS lebih rentan terhadap desah.Kerugian tersebut merupakan alasan mengapa logika nMOS digantikan oleh logika CMOS baik pada sirkuit daya-rendah maupun sirkuit kecepatan-tinggi, seperti pada mikroprosesor.
rdf:langString
N형 금속산화물 반도체 논리는 논리 회로와 다른 디지털 회로를 실행하기 위해 n형 MOSFET을 이용한다. NMOS트랜지스터는 차단상태, 선형상태, 포화상태, 속도 포화 상태의 4가지 동작 상태가 있다. N형 MOSFET은 PDN이라고 불리는 배열로 배치되는데, PDN은 논리 게이트 출력과 음 전압원 사이에 N형 MOSFET이 놓이고, 논리게이트 출력과 양 전압원 사이에 저항이 놓이는 배열이다. 회로는 만약 출력값이 낮으면 PDN이 활성화되어 음 전압원과 출력사이에 전류가 흐르도록 하기 위해 설계되었다. 예를 들어, NMOS 논리에 NOR게이트가 있다고 치자. 만약 입력A나 입력B가 높으면(논리1=참), 각각의 MOS트랜지스터는 출력과 음전압원 사이에서 매우 약한 저항으로 작용함으로써 출력갑을 낮게 한다(논리0=거짓). 만약 A와 B가 모두 높으면, 두 개의 트랜지스터는 도체가 되고, 훨씬 더 낮은 저항경로를 만든다. 출력값이 높게 나올 때는 두 개의 트랜지스터가 모두 OFF상태일 때뿐인데, 이때는 입력A와 입력B가 모두 낮아서 NOR게이트의 참값조건을 만족시킬 때이다. MOSFET은 저항으로 작동할 수 있기 때문에, 전체 회로를 N형 MOSFET만으로 구성할 수 도 있다. 따라서 수년간, NMOS 회로는 훨씬 더 느린 P형 트랜지스터를 써야하는 PMOS나 CMOS회로보다 훨씬 더 빨랐다. 또한 CMOS는 P기판 위에 N-웰을 얹어 P형 트랜지스터를 작동시켜야하기 때문에, NMOS를 제조하기가 훨씬 더 쉬웠다. NMOS의 주요한 문제는 출력이 NMOS의 경우엔 낮음값인 정상상태에서도 직류전류가 흘러야한다는 점이었다. 이것은 정적 전력 소실을 의미하는 것으로, 즉 회로가 작동하고 있지 않을 때도, 전력이 손실된다. 이것은 상당한 정적 전류 손실이 일어난다는 점에서 현대의 고속력, 고밀도의 CMOS회로에서 일어나는 현상과 비슷하지만, CMOS회로에서 일어나는 것은 누설 때문으로, 바이어스 때문은 아니다. 하지만, ASIC나 SRAM 등에 사용되는, 오래되거나 속도가 느린 정적 CMOS 회로는 대부분 매우 낮은 정적 전력 소모를 가진다. 또한, NMOS회로는 낮음에서 높음값으로 전환되는 것이 느리다. 높음에서 낮음으로 전환할 때, 트랜지스터는 낮은 저항값을 가지고, 출력에 있는 용량성 전하는 빠르게 빠져나간다(축전기를 매우 낮은 저항값을 갖는 저항기로 방전시키는 것과 비슷한 원리이다). 하지만 출력과 양 전원 레일사이의 저항은 훨씬 더 크기 때문에 낮음에서 높음 값으로 전환하는 것은 시간이 더 오래 걸린다(높은 저항값을 갖는 저항기로 축전기를 충전하는 것과 비슷한 원리이다). 낮은 저항값을 갖는 저항을 사용하는 것은 과정을 더 빠르게 해주겠지만 정적 전력손실을 증가시킬 것이다. 하지만 게이트를 빠르게 만드는 가장 흔하면서 더 나은 방법은 로드로 증가형 트랜지스터 대신 공핍형 트랜지스터를 쓰는 것이다. 사실 DTL, TTL, ECL같은 비대칭 입력 논리 레벨은 NMOS 회로를 소음에 약간 민감하게 만든다. 이런 단점은 왜 마이크로프로세서 같은 대부분의 고속의 디지털회로에 CMOS논리가 대신하게 되었는지 말해준다.
rdf:langString
La logica NMOS utilizza transistori a effetto di campo metallo-ossido-semiconduttore (MOSFET) con drogaggio di tipo N per implementare circuiti logici e altri circuiti digitali. I transistori NMOS hanno tre modi di operare: in zona di interdizione, in zona di triodo e in zona di saturazione. Gli nMOS sono disposti nella cosiddetta "rete di pull-down" (PDN) tra l'uscita del circuito logico e la tensione di ingresso negativa, mentre un resistore è posizionato tra l'uscita e la tensione di ingresso positiva. Il circuito è disegnato in modo che l'uscita desiderata sia bassa, e quindi la rete PDN sia attiva, creando in tal modo una corrente tra l'ingresso e l'uscita. Consideriamo come esempio una porta logica NOR. Se l'ingresso A è alto oppure l'ingresso B è alto (livello logico 1), il rispettivo transistore MOS agisce come resistore avente resistenza bassa tra ingresso e uscita, spingendo l'uscita ad essere bassa (livello logico 0). Quando sia A che B sono alti, entrambi i transistori conducono e creano un percorso a resistenza ancora minore. L'unico caso in cui l'uscita è alta è quando entrambi i transistori sono interdetti, il che accade quando sia A che B sono bassi. Tabella della verità di una porta NOR: Anche se la logica NMOS è semplice da progettare e costruire (un MOSFET può operare da resistore, così l'intero circuito può essere costituito da MOSFET), presenta alcuni problemi. Quello peggiore è che quando la parte pull-down del circuito è attiva, nel circuito scorre una corrente continua, che porta a una dissipazione di potenza. Inoltre, i circuiti NMOS sono lenti nella commutazione da basso a alto; quando avviene la transizione da alto a basso, i transistori offrono bassa resistenza e il carico capacitivo all'uscita si dissipa molto velocemente. La resistenza tra l'uscita e l'ingresso di tensione positiva, invece, è molto maggiore, il che causa un maggiore intervallo di tempo per la commutazione basso-alto. Per aggirare il problema si può utilizzare un resistore con minore resistenza, ma si genererebbe una maggiore dissipazione di potenza in cambio della maggior velocità. Inoltre, gli ingressi logici asimmetrici rendono i circuiti NMOS suscettibili al rumore. Questi svantaggi sono il motivo per cui la logica NMOS è stata soppiantata dalla logica CMOS sia nei circuiti digitali a bassa potenza che in quelli ad alta velocità, come i microprocessori durante gli anni ottanta.
rdf:langString
A lógica nMOS (nFET Metal Oxide Silicon) usa transistores de efeito de campo de metal óxido-semicondutor MOSFET tipo-n para implementar portas lógicas e outros circuitos digitais. Transistores nMOS têm três modos de operação: corte, tríodo e saturação (também denominado ativo). Os MOSFETs tipo-n são arrumados numa rede "pull-down" (PDN) entre a saída da porta lógica e a voltagem de alimentação negativa, enquanto um resistor é colocado entre a saída da porta lógica e a voltagem de alimentação positiva. O circuito é desenhado de tal forma que se a saída desejada for baixa, então o PDN será ativo, criando uma corrente entre a alimentação negativa e a saída.
rdf:langString
МОП (металл-оксид-полупроводник) — один из видов полевого транзистора, в котором управляющий электрод (затвор) отделён от канала слоем диэлектрика, в простейшем случае, диоксида кремния. Транзисторы МОП-структуры лучше других активных полупроводниковых приборов подходили для создания логических БИС и СБИС, и ранний прогресс цифровой техники обусловлен микросхемами на транзисторах с МОП-структурой. В отличие от биполярного транзистора, выходной ток которого управляется входным током, МОП-транзистор, как и другие полевые транзисторы, управляется напряжением, этим он напоминает электровакуумный триод. В зависимости от типа носителей зарядов, МОП-транзисторы могут быть n-канальными или p-канальными, в первых используются электроны, во вторых — дырки. Логический МОП-элемент представляет собой несколько транзисторов, соединённых либо последовательно (для получения функции «И-НЕ»), либо параллельно (для получения функции «ИЛИ-НЕ»). Такой же транзистор, только постоянно включённый, служит нагрузочным резистором логического элемента. Увеличение сопротивления открытого канала этого транзистора уменьшает потребляемую мощность, но одновременно и скорость действия логического элемента. Управлять этим параметром можно, изменяя геометрические размеры, например, ширину канала. МОП-транзисторы занимают на кристалле микросхемы в 6—9 раз меньшую площадь, чем транзисторы, используемые в ТТЛ за счёт упрощения топологии, так, наиболее простой тип транзистора, с индуцированным каналом, требует всего одной операции легирования и одной — металлизации. В англоязычной литературе такой тип называется «обогащённый канал». Это позволило добиться высокой степени интеграции и создать микропроцессоры (процессоры собранные в одной микросхеме). Однако, схемы на транзисторах с индуцированным каналом требуют весьма высокого напряжения питания (27 вольт для типичных p-МОП-структур, и 12 вольт для типичных n-МОП), и обладают невысоким быстродействием, задержка переключения для p-МОП схем составляла десятки, в лучшем случае — единицы микросекунд, а для n-МОП — сотни наносекунд. Увеличить быстродействие с одновременным снижением питающего напряжения удалось с применением транзисторов со встроенным каналом, работающим в режиме обеднения. Такие транзисторы требуют на одну операцию легирования больше, но позволили n-МОП схемам работать от одного источника напряжением 5 вольт. Дальнейшее повышение быстродействия было связано с отказом от металлических затворов и переходом на затворы из поликристаллического кремния. Чтобы ещё увеличить быстродействие, для изоляции затвора от канала были использованы диэлектрики с меньшим коэффициентом диэлектрической проницаемости, чем у оксида кремния, поэтому полевые транзисторы современных цифровых СБИС уже неправомерно называть МОП-транзисторами. С целью радикального снижения энергопотребления в одном логическом элементе могут применяться транзисторы обоих типов проводимости, как с каналом n-типа, так и с каналом p-типа. Такая схема называется КМОП — «комплементарная». В отличие от схем на одном типе проводимости, КМОП схемы практически не потребляют тока в статическом режиме, так как в них в цепочке последовательно соединённых транзисторов хотя бы один всегда закрыт, и лишь во время переходного процесса все транзисторы оказываются ненадолго открытыми. Однако, КМОП структуры требуют большего числа технологических операций при изготовлении, что первоначально ограничивало достижимую степень интеграции (довольно долго по этому параметру лидировали n-МОП структуры). Существуют и иные разновидности интегральных полевых транзисторов. В частности, с барьером Шоттки — обычно это МеП (Металл-полупроводник). ЛИЗМОП (МОП с Лавинной Инжекцией Заряда) с «плавающим» затвором без вывода. В нём затвор представляет собой изолированный островок, который состоит из молибдена или поликремния. При инжекции заряда информация запоминается. Для стирания используется облучение ультрафиолетом. Аналогично устроена и Flash-память, но там затворы тоньше для возможности «вытягивания» заряда в подложку. Для поблочной адресации и для исключения возможности повреждения транзисторов при стирании данная память часто имеет встроенные цепи программирования/стирания/управления. МНОП (металл-нитрид-оксид-полупроводник) — транзистор с двойным затвором и двойным изолятором из нитридного и оксидного слоёв. В процессе заряда ток проходит через оксид, но не проходит через нитрид, что позволяет сохранять информацию. Второй затвор сверху позволяет электрически стирать информацию в таком транзисторе. Применялись они до появления Flash-памяти. Другие виды транзисторов не рассматриваются из-за их малой распространённости.
rdf:langString
N-МОН (метал-оксид-напівпровідник) логіка — технологія побудови логічних електронних схем, яка використовує МОН польові транзистори N-типу. Існує два типи провідності каналу: n-канальні і p-канальні. Тип провідності визначається типом носія заряду в каналі: електрон або «дірка». Якщо транзистор n-канальний (тип носія електрон):
* він відкривається позитивною напругою на затворі по відношенню до витоку.
* паразитний діод в структурі каналу катодом приєднаний до стоку, анодом — до витоку.
* канал звичайно під'єднують так, що на стоці більш позитивна напруга, ніж на витоку. n-МОН-транзистори складають схему так званого «нижнього плеча» (PDN — англ. pull-down network) між виходом логічного елемента і негативною напругою живлення, в той час як резистор поміщений між виходом логічного елемента і позитивною напругою живлення. Каскад виконаний таким чином, що, якщо потрібний вихід низького рівня, то транзистор PDN відкривається, створюючи шлях струму між негативним полюсом джерела електроживлення і виходом. Як приклад, ось схема елемента NOR N-МОН-логіки. Якщо будь-який з входів високий (логічна 1), відповідний МОН-транзистор діє як дуже низький опір між виходом і негативним полюсом джерела, змушуючи вихід перейти в низький (логічний 0). Коли А і В є високими, транзистори є провідними, створюючи ще більш низький опір до заземлення. Єдиний випадок, коли вихід високий, це коли обидва транзистора вимкнені, що відбувається тільки тоді, коли А і В є низькими, відповідючи таким чином таблиці істинності логічного елемента:
xsd:nonNegativeInteger
13825
