Monolithic microwave integrated circuit
http://dbpedia.org/resource/Monolithic_microwave_integrated_circuit an entity of type: Thing
Ein MMIC (von Monolithic Microwave Integrated Circuit) ist in der Hochfrequenztechnik eine spezielle Klasse von integrierten Bauteilen. Dabei werden alle aktiven und passiven Komponenten auf einem Halbleiter-Substrat realisiert (Dicke typ. 100 µm). Die Miniaturisierung ermöglicht Schaltungen bis in den Bereich der Millimeterwellen. Bei der Hybrid-MIC-Technik kann nur ein Teil der Bauelemente auf dem Substrat (meist Keramiksubstrat) realisiert werden. Der Rest muss bestückt werden und hat aufgrund der Anschlussleitungen entsprechend schlechtere Hochfrequenzeigenschaften.
rdf:langString
モノリシックマイクロ波集積回路 (英: monolithic microwave integrated circuit、略称MMIC) とは (MIC) の一種で従来はディスクリート部品（ICやLSIとは異なり単機能のみを持つ半導体部品）で構成されていたマイクロ波回路を、微細加工技術により単一の半導体基板上に形成した集積回路である。高周波デバイスの一種で通信機等のマイクロ波高周波回路の小型化、高信頼化に貢献する。
rdf:langString
MMIC (ang. Monolithic Microwave Integrated Circuit) - monolityczne mikrofalowe układy scalone.Wykonane w większości z GaAs (arsenku galu). Układy te oparte są na (metal semiconductor). Złącza te charakteryzują się bardzo małą , gdyż ich pojemność złączowa jest bardzo mała. W efekcie czasy przełączania takiego złącza także są niewielkie, co umożliwia mu pracowanie na dużych częstotliwościach sięgających nawet 300 GHz.
rdf:langString
MMIC, akronym för Monolithic Microwave Integrated Circuit. MMIC är en integrerad analog mikrovågskrets uppbyggd på en enkristallin halvledare, vanligen galliumarsenid eller indiumfosfid. R. S. Pengally betraktas som "uppfinnaren" av MMIC. MMIC kan användas som förstärkare, blandare mm. i mikrovågskretsar.
rdf:langString
Los circuitos MMI o MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuits) son un tipo de circuitos integrados que operan en frecuencias de microondas, es decir, entre 300 MHz y 300 GHz. La técnica de fabricación de los circuitos MMIC se basa en la utilización de líneas de transmisión planares, y se realiza con compuestos de semiconductores compuestos, tales como el arseniuro de galio (GaAS), nitruro de galio (GaN) y el silicio-germanio (SiGe).
rdf:langString
Monolithic microwave integrated circuit, or MMIC (sometimes pronounced "mimic"), is a type of integrated circuit (IC) device that operates at microwave frequencies (300 MHz to 300 GHz). These devices typically perform functions such as microwave mixing, power amplification, low-noise amplification, and high-frequency switching. Inputs and outputs on MMIC devices are frequently matched to a characteristic impedance of 50 ohms. This makes them easier to use, as cascading of MMICs does not then require an external matching network. Additionally, most microwave test equipment is designed to operate in a 50-ohm environment.
rdf:langString
Un circuit intégré monolithique hyperfréquence ou MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit) est un type de circuit intégré fonctionnant aux fréquences radio intermédiaires entre l'infrarouge et les ondes de radiodiffusion dites « micro-ondes » (de 300 MHz à 300 GHz). Ces composants électroniques sont utilisés le plus souvent comme mélangeurs micro-ondes, comme amplificateurs de puissance, comme amplificateurs faible bruit ou comme commutateurs haute fréquence. Les entrées et les sorties d'un MMIC présentent le plus souvent une impédance caractéristique de 50 ohms. Cette caractéristique les rend plus aisés à utiliser car des MMIC montés en cascade ne requièrent pas de système d'adaptation d'impédances externe. De plus la plupart du matériel de mesure des micro-ondes est conçu pour être
rdf:langString
Микроволновая монолитная интегральная схема (МИС) — интегральная схема, изготовленная по твердотельной технологии и предназначенная для работы на сверхвысоких частотах (300 МГц — 300 ГГц). СВЧ МИС обычно выполняют функции смесителя, усилителя мощности, малошумящего усилителя, преобразователя сигналов, высокочастотного переключателя. Применяются в системах связи (в первую очередь сотовой и спутниковой), а также в радиолокационных системах на основе активных фазированных антенных решёток (АФАР).
rdf:langString
Напівпровіднико́ва ІС НВЧ діапазо́ну (англ. Monolithic microwave integrated circuit, MMIC) — тип інтегральної схеми, який працює в діапазоні надвисоких частот (від 300 МГц до 300 ГГц). Ці пристрої, як правило, виконують такі функції, як НВЧ-змішування, посилення потужності, посилення з низьким рівнем шуму і ВЧ-перемикання. Входи і виходи на пристроях MMIC часто узгоджені з хвильовим опором 50 Ом. Це робить їх простішими у використанні, бо каскадування MMIC вже не вимагає зовнішніх узгоджувальних схем. Крім того, мікрохвильове випробувальне обладнання в більшості випадків призначене для роботи з хвильовим опором 50 Ом.
rdf:langString
rdf:langString
Monolithic Microwave Integrated Circuit
rdf:langString
MMIC
rdf:langString
Circuit intégré monolithique hyperfréquence
rdf:langString
Monolithic microwave integrated circuit
rdf:langString
モノリシックマイクロ波集積回路
rdf:langString
MMIC
rdf:langString
Микроволновая монолитная интегральная схема
rdf:langString
MMIC
rdf:langString
MMIC
xsd:integer
422381
xsd:integer
1029842164
rdf:langString
Ein MMIC (von Monolithic Microwave Integrated Circuit) ist in der Hochfrequenztechnik eine spezielle Klasse von integrierten Bauteilen. Dabei werden alle aktiven und passiven Komponenten auf einem Halbleiter-Substrat realisiert (Dicke typ. 100 µm). Die Miniaturisierung ermöglicht Schaltungen bis in den Bereich der Millimeterwellen. Bei der Hybrid-MIC-Technik kann nur ein Teil der Bauelemente auf dem Substrat (meist Keramiksubstrat) realisiert werden. Der Rest muss bestückt werden und hat aufgrund der Anschlussleitungen entsprechend schlechtere Hochfrequenzeigenschaften.
rdf:langString
Monolithic microwave integrated circuit, or MMIC (sometimes pronounced "mimic"), is a type of integrated circuit (IC) device that operates at microwave frequencies (300 MHz to 300 GHz). These devices typically perform functions such as microwave mixing, power amplification, low-noise amplification, and high-frequency switching. Inputs and outputs on MMIC devices are frequently matched to a characteristic impedance of 50 ohms. This makes them easier to use, as cascading of MMICs does not then require an external matching network. Additionally, most microwave test equipment is designed to operate in a 50-ohm environment. MMICs are dimensionally small (from around 1 mm² to 10 mm²) and can be mass-produced, which has allowed the proliferation of high-frequency devices such as cellular phones. MMICs were originally fabricated using gallium arsenide (GaAs), a III-V compound semiconductor. It has two fundamental advantages over silicon (Si), the traditional material for IC realisation: device (transistor) speed and a semi-insulating substrate. Both factors help with the design of high-frequency circuit functions. However, the speed of Si-based technologies has gradually increased as transistor feature sizes have reduced, and MMICs can now also be fabricated in Si technology. The primary advantage of Si technology is its lower fabrication cost compared with GaAs. Silicon wafer diameters are larger (typically 8" to 12" compared with 4" to 8" for GaAs) and the wafer costs are lower, contributing to a less expensive IC. Originally, MMICs used metal-semiconductor field-effect transistors (MESFETs) as the active device. More recently high-electron-mobility transistor (HEMTs), pseudomorphic HEMTs and heterojunction bipolar transistors have become common. Other III-V technologies, such as indium phosphide (InP), have been shown to offer superior performance to GaAs in terms of gain, higher cutoff frequency, and low noise. However, they also tend to be more expensive due to smaller wafer sizes and increased material fragility. Silicon germanium (SiGe) is a Si-based compound semiconductor technology offering higher-speed transistors than conventional Si devices but with similar cost advantages. Gallium nitride (GaN) is also an option for MMICs. Because GaN transistors can operate at much higher temperatures and work at much higher voltages than GaAs transistors, they make ideal power amplifiers at microwave frequencies.
rdf:langString
Los circuitos MMI o MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuits) son un tipo de circuitos integrados que operan en frecuencias de microondas, es decir, entre 300 MHz y 300 GHz. La técnica de fabricación de los circuitos MMIC se basa en la utilización de líneas de transmisión planares, y se realiza con compuestos de semiconductores compuestos, tales como el arseniuro de galio (GaAS), nitruro de galio (GaN) y el silicio-germanio (SiGe). Las entradas y salidas de los dispositivos MMIC están, generalmente, internamente adaptadas con una impedancia característica de 50 ohmios. Esto facilita el uso de dichos dispositivos, así como su uso en forma de cascada, ya que no requieren red de adaptación externa. Adicionalmente, la mayoría de los equipamientos de pruebas de microondas se diseñan para operar en unas condiciones de 50 ohmios. Los MMIC son dimensionalmente pequeños (desde 1 mm² a 10 mm²) y pueden ser producidos a gran escala, lo que ha facilitado su proliferación en dispositivos de alta frecuencia, como pueden ser los teléfonos móviles.
rdf:langString
Un circuit intégré monolithique hyperfréquence ou MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit) est un type de circuit intégré fonctionnant aux fréquences radio intermédiaires entre l'infrarouge et les ondes de radiodiffusion dites « micro-ondes » (de 300 MHz à 300 GHz). Ces composants électroniques sont utilisés le plus souvent comme mélangeurs micro-ondes, comme amplificateurs de puissance, comme amplificateurs faible bruit ou comme commutateurs haute fréquence. Les entrées et les sorties d'un MMIC présentent le plus souvent une impédance caractéristique de 50 ohms. Cette caractéristique les rend plus aisés à utiliser car des MMIC montés en cascade ne requièrent pas de système d'adaptation d'impédances externe. De plus la plupart du matériel de mesure des micro-ondes est conçu pour être utilisé sous 50 ohms. Les MMIC sont de petite dimension (environ de 1 à 10 mm2) et peuvent être produits en grande série ce qui a permis le développement rapide d'appareils comme les téléphones mobiles. À l'origine les MMIC étaient fabriqués avec de l'arséniure de gallium (GaAs), un semi-conducteur extrinsèque. Le GaAs a deux avantages fondamentaux par rapport au silicium (Si) qui est le composant traditionnel des circuits intégrés : la vitesse du dispositif (transistor) et l'utilisation d'un substrat semi-conducteur que l'on va doper ou graver par exemple. Ces deux facteurs ont été déterminants dans la conception des circuits haute fréquence. Cependant, la vitesse des technologies fondées sur le silicium s'est progressivement accrue lorsque la taille des transistors a diminué et on peut fabriquer aujourd'hui des MMIC en silicium. L'avantage principal du silicium est son faible coût de fabrication comparé à celui du GaAs. Les wafers en silicium sont plus grands, de l'ordre de 20 à 30 cm contre 10 à 15 cm pour le GaAs, et le coût du wafer est significativement moindre ce qui contribue à rendre le circuit intégré moins cher. D'autres technologies, comme celle fondée sur le phosphure d'indium (InP), permettent des performances supérieures au GaAs en termes de gain, de fréquences d'utilisation plus élevées et de bruit plus réduit. Cependant ces technologies coûtent plus cher, se traduisent par des dimensions plus réduites et une plus grande fragilité. Le silicium-germanium (GeSi) est un alliage de semi-conducteurs fondé sur le silicium permettant une vitesse plus élevée qu'avec le silicium traditionnel tout en conservant un coût réduit. Le nitrure de gallium (GaN) est aussi possible. Les transistors au GaN peuvent supporter des températures très supérieures ainsi que des tensions bien plus élevées ce qui les rend parfaits pour la réalisation d'amplificateurs de puissance aux micro-ondes.
rdf:langString
モノリシックマイクロ波集積回路 (英: monolithic microwave integrated circuit、略称MMIC) とは (MIC) の一種で従来はディスクリート部品（ICやLSIとは異なり単機能のみを持つ半導体部品）で構成されていたマイクロ波回路を、微細加工技術により単一の半導体基板上に形成した集積回路である。高周波デバイスの一種で通信機等のマイクロ波高周波回路の小型化、高信頼化に貢献する。
rdf:langString
MMIC (ang. Monolithic Microwave Integrated Circuit) - monolityczne mikrofalowe układy scalone.Wykonane w większości z GaAs (arsenku galu). Układy te oparte są na (metal semiconductor). Złącza te charakteryzują się bardzo małą , gdyż ich pojemność złączowa jest bardzo mała. W efekcie czasy przełączania takiego złącza także są niewielkie, co umożliwia mu pracowanie na dużych częstotliwościach sięgających nawet 300 GHz.
rdf:langString
Микроволновая монолитная интегральная схема (МИС) — интегральная схема, изготовленная по твердотельной технологии и предназначенная для работы на сверхвысоких частотах (300 МГц — 300 ГГц). СВЧ МИС обычно выполняют функции смесителя, усилителя мощности, малошумящего усилителя, преобразователя сигналов, высокочастотного переключателя. Применяются в системах связи (в первую очередь сотовой и спутниковой), а также в радиолокационных системах на основе активных фазированных антенных решёток (АФАР). МИС имеют малые размеры (порядка 1—10 мм2) и могут производиться в больших количествах, что способствует широкому распространению высокочастотных устройств (например, сотовых телефонов). Входы и выходы СВЧ МИС часто приводятся к волновому сопротивлению 50 Ом, чтобы упростить согласование при многокаскадном подключении. Кроме того, испытательное СВЧ-оборудование, как правило, предназначено для работы в 50-омной среде.
rdf:langString
MMIC, akronym för Monolithic Microwave Integrated Circuit. MMIC är en integrerad analog mikrovågskrets uppbyggd på en enkristallin halvledare, vanligen galliumarsenid eller indiumfosfid. R. S. Pengally betraktas som "uppfinnaren" av MMIC. MMIC kan användas som förstärkare, blandare mm. i mikrovågskretsar.
rdf:langString
Напівпровіднико́ва ІС НВЧ діапазо́ну (англ. Monolithic microwave integrated circuit, MMIC) — тип інтегральної схеми, який працює в діапазоні надвисоких частот (від 300 МГц до 300 ГГц). Ці пристрої, як правило, виконують такі функції, як НВЧ-змішування, посилення потужності, посилення з низьким рівнем шуму і ВЧ-перемикання. Входи і виходи на пристроях MMIC часто узгоджені з хвильовим опором 50 Ом. Це робить їх простішими у використанні, бо каскадування MMIC вже не вимагає зовнішніх узгоджувальних схем. Крім того, мікрохвильове випробувальне обладнання в більшості випадків призначене для роботи з хвильовим опором 50 Ом. MMIC дозволило поширити використання високочастотних пристроїв в таких масових виробах, як мобільні телефони. MMIC були спочатку виготовлені з використанням арсеніду галію (GaAs). Проте швидкість технологій на основі кремнію поступово збільшувалася, і MMIC тепер також можуть бути виготовлені в технології Si. Основна перевага технології Si є його низька вартість виготовлення в порівнянні з GaAs. Діаметри кремнієвої пластини більше, (зазвичай 8" або 12" у порівнянні з 4" або 6" для GaAs) та витрати на пластині нижче.
xsd:nonNegativeInteger
3714
