High Bandwidth Memory
http://dbpedia.org/resource/High_Bandwidth_Memory an entity of type: Software
High Bandwidth Memory (zkratka HBM), česky „vysokovýkonnostní paměť“, je nový druh , který překonává všechny dosavadní typy pamětí v mnohých parametrech. Původní využití bylo zaměřeno pouze na využití u čipů grafických karet jako nástupce GDDR5, v budoucnu však může nahradit i běžné DDR4 paměti, nakonec je plánováno využití i jako rychlé cache procesorů[zdroj?].
rdf:langString
High Bandwidth Memory (engl. kurz: HBM, deutsch Speicher mit hoher Bandbreite) ist eine von AMD zusammen mit SK Hynix entwickeltes breitbandiges Interface, um größere Mengen dynamischen Arbeitsspeichers (8 bis 64 GByte) auf Chipebene mit hoher Übertragungsrate an Grafik- oder Hauptprozessoren anzubinden.
rdf:langString
La memoria de alto ancho de banda ((en inglés) High Bandwidth Memory (HBM) ) es una interfaz RAM de alto rendimiento para DRAM apiladas en 3D de Samsung, AMD y Hynix. Se utilizan junto con aceleradores de gráficos de alto rendimiento y dispositivos de red. Los primeros dispositivos que utilizan HBM son las GPU . La memoria de alto ancho de banda ha sido adoptada por JEDEC como un estándar de la industria en octubre de 2013. La segunda generación, HBM2, fue aceptada por JEDEC en enero de 2016.
rdf:langString
고대역 메모리(High Bandwidth Memory, HBM), 고대역폭 메모리, 광대역폭 메모리는 삼성전자, AMD, 하이닉스의 방식의 DRAM을 위한 고성능 RAM 인터페이스이다. 고성능 그래픽스 가속기와 네트워크 장치와 결합하기 위해 사용된다. HBM을 채용한 최초 장치는 GPU이다. 고대역 메모리는 JEDEC에 의해 2013년 10월 산업 표준으로 채택되었다. 2세대 HBM2는 2016년 1월 JEDEC에 의해 수용되었다.
rdf:langString
High Bandwidth Memory (in italiano traducibile come: Memoria a grande ampiezza di banda) o in sigla HBM è un tipo di interfaccia di memoria RAM (Memoria ad accesso casuale) per memorie DRAM con circuiti integrati 3Ddi AMD e Hynix.Viene usata insieme agli acceleratori grafici ad alte prestazioni e nei dispositivi di rete I primi dispositivi ad usare una memoria HBM sono state le GPU Le High Bandwidth Memory sono state adottate dallo JEDEC come standard industriale nell'ottobre 2013. La seconda generazione, le HBM2, sono state accettate dallo JEDEC nel gennaio 2016.
rdf:langString
High Bandwidth Memory (HBM)とは、JEDECが規格化した、Through Silicon Via (TSV)技術によるダイスタッキングを前提としたメモリ規格である。北米時間2015年6月16日にAMDによって発表された、開発コードネーム「Fiji」と呼ばれていた製品群にて初めて搭載された。
rdf:langString
High Bandwidth Memory (HBM) – wysokiej wydajności interfejs pamięci RAM dla 3D DRAM-ów firm AMD i Hynix. Ma on być stosowany w połączeniu z akceleratorami grafiki o wysokiej wydajności oraz urządzeniami sieciowymi. Pierwsze urządzenia do stosowania HBM to procesory Fiji firmy AMD. Pamięć HBM została przyjęta przez JEDEC (Joint Electron Devices Engineering Council) jako standard branżowy w październiku 2013 roku. Druga generacja, HBM2, została zaakceptowana przez JEDEC w styczniu 2016 roku.
rdf:langString
НВМ (англ. high bandwidth memory — память с высокой пропускной способностью) — высокопроизводительный интерфейс ОЗУ для DRAM с от компаний AMD и Hynix, применяемая в высокопроизводительных видеокартах и сетевых устройствах; основной конкурент технологии Hybrid Memory Cube от Micron. и являются первыми видеопроцессорами, использующими НВМ. HBM была стандартизирована JEDEC в октябре 2013 года как JESD235, HBM2 стандартизована в январе 2016 года под кодом JESD235a. На середину 2016 года сообщалось о работах над HBM3 и более дешёвым вариантом HBM, иногда называемом HBM2e.
rdf:langString
高頻寬記憶體（英文：High Bandwidth Memory，縮寫HBM）是三星電子、超微半導體和SK海力士發起的一種基於3D堆疊工藝的高效能DRAM，適用於高記憶體頻寬需求的應用場合，像是圖形處理器、網路交換及轉發裝置（如路由器、交換器）等。首款使用高頻寬記憶體的裝置是AMD Radeon Fury系列顯示核心。 2013年10月，高頻寬記憶體正式被JEDEC采纳为业界标准。第二代高頻寬記憶體（HBM2）于2016年1月被JEDEC采纳。NVIDIA在該年發表的新款旗艦型Tesla運算加速卡 —— Tesla P100、AMD的Radeon RX Vega系列、Intel的Knight Landing也採用了第二代高頻寬記憶體。
rdf:langString
High Bandwidth Memory (HBM) is a high-speed computer memory interface for 3D-stacked synchronous dynamic random-access memory (SDRAM) initially from Samsung, AMD and SK Hynix. It is used in conjunction with high-performance graphics accelerators, network devices, high-performance datacenter AI ASICs and FPGAs and in some supercomputers (such as the NEC SX-Aurora TSUBASA and Fujitsu A64FX). The first HBM memory chip was produced by SK Hynix in 2013, and the first devices to use HBM were the AMD Fiji GPUs in 2015.
rdf:langString
rdf:langString
High Bandwidth Memory
rdf:langString
High Bandwidth Memory
rdf:langString
Memoria de alto ancho de banda
rdf:langString
High Bandwidth Memory
rdf:langString
High Bandwidth Memory
rdf:langString
High Bandwidth Memory
rdf:langString
고대역 메모리
rdf:langString
High Bandwidth Memory
rdf:langString
High Bandwidth Memory
rdf:langString
高頻寬記憶體
xsd:integer
44636056
xsd:integer
1106592335
rdf:langString
High Bandwidth Memory (zkratka HBM), česky „vysokovýkonnostní paměť“, je nový druh , který překonává všechny dosavadní typy pamětí v mnohých parametrech. Původní využití bylo zaměřeno pouze na využití u čipů grafických karet jako nástupce GDDR5, v budoucnu však může nahradit i běžné DDR4 paměti, nakonec je plánováno využití i jako rychlé cache procesorů[zdroj?].
rdf:langString
High Bandwidth Memory (engl. kurz: HBM, deutsch Speicher mit hoher Bandbreite) ist eine von AMD zusammen mit SK Hynix entwickeltes breitbandiges Interface, um größere Mengen dynamischen Arbeitsspeichers (8 bis 64 GByte) auf Chipebene mit hoher Übertragungsrate an Grafik- oder Hauptprozessoren anzubinden.
rdf:langString
La memoria de alto ancho de banda ((en inglés) High Bandwidth Memory (HBM) ) es una interfaz RAM de alto rendimiento para DRAM apiladas en 3D de Samsung, AMD y Hynix. Se utilizan junto con aceleradores de gráficos de alto rendimiento y dispositivos de red. Los primeros dispositivos que utilizan HBM son las GPU . La memoria de alto ancho de banda ha sido adoptada por JEDEC como un estándar de la industria en octubre de 2013. La segunda generación, HBM2, fue aceptada por JEDEC en enero de 2016.
rdf:langString
High Bandwidth Memory (HBM) is a high-speed computer memory interface for 3D-stacked synchronous dynamic random-access memory (SDRAM) initially from Samsung, AMD and SK Hynix. It is used in conjunction with high-performance graphics accelerators, network devices, high-performance datacenter AI ASICs and FPGAs and in some supercomputers (such as the NEC SX-Aurora TSUBASA and Fujitsu A64FX). The first HBM memory chip was produced by SK Hynix in 2013, and the first devices to use HBM were the AMD Fiji GPUs in 2015. High Bandwidth Memory has been adopted by JEDEC as an industry standard in October 2013. The second generation, HBM2, was accepted by JEDEC in January 2016.
rdf:langString
고대역 메모리(High Bandwidth Memory, HBM), 고대역폭 메모리, 광대역폭 메모리는 삼성전자, AMD, 하이닉스의 방식의 DRAM을 위한 고성능 RAM 인터페이스이다. 고성능 그래픽스 가속기와 네트워크 장치와 결합하기 위해 사용된다. HBM을 채용한 최초 장치는 GPU이다. 고대역 메모리는 JEDEC에 의해 2013년 10월 산업 표준으로 채택되었다. 2세대 HBM2는 2016년 1월 JEDEC에 의해 수용되었다.
rdf:langString
High Bandwidth Memory (in italiano traducibile come: Memoria a grande ampiezza di banda) o in sigla HBM è un tipo di interfaccia di memoria RAM (Memoria ad accesso casuale) per memorie DRAM con circuiti integrati 3Ddi AMD e Hynix.Viene usata insieme agli acceleratori grafici ad alte prestazioni e nei dispositivi di rete I primi dispositivi ad usare una memoria HBM sono state le GPU Le High Bandwidth Memory sono state adottate dallo JEDEC come standard industriale nell'ottobre 2013. La seconda generazione, le HBM2, sono state accettate dallo JEDEC nel gennaio 2016.
rdf:langString
High Bandwidth Memory (HBM)とは、JEDECが規格化した、Through Silicon Via (TSV)技術によるダイスタッキングを前提としたメモリ規格である。北米時間2015年6月16日にAMDによって発表された、開発コードネーム「Fiji」と呼ばれていた製品群にて初めて搭載された。
rdf:langString
High Bandwidth Memory (HBM) – wysokiej wydajności interfejs pamięci RAM dla 3D DRAM-ów firm AMD i Hynix. Ma on być stosowany w połączeniu z akceleratorami grafiki o wysokiej wydajności oraz urządzeniami sieciowymi. Pierwsze urządzenia do stosowania HBM to procesory Fiji firmy AMD. Pamięć HBM została przyjęta przez JEDEC (Joint Electron Devices Engineering Council) jako standard branżowy w październiku 2013 roku. Druga generacja, HBM2, została zaakceptowana przez JEDEC w styczniu 2016 roku.
rdf:langString
НВМ (англ. high bandwidth memory — память с высокой пропускной способностью) — высокопроизводительный интерфейс ОЗУ для DRAM с от компаний AMD и Hynix, применяемая в высокопроизводительных видеокартах и сетевых устройствах; основной конкурент технологии Hybrid Memory Cube от Micron. и являются первыми видеопроцессорами, использующими НВМ. HBM была стандартизирована JEDEC в октябре 2013 года как JESD235, HBM2 стандартизована в январе 2016 года под кодом JESD235a. На середину 2016 года сообщалось о работах над HBM3 и более дешёвым вариантом HBM, иногда называемом HBM2e.
rdf:langString
高頻寬記憶體（英文：High Bandwidth Memory，縮寫HBM）是三星電子、超微半導體和SK海力士發起的一種基於3D堆疊工藝的高效能DRAM，適用於高記憶體頻寬需求的應用場合，像是圖形處理器、網路交換及轉發裝置（如路由器、交換器）等。首款使用高頻寬記憶體的裝置是AMD Radeon Fury系列顯示核心。 2013年10月，高頻寬記憶體正式被JEDEC采纳为业界标准。第二代高頻寬記憶體（HBM2）于2016年1月被JEDEC采纳。NVIDIA在該年發表的新款旗艦型Tesla運算加速卡 —— Tesla P100、AMD的Radeon RX Vega系列、Intel的Knight Landing也採用了第二代高頻寬記憶體。
xsd:nonNegativeInteger
28611
