Doping (semiconductor)
http://dbpedia.org/resource/Doping_(semiconductor) an entity of type: Thing
Sa cheimic, suimiú oiread rialaithe eisíontais chun airíonna ábhair a athrú as cuimse. Mar shampla, nuair a chuirtear méid bídeach alúmanain nó fosfair le sileacan, cuireann sé sin go mór le hairíonna leathsheoltacha sileacain, rud atá bunúsach do leictreonaic uile na leathsheoltóirí.
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Con il termine drogaggio, nell'ambito dei semiconduttori, si intende l'aggiunta al semiconduttore puro ("intrinseco") di piccole percentuali di atomi non facenti parte del semiconduttore stesso allo scopo di modificare le proprietà elettroniche del materiale. Il drogaggio in genere aumenta la conducibilità elettrica del semiconduttore. Un drogaggio pesante può fargli assumere proprietà elettriche simili a quelle di un metallo (in tal caso verrà chiamato "semiconduttore degenere").
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반도체의 제조 과정에서 도핑(doping)은 의도적으로 진성 반도체에 불순물을 첨가함으로써 전기적 특성을 조절하는 것을 말한다. 이렇게 도핑된 물질을 불순물 반도체라 한다. 높은 수준으로 도핑된 반도체는 반도체보다 도체에 가까운데, 이를 라 한다.
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Doteren (Latijn: dotare, voorzien, Engels: doping) is het opzettelijk inbrengen van roosterdefecten, van onzuiverheden in een materiaal om de materiaaleigenschappen te veranderen. Het is een begrip uit de halfgeleidertechnologie. Het zuivere, veelal kristallijne basismateriaal wordt gedoteerd met zeer specifieke onzuiverheden, atomen van een ander materiaal. De atomen creëeren in het kristalrooster een substitutioneel-defect. Daarmee wordt het oorspronkelijk isolerende basismateriaal een halfgeleider. Onder invloed van het Engelse doping wordt doteren soms foutief aangeduid als 'doperen'.
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ドープ (dope) またはドーピング (doping) とは、結晶の物性を変化させるために少量の不純物を添加すること。 特に半導体で重要な操作で、不純物の添加により電子や正孔（キャリア）の濃度を調整する他、禁制帯幅などのバンド構造や物理的特性などを様々に制御するために用いる。 添加する不純物をドーパントと呼ぶ。半導体の場合、キャリアとして電子を供給するドーパントをドナー、正孔を供給するドーパントをアクセプタと呼ぶ。
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Domieszkowanie – wprowadzanie obcych jonów/atomów do sieci krystalicznej metalu, półprzewodnika lub tworzących roztwory stałe. Domieszkowanie stosowane jest w celu modyfikacji wybranych właściwości materiału, np.: , , czy . Ilość wprowadzanej domieszki nie przekracza zazwyczaj kilku procent atomowych (kilka atomów domieszki na 100 atomów sieci macierzystej).
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Dopagem eletrônica ou simplemente dopagem, quando não houver possibilidade de confusão ou pelo uso no domínio específico ou restrito da eletrônica de semicondutores, é a adição de impurezas químicas elementares (usualmente índio ou fósforo) em elemento químico semicondutor puro (ou o germânio ou o silício, notadamente este último, na era atual), com a finalidade de dotá-los de propriedades de semicondução controlada específica (presença majoritária de portadores de carga ou tipo P, as lacunas, ou tipo N, os elétrons, respectivamente para as adições de índio e de fósforo), para aplicação em dispositivos eletrônicos elementares de circuitos.
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Леги́рование полупроводников (нем. legieren — «сплавлять», от лат. ligare — «связывать») — внедрение небольших количеств примесей или структурных дефектов с целью контролируемого изменения электрических свойств полупроводника, в частности, его типа проводимости. При производстве полупроводниковых приборов легирование является одним из важнейших технологических процессов (наряду с травлением и осаждением).
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Легува́ння, допува́ння (англ. doping) — процес додавання контрольованих домішок до напівпровідника. Процес базується на властивості напівпровідників, що робить їх найкориснішими для розробки електронних пристроїв: їхню електропровідність можна легко змінити шляхом введення домішок в їх кристалічну решітку. Певна кількість домішок, або , доданих до бездомішкового (чистого) напівпровідника, змінює його провідність.
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掺（chān）杂（英語：doping）是半导体制造工艺中，为纯的本質半導體引入杂质，使之电气属性被改变的过程。此杂质称为掺杂剂（dopant）或掺杂物，而引入的杂质与要制造的半导体种类有关。轻度和中度掺杂的半导体被称作是杂质半导体，而更重度掺杂的半导体则需考虑费米统计律带来的影响，这种情况被称为简并半导体。
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الإشابة أو التطعيم في الإلكترونيات هي عملية مصنعية تتم لتحويل نبيطة شبه الموصل من كونها شبه موصل ذاتي لتصبح شبه موصل مشاب، عن طريق إضافة كمية قليلة من مادة غنية بالإلكترونات أو إضافة مادة ناقصة الإلكترونات وتسمى تلك الأخيرة فجوة إلكترونية. تتحرك الكهرباء في النبيطة (مثل الترانزيستور) بتحرك الإلكترونات (سالبة الشحنة) وتحرك الفجوات (موجبة الشحنة).
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En la producció de semiconductors, s'anomena dopatge al procés intencional d'agregar impureses en un semiconductor extremadament pur (també referit com intrínsec) per tal de canviar les seves propietats elèctriques. Les impureses utilitzades depenen del tipus de semiconductors a dopar. Als semiconductors amb dopatges lleugers i moderats se'ls anomena extrínsecs. Un semiconductor altament dopat, que actua més com un conductor que com un semiconductor, és anomenat degenerat.
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Dotování je v vnesení nepatrného množství (řádově tisíciny až miliardtiny množství základní látky) příměsi do materiálu za účelem změny jeho vlastností. Postup se používá při výrobě polovodičů, kdy je čistý, obvykle krystalický, základní materiál dotován určitou, velmi specifickou příměsí, tvořenou obvykle atomy jiné látky. Tím se původně nevodivý materiál stane polovodivým. Kombinací různých typů polovodičů a polovodičů s různou úrovní dotace se vyrábějí polovodičové součástky.
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In semiconductor production, doping is the intentional introduction of impurities into an intrinsic semiconductor for the purpose of modulating its electrical, optical and structural properties. The doped material is referred to as an extrinsic semiconductor. In the context of phosphors and scintillators, doping is better known as activation; this is not to be confused with dopant activation in semiconductors. Doping is also used to control the color in some pigments.
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Eine Dotierung oder das Dotieren (von lateinisch dotare ‚ausstatten‘) bezeichnet in der Halbleitertechnik das Einbringen von Fremdatomen in eine Schicht oder in das Grundmaterial eines integrierten Schaltkreises. Die bei diesem Vorgang eingebrachte Menge ist dabei sehr klein im Vergleich zum Trägermaterial (zwischen 0,1 und 100 ppm). Die Fremdatome sind Störstellen im Halbleitermaterial und verändern gezielt die Eigenschaften des Ausgangsmaterials, d. h. das Verhalten der Elektronen und damit die elektrische Leitfähigkeit. Dabei kann bereits eine geringfügige Fremdatomdichte eine sehr große Änderung der elektrischen Leitfähigkeit bewirken.
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En la producción de semiconductores, se le denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor (abreviadamente, SC) extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como extrínsecos. Un semiconductor altamente dopado, que actúa más como un conductor que como un semiconductor, es llamado degenerado.
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Dans le domaine des semi-conducteurs, le dopage est l'action d'ajouter des impuretés en petites quantités à une substance pure afin de modifier ses propriétés de conductivité. Les propriétés des semi-conducteurs sont en grande partie régies par la quantité de porteurs de charge qu'ils contiennent. Ces porteurs sont les électrons ou les trous. Le dopage d'un matériau consiste à introduire, dans sa matrice, des atomes d'un autre matériau. Ces atomes vont se substituer à certains atomes initiaux et ainsi introduire davantage d'électrons ou de trous.
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Dalam produksi semikonduktor, doping menunjuk ke proses yang bertujuan menambah ketidakmurnian (impurity) kepada semikonduktor sangat murni (juga disebut intrinsik) dalam rangka mengubah sifat listriknya, i.e., dengan cara merubah jumlah pembawa muatan. Ketidakmurnian ini tergantung dari jenis semikonduktor, i.e., golongan atom doping. Penggambaran yang lebih detail tentang mekanisme doping dapat ditemukan dalam artikel semikonduktor.
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Dopning är en beteckning på ett stort antal kemiska processer där man tillsätter ett störämne (se bild) till en struktur för att ändra någon egenskap hos denna. Exempel på dopning är tillsättning av ett grundämne ur grupp III eller grupp V i halvledare av kisel. I detta fall rör det sig om mycket små mängder. Men dopning kan även vara mängder upp till 50 % ersättning av ett ämne i grundstrukturen med dopämnet. Dopning i halvledare kan också ske elektroniskt, genom elektrondiffusion, injektion eller inversion.
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إشابة
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Dopatge (semiconductors)
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Dotování
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Dotierung
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Dopaje (semiconductores)
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Doping (semiconductor)
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Dópáil
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Dopage (semi-conducteur)
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Doping (semikonduktor)
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Drogaggio
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도핑 (반도체)
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Doteren
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ドープ
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Domieszkowanie
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Dopagem eletrônica
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Легирование полупроводников
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Dopning (fysik)
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Легування (електроніка)
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掺杂 (半导体)
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الإشابة أو التطعيم في الإلكترونيات هي عملية مصنعية تتم لتحويل نبيطة شبه الموصل من كونها شبه موصل ذاتي لتصبح شبه موصل مشاب، عن طريق إضافة كمية قليلة من مادة غنية بالإلكترونات أو إضافة مادة ناقصة الإلكترونات وتسمى تلك الأخيرة فجوة إلكترونية. تتحرك الكهرباء في النبيطة (مثل الترانزيستور) بتحرك الإلكترونات (سالبة الشحنة) وتحرك الفجوات (موجبة الشحنة). يستخدم زرنيخيد الغاليوم الثلاثي النقي كحامل للإشابة، فهو شبه موصل. عند إضافة كمية قليلة من مادة مانحة تحتوي 5 إلكترونات مثل الإثمد أو الفسفور أو الزرنيخ أو غيرها من عناصر المجموعة الخامسة في الجدول الدوري إلى السيليكون النقي تصبح بلوراته مشابة، حينها بلورة شبه موصل سالب أما إذا أضيف للبلورة النقية مادة متقبلة من عناصر المجموعة الثالثة تحتوي ذراتها على ثلاثة إلكترونات فعندها ستشكل الإلكترونات الثلاث رابطة تساهمية مع إلكترونات الذرات المجاورة وتبقى الرابطة الرابعة غير مكتملة مما يؤدي إلى تكون فجوة إلكترونية وتسمى البلورة من هذا النوع بلورة شبه موصل موجب.
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En la producció de semiconductors, s'anomena dopatge al procés intencional d'agregar impureses en un semiconductor extremadament pur (també referit com intrínsec) per tal de canviar les seves propietats elèctriques. Les impureses utilitzades depenen del tipus de semiconductors a dopar. Als semiconductors amb dopatges lleugers i moderats se'ls anomena extrínsecs. Un semiconductor altament dopat, que actua més com un conductor que com un semiconductor, és anomenat degenerat. El nombre d'àtoms dopants necessaris per a crear una diferència en les capacitats conductores d'un semiconductor és molt petita. Quan s'agreguen un petit nombre d'àtoms dopants (de l'ordre d'1 cada 100.000.000 d'àtoms) llavors es diu que el dopatge és baix o lleuger. Quan s'agreguen molts més àtoms (de l'ordre d'1 cada 10.000 àtoms) llavors es diu que el dopatge és alt o pesant. Aquest dopatge pesant es representa amb la nomenclatura N+ per a material de tipus N, o P+ per a material de tipus P.
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Dotování je v vnesení nepatrného množství (řádově tisíciny až miliardtiny množství základní látky) příměsi do materiálu za účelem změny jeho vlastností. Postup se používá při výrobě polovodičů, kdy je čistý, obvykle krystalický, základní materiál dotován určitou, velmi specifickou příměsí, tvořenou obvykle atomy jiné látky. Tím se původně nevodivý materiál stane polovodivým. Kombinací různých typů polovodičů a polovodičů s různou úrovní dotace se vyrábějí polovodičové součástky. Pro odlišení od významu „přidělení finančních prostředků“ a pod vlivem anglického slova doping se používá i slovo dopování.
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En la producción de semiconductores, se le denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor (abreviadamente, SC) extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como extrínsecos. Un semiconductor altamente dopado, que actúa más como un conductor que como un semiconductor, es llamado degenerado. El número de átomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las capacidades conductoras de un semiconductor es muy pequeña. Cuando se agregan un pequeño número de átomos dopantes (en el orden de 1 cada 100 000 000 de átomos) entonces se dice que el dopaje es bajo o ligero. Cuando se agregan muchos más átomos (en el orden de 1 cada 10 000 átomos) entonces se dice que el dopaje es alto o pesado. Este dopaje pesado se representa con la nomenclatura N+ para material de tipo N, o P+ para material de tipo P.
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In semiconductor production, doping is the intentional introduction of impurities into an intrinsic semiconductor for the purpose of modulating its electrical, optical and structural properties. The doped material is referred to as an extrinsic semiconductor. Small numbers of dopant atoms can change the ability of a semiconductor to conduct electricity. When on the order of one dopant atom is added per 100 million atoms, the doping is said to be low or light. When many more dopant atoms are added, on the order of one per ten thousand atoms, the doping is referred to as high or heavy. This is often shown as n+ for n-type doping or p+ for p-type doping. (See the article on semiconductors for a more detailed description of the doping mechanism.) A semiconductor doped to such high levels that it acts more like a conductor than a semiconductor is referred to as a degenerate semiconductor. A semiconductor can be considered i-type semiconductor if it has been doped in equal quantities of p and n. In the context of phosphors and scintillators, doping is better known as activation; this is not to be confused with dopant activation in semiconductors. Doping is also used to control the color in some pigments.
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Eine Dotierung oder das Dotieren (von lateinisch dotare ‚ausstatten‘) bezeichnet in der Halbleitertechnik das Einbringen von Fremdatomen in eine Schicht oder in das Grundmaterial eines integrierten Schaltkreises. Die bei diesem Vorgang eingebrachte Menge ist dabei sehr klein im Vergleich zum Trägermaterial (zwischen 0,1 und 100 ppm). Die Fremdatome sind Störstellen im Halbleitermaterial und verändern gezielt die Eigenschaften des Ausgangsmaterials, d. h. das Verhalten der Elektronen und damit die elektrische Leitfähigkeit. Dabei kann bereits eine geringfügige Fremdatomdichte eine sehr große Änderung der elektrischen Leitfähigkeit bewirken. Auch in anderen Bereichen der Materialwissenschaft wird der Begriff Dotierung in diesem Sinn gebraucht, z. B. allgemein bei stark verdünnten festen Lösungen (z. B. Lasermedien) oder der Dotierung von Salzen. In diesen Fällen wird die gezielte Dotierung durch eine eigene Schreibweise mit dem Doppelpunkt gekennzeichnet, beispielsweise ist die dotierte Verbindung La2O3:Eu (Europium-dotiertes Lanthanoxid) durch die Zusammensetzung La2−xEuxO3 (typischerweise mit x < 0,1) charakterisiert. Weitere Beispiele sind Al2O3:Cr (Chrom-dotiertes Aluminiumoxid = Chromaluminiumoxide) oder In2O3:Sn (Zinn-dotiertes Indiumoxid = Indiumzinnoxid, kurz ITO). Allerdings gibt es andere Schreibweisen, bei denen der Dotierstoff vorangestellt wird, so wird beim Lasermedium Neodym-dotiertes Yttrium-Aluminium-Granat häufig als Nd:YAG statt YAG:Nd dargestellt. Es gibt verschiedene Dotierungsverfahren, z. B. Diffusion, Elektrophorese, Resublimation oder Beschuss mittels hochenergetischen Teilchenkanonen unter Vakuum (Ionenimplantation).
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Dans le domaine des semi-conducteurs, le dopage est l'action d'ajouter des impuretés en petites quantités à une substance pure afin de modifier ses propriétés de conductivité. Les propriétés des semi-conducteurs sont en grande partie régies par la quantité de porteurs de charge qu'ils contiennent. Ces porteurs sont les électrons ou les trous. Le dopage d'un matériau consiste à introduire, dans sa matrice, des atomes d'un autre matériau. Ces atomes vont se substituer à certains atomes initiaux et ainsi introduire davantage d'électrons ou de trous. Les atomes de matériau dopant sont également appelés impuretés, et sont en phase diluée : leur concentration reste négligeable devant celle des atomes du matériau initial.
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Sa cheimic, suimiú oiread rialaithe eisíontais chun airíonna ábhair a athrú as cuimse. Mar shampla, nuair a chuirtear méid bídeach alúmanain nó fosfair le sileacan, cuireann sé sin go mór le hairíonna leathsheoltacha sileacain, rud atá bunúsach do leictreonaic uile na leathsheoltóirí.
rdf:langString
Dalam produksi semikonduktor, doping menunjuk ke proses yang bertujuan menambah ketidakmurnian (impurity) kepada semikonduktor sangat murni (juga disebut intrinsik) dalam rangka mengubah sifat listriknya, i.e., dengan cara merubah jumlah pembawa muatan. Ketidakmurnian ini tergantung dari jenis semikonduktor, i.e., golongan atom doping. Beberapa dopant biasanya ditambahkan ketika ditumbuhkan, memberikan setiap wafer doping awal yang hampir seragam. Pada rangkaian terintegrasi, wilayah terpilih (biasanya dikontrol oleh ) didop lebih lanjut dengan proses difusi atau , metode kedua lebih populer dalam produksi skala besar karena kemudahan pengontrolannya. Jumlah atom dopant yang dibutuhkan untuk menciptakan sebuah perbedaan dalam kemampuan sebuah semikonduktor sangat kecil. Bila sejumlah kecil atom dopant ditambahkan (dalam order 1 setiap 100.000.000 atom), doping ini disebut rendah atau ringan. Ketika lebih banyak atom dopant ditambahkan (dalam order 10.000) doping ini disebut sebagai berat atau tinggi. Hal ini ditunjukkan sebagai n+ untuk dopant tipe-n atau p+ untuk doping tipe-p. Penggambaran yang lebih detail tentang mekanisme doping dapat ditemukan dalam artikel semikonduktor.
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Con il termine drogaggio, nell'ambito dei semiconduttori, si intende l'aggiunta al semiconduttore puro ("intrinseco") di piccole percentuali di atomi non facenti parte del semiconduttore stesso allo scopo di modificare le proprietà elettroniche del materiale. Il drogaggio in genere aumenta la conducibilità elettrica del semiconduttore. Un drogaggio pesante può fargli assumere proprietà elettriche simili a quelle di un metallo (in tal caso verrà chiamato "semiconduttore degenere").
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반도체의 제조 과정에서 도핑(doping)은 의도적으로 진성 반도체에 불순물을 첨가함으로써 전기적 특성을 조절하는 것을 말한다. 이렇게 도핑된 물질을 불순물 반도체라 한다. 높은 수준으로 도핑된 반도체는 반도체보다 도체에 가까운데, 이를 라 한다.
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Doteren (Latijn: dotare, voorzien, Engels: doping) is het opzettelijk inbrengen van roosterdefecten, van onzuiverheden in een materiaal om de materiaaleigenschappen te veranderen. Het is een begrip uit de halfgeleidertechnologie. Het zuivere, veelal kristallijne basismateriaal wordt gedoteerd met zeer specifieke onzuiverheden, atomen van een ander materiaal. De atomen creëeren in het kristalrooster een substitutioneel-defect. Daarmee wordt het oorspronkelijk isolerende basismateriaal een halfgeleider. Onder invloed van het Engelse doping wordt doteren soms foutief aangeduid als 'doperen'.
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ドープ (dope) またはドーピング (doping) とは、結晶の物性を変化させるために少量の不純物を添加すること。 特に半導体で重要な操作で、不純物の添加により電子や正孔（キャリア）の濃度を調整する他、禁制帯幅などのバンド構造や物理的特性などを様々に制御するために用いる。 添加する不純物をドーパントと呼ぶ。半導体の場合、キャリアとして電子を供給するドーパントをドナー、正孔を供給するドーパントをアクセプタと呼ぶ。
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Domieszkowanie – wprowadzanie obcych jonów/atomów do sieci krystalicznej metalu, półprzewodnika lub tworzących roztwory stałe. Domieszkowanie stosowane jest w celu modyfikacji wybranych właściwości materiału, np.: , , czy . Ilość wprowadzanej domieszki nie przekracza zazwyczaj kilku procent atomowych (kilka atomów domieszki na 100 atomów sieci macierzystej).
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Dopagem eletrônica ou simplemente dopagem, quando não houver possibilidade de confusão ou pelo uso no domínio específico ou restrito da eletrônica de semicondutores, é a adição de impurezas químicas elementares (usualmente índio ou fósforo) em elemento químico semicondutor puro (ou o germânio ou o silício, notadamente este último, na era atual), com a finalidade de dotá-los de propriedades de semicondução controlada específica (presença majoritária de portadores de carga ou tipo P, as lacunas, ou tipo N, os elétrons, respectivamente para as adições de índio e de fósforo), para aplicação em dispositivos eletrônicos elementares de circuitos.
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Dopning är en beteckning på ett stort antal kemiska processer där man tillsätter ett störämne (se bild) till en struktur för att ändra någon egenskap hos denna. Exempel på dopning är tillsättning av ett grundämne ur grupp III eller grupp V i halvledare av kisel. I detta fall rör det sig om mycket små mängder. Men dopning kan även vara mängder upp till 50 % ersättning av ett ämne i grundstrukturen med dopämnet. Dopning i halvledare kan också ske elektroniskt, genom elektrondiffusion, injektion eller inversion. När störämnet har fler valenselektroner än ämnet man dopar stör man elektronparbindningen då det blir en elektron över per tillsatt störämnesatom (se översta bilden till höger). Denna elektron är det som bär laddningen i ämnet och eftersom en elektron är negativt laddad så säger man att ämnet är n-dopat (efter n som i negativ). När störämnet har färre valenselektroner än ämnet man dopar stör man elektronparbindningen då det blir ett hål över per tillsatt störämnesatom (se nedersta bilden till höger). Detta hål är det som bär laddningen i ämnet och eftersom ett hål, teoretiskt sett är positivt laddat så säger man att ämnet är p-dopat (efter p som i positiv).
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Леги́рование полупроводников (нем. legieren — «сплавлять», от лат. ligare — «связывать») — внедрение небольших количеств примесей или структурных дефектов с целью контролируемого изменения электрических свойств полупроводника, в частности, его типа проводимости. При производстве полупроводниковых приборов легирование является одним из важнейших технологических процессов (наряду с травлением и осаждением).
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Легува́ння, допува́ння (англ. doping) — процес додавання контрольованих домішок до напівпровідника. Процес базується на властивості напівпровідників, що робить їх найкориснішими для розробки електронних пристроїв: їхню електропровідність можна легко змінити шляхом введення домішок в їх кристалічну решітку. Певна кількість домішок, або , доданих до бездомішкового (чистого) напівпровідника, змінює його провідність.
rdf:langString
掺（chān）杂（英語：doping）是半导体制造工艺中，为纯的本質半導體引入杂质，使之电气属性被改变的过程。此杂质称为掺杂剂（dopant）或掺杂物，而引入的杂质与要制造的半导体种类有关。轻度和中度掺杂的半导体被称作是杂质半导体，而更重度掺杂的半导体则需考虑费米统计律带来的影响，这种情况被称为简并半导体。
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