Avalanche diode
http://dbpedia.org/resource/Avalanche_diode an entity of type: Thing
Avalanche-Dioden oder Lawinendiode sind Z-Dioden, die den Lawineneffekt (Avalanche-Effekt) ausnutzen. Durch entsprechende Dotierungsprofile können in Avalanche-Dioden Bereiche hoher elektrischer Feldstärke erzeugt werden (Multiplikationszone), in denen sich die Anzahl der freien Ladungsträger im Leitungs- oder Valenzband durch Stoßionisation vervielfältigt, und oberhalb der Durchbruchspannung lawinenartig ansteigt. Dieser Effekt hat vielfältige Anwendungsbereiche und zu den Avalanche-Dioden gehören u. a. die (Lawinen-)Laufzeit-Dioden (IMPATT- und TRAPATT-Diode), die Suppressordiode und die Avalanche-Photodioden. Zener-Dioden mit hohen Durchbruchsspannungen, bei denen der Lawinendurchbruch überwiegt, können auch als Avalanche-Dioden angesehen werden.
rdf:langString
アバランシェダイオード（英語：avalanche breakdown diode、略称：ABD）は ダイオードの一種（通常シリコン（珪素）だが、他の半導体から作られることもある）で、特定の逆電圧にてアバランシェ降伏を起こすことにより、として用いられるよう設計されたものである。 ツェナーダイオードは明らかに似た効果を持つが、こちらはツェナー降伏という別の動作メカニズムに依っている。実際にはどのダイオードにも両方の効果が存在するが、ふつうはどちらかが優勢である。典型的には、ツェナーダイオードは数十Vの最大電圧に限定されるが、シリコンアバランシェダイオードには4000Vを超える降伏電圧をもつものもある[1]。 主な特徴としてはマイクロ波及びミリ波において発振や増幅が可能である、雑音が多い、10GHz以上で高出力が得られる、大きな熱損失を生じる、などの点がある。
rdf:langString
Een lawinediode of avalanchediode is een diode die berust op het lawine-effect (avalanche breakdown effect).
rdf:langString
Dioda lawinowa, odmiana diody, która po przekroczeniu napięcia przebicia nie ulega uszkodzeniu i zaczyna przewodzić prąd, używana jest w telekomunikacji do tłumienia przepięć. Stosowana jest również w detekcji promieniowania jako fotodioda. Dzięki dużemu wzmocnieniu możliwa jest detekcja pojedynczych fotonów.
rdf:langString
雪崩二極管（avalanche diode）是設計在特定反向電壓下，會突崩潰的二極管，其材料會用矽或是其他半导体材料。雪崩二極管的接合面會經特別設計，避免電流集中及所產生高溫熱點，因此在崩潰時不會破壞二極管。突崩潰是因為少數載子加速到足以使晶格電離的程度，因此產生更多的載子，也造成更進一步的電離。因為突崩潰是在接面上均勻發生的，相較於非雪崩的二極管，雪崩二極管的崩潰電壓不會隨電流而變化，大致呈一定值。 稽納二極體除了外，也會有類似的效應。任何一個二極體都會有這二種效應，但一般會有一個效應明顯較強。雪崩二極管針對突崩潰進行最佳化，因此在崩潰條件下會有很小，但明顯的電壓差。而稽納二極體會維持在高過崩潰電壓的一個電壓下。此特性比較類似氣體放電管，比稽納二極體的保護效果要好。雪崩二極管的電壓有小的正溫度係數，而稽納二極體則是負溫度係數。
rdf:langString
فِي الْإِلِكْتِرُونِيَّاتِ، الصِّمَامُ الثُّنَائِيُّ الِانْهِيَارِيُّ هُوَ صِمَامٌ ثُنَائِيٌّ (مَصْنُوعٌ مِنْ السِّيلِيكُونِ أَوْ غَيْرِهِ مِنْ أَشْبَاهِ الْمُوَصِّلَاتِ) مُصَمِّمٍ لِتَجْرِبَةِ الِانْهِيَارِ الِانْهِمَارِيِّ عِنْدَ جُهْدِ انْحِيَازٍ عَكْسِيٍّ مُحَدَّدٍ. تَمَّ تَصْمِيمُ تَقَاطُعِ الصِّمَامِ الثُّنَائِيِّ الِانْهِيَارُ لِمَنْعِ التَّرْكِيزِ الْحَالِيِّ وَالنِّقَاطِ السَّاخِنَةِ النَّاتِجَةِ، بِحَيْثُ لَا يَتَضَرَّرُ الصِّمَامُ الثُّنَائِيُّ بِسَبَبِ الِانْهِيَارِ. يَرْجِعُ الِانْهِيَارُ الِانْهِمَارِيُّ إِلَى تَسَارُعِ نَاقِلَاتِ الْأَقَلِّيَّةِ بِمَا يَكْفِي لِإِنْشَاءِ تَأَيُّنٍ فِي الشَّبَكَةِ الْبَلُّورِيَّةِ، مِمَّا يَنْتِجُ عَنْهُ الْمَزِيدُ مِنْ النَّاقِلَاتِ الَّتِي بِدَوْرِهَا تَخْلُقُ الْمَزِيدَ مِنْ التَّأَيُّنِ. نَظَرًا لِأَنَّ الِانْهِيَارَ الِانْهِمَارِيَّ مُنْ
rdf:langString
Un díode d'allau, és un díode semiconductor dissenyat especialment per a treballar en inversa. En estos díodes, poc dopats, quan la tensió en polarització inversa abasta el valor de la tensió de ruptura, els electrons que han botat a la banda de conducció per efecte de la temperatura s'acceleren a causa del camp elèctric incrementant la seua energia cinètica, de forma que al col·lidir amb electrons de valència els alliberen; estos al seu torn, s'acceleren i col·lidixen amb altres electrons de valència alliberant-los també, produint-se una allau d'electrons l'efecte del qual és incrementar el corrent conduït pel díode sense a penes increment de la tensió.
rdf:langString
In electronics, an avalanche diode is a diode (made from silicon or other semiconductor) that is designed to experience avalanche breakdown at a specified reverse bias voltage. The junction of an avalanche diode is designed to prevent current concentration and resulting hot spots, so that the diode is undamaged by the breakdown. The avalanche breakdown is due to minority carriers accelerated enough to create ionization in the crystal lattice, producing more carriers, which in turn create more ionization. Because the avalanche breakdown is uniform across the whole junction, the breakdown voltage is nearly constant with changing current when compared to a non-avalanche diode.
rdf:langString
Un diodo avalancha es un dispositivo semiconductor diseñado especialmente para trabajar en tensión inversa. En estos diodos, poco dopados, cuando la tensión en polarización inversa alcanza el valor de la tensión de ruptura, los electrones que han saltado a la banda de conducción por efecto de la temperatura se aceleran debido al campo eléctrico incrementando su energía cinética, de forma que al colisionar con electrones de valencia los liberan; éstos a su vez, se aceleran y colisionan con otros electrones de valencia liberándolos también, produciéndose una avalancha de electrones cuyo efecto es incrementar la corriente conducida por el diodo sin apenas incremento de la tensión.
rdf:langString
Лави́нный дио́д — электронный прибор, полупроводниковый диод, разновидность стабилитрона, обычно изготавливаемый из кремния, работа которого основана на обратимом лавинном пробое p-n перехода при обратном включении, то есть при подаче на слой полупроводника с p-типом проводимости (анода) отрицательного относительно n-слоя (катода) напряжения. Таким образом, любые стабилитроны с напряжением стабилизации более 5,1 В можно считать лавинными диодами. Лавинный механизм обратного пробоя используется также в лавинных фотодиодах и диодных генераторах шума.
rdf:langString
En Avalanchediod är en diod som leder i motsatt riktning när motsatt polaritet närmar sig break-down-spänningen. Dessa är elektroniskt väldigt lika zenerdioder och kallas ofta oegentligt för zenerdioder men de börjar leda av helt andra anledningar dvs lavin-effekten. Detta uppstår när det motsatta fältet över pn-övergången orsakar en våg av jonifiering som man kallar lavin, vilka leder till en stor ström. Lavin-dioder är designade för att bryta ihop vid en väldefinierad motsatt spänning utan att gå sönder. Skillnaden mellan lavin-dioden (som bryter ihop vid 6.2V) och zenerdioden är att kanallängden av den föregående överstiger "medelvägslängden" hos elektronerna så att det finns kollisioner mellan dom i det fria. Den enda praktiska skillnaden mellan dessa och zenerdioder är att deras tempe
rdf:langString
Лави́нний діо́д — напівпровідниковий діод, різновид стабілітрона, зазвичай виготовляється з кремнію, робота якого заснована на оборотному лавинному пробої p-n переходу при зворотному включенні, тобто при подачі на шар напівпровідника з p-типом провідності (аноду) негативного щодо n-шару (катоду) напруги. Напруга пробою залежить від ступеня легування напівпровідника, чим слабкіше легування, тим більша напруга початку пробою (тобто стабілізації, для стабілітронів).
rdf:langString
rdf:langString
Avalanche diode
rdf:langString
ثنائي انهياري
rdf:langString
Díode d'allau
rdf:langString
Avalanche-Diode
rdf:langString
Diodo avalancha
rdf:langString
アバランシェダイオード
rdf:langString
Lawinediode
rdf:langString
Dioda lawinowa
rdf:langString
Лавинный диод
rdf:langString
Avalanchediod
rdf:langString
Лавинний діод
rdf:langString
雪崩二極管
rdf:langString
Avalanche diode
xsd:integer
243420
xsd:integer
1106242249
rdf:langString
Un díode d'allau, és un díode semiconductor dissenyat especialment per a treballar en inversa. En estos díodes, poc dopats, quan la tensió en polarització inversa abasta el valor de la tensió de ruptura, els electrons que han botat a la banda de conducció per efecte de la temperatura s'acceleren a causa del camp elèctric incrementant la seua energia cinètica, de forma que al col·lidir amb electrons de valència els alliberen; estos al seu torn, s'acceleren i col·lidixen amb altres electrons de valència alliberant-los també, produint-se una allau d'electrons l'efecte del qual és incrementar el corrent conduït pel díode sense a penes increment de la tensió. L'aplicació típica d'estos díodes és la protecció de circuits electrònics contra sobretensions. El díode es connecta en inversa a terra, de manera que mentre la tensió es mantinga per davall de la tensió de ruptura només serà travessat pel corrent invers de saturació, molt menut, per la qual cosa la interferència amb la resta del circuit serà mínima; a efectes pràctics, és com si el díode no existira. En incrementar-se la tensió del circuit per damunt del valor de ruptura, el díode comença a conduir desviant l'excés de corrent a terra evitant danys en els components del circuit.
rdf:langString
فِي الْإِلِكْتِرُونِيَّاتِ، الصِّمَامُ الثُّنَائِيُّ الِانْهِيَارِيُّ هُوَ صِمَامٌ ثُنَائِيٌّ (مَصْنُوعٌ مِنْ السِّيلِيكُونِ أَوْ غَيْرِهِ مِنْ أَشْبَاهِ الْمُوَصِّلَاتِ) مُصَمِّمٍ لِتَجْرِبَةِ الِانْهِيَارِ الِانْهِمَارِيِّ عِنْدَ جُهْدِ انْحِيَازٍ عَكْسِيٍّ مُحَدَّدٍ. تَمَّ تَصْمِيمُ تَقَاطُعِ الصِّمَامِ الثُّنَائِيِّ الِانْهِيَارُ لِمَنْعِ التَّرْكِيزِ الْحَالِيِّ وَالنِّقَاطِ السَّاخِنَةِ النَّاتِجَةِ، بِحَيْثُ لَا يَتَضَرَّرُ الصِّمَامُ الثُّنَائِيُّ بِسَبَبِ الِانْهِيَارِ. يَرْجِعُ الِانْهِيَارُ الِانْهِمَارِيُّ إِلَى تَسَارُعِ نَاقِلَاتِ الْأَقَلِّيَّةِ بِمَا يَكْفِي لِإِنْشَاءِ تَأَيُّنٍ فِي الشَّبَكَةِ الْبَلُّورِيَّةِ، مِمَّا يَنْتِجُ عَنْهُ الْمَزِيدُ مِنْ النَّاقِلَاتِ الَّتِي بِدَوْرِهَا تَخْلُقُ الْمَزِيدَ مِنْ التَّأَيُّنِ. نَظَرًا لِأَنَّ الِانْهِيَارَ الِانْهِمَارِيَّ مُنْتَظِمٌ عَبْرَ التَّقَاطُعِ بِأَكْمَلِهِ، فَإِنَّ جُهْدَ الِانْهِيَارِ يَكُونُ ثَابِتًا تَقْرِيبًا مَعَ التَّيَّارِ الْمُتَغَيِّرِ بِالْمُقَارَنَةِ مَعَ الصِّمَامِ الثُّنَائِيِّ غَيْرِ الِانْهِمَارِيِّ. يُظْهَرُ الصِّمَامُ الثُّنَائِيُّ زِينْزْ تَأْثِيرًا مُشَابِهًا عَلَى مَا يَبْدُو بِالْإِضَافَةِ إِلَى . كِلَا التَّأْثِيرَيْنِ مَوْجُودَانِ فِي أَيٍّ مِنْ هَذَا الصِّمَامِ الثُّنَائِيِّ، لَكِنَّ أَحَدَهُمَا يُهَيْمِنُ عَلَى الْآخَرِ عَادَةً. تَمَّ تَحْسِينُ ثُنَائِيَّاتِ الِانْهِيَارِ الِانْهِمَارِيِّ مِنْ أَجْلِ تَأْثِيرِ الِانْهِيَارِ الِانْهِمَارِيِّ بِحَيْثُ تُظْهِرُ انْخِفَاضًا صَغِيرًا وَلَكِنْ مُهِمًا فِي الْجُهْدِ تَحْتَ ظُرُوفِ الِانْهِيَارِ، عَلَى عَكْسِ ثُنَائِيَّاتِ زِينَرْ الَّتِي تُحَافِظُ دَائِمًا عَلَى جُهْدٍ أَعْلَى مِنْ الِانْهِيَارِ. تُوَفِّرُ هَذِهِ الْمِيزَةُ حِمَايَةً أَفْضَلَ مِنْ زِيَادَةِ التَّيَّارِ أَكْثَرَ مِنْ الصِّمَامِ الثُّنَائِيِّ زِينْزْ الْبَسِيطِ وَتَعْمَلُ مِثْلَ اسْتِبْدَالِ أُنْبُوبِ تَفْرِيغِ الْغَازِ. تَحْتَوِي الثُّنَائِيَّاتُ الِانْهِيَارَ الِانْهِمَارِيَّ عَلَى مَعَامِلِ دَرَجَةِ حَرَارَةٍ مُوجِبٍ صَغِيرٍ لِلْجُهْدِ، حَيْثُ يَكُونُ لِلدُّيُودَاتِ الَّتِي تَعْتَمِدُ عَلَى تَأْثِيرِ زِينَرْ مَعَامِلَ دَرَجَةِ حَرَارَةٍ سَالِبٍ.
rdf:langString
In electronics, an avalanche diode is a diode (made from silicon or other semiconductor) that is designed to experience avalanche breakdown at a specified reverse bias voltage. The junction of an avalanche diode is designed to prevent current concentration and resulting hot spots, so that the diode is undamaged by the breakdown. The avalanche breakdown is due to minority carriers accelerated enough to create ionization in the crystal lattice, producing more carriers, which in turn create more ionization. Because the avalanche breakdown is uniform across the whole junction, the breakdown voltage is nearly constant with changing current when compared to a non-avalanche diode. The Zener diode exhibits an apparently similar effect in addition to Zener breakdown. Both effects are present in any such diode, but one usually dominates the other. Avalanche diodes are optimized for avalanche effect, so they exhibit small but significant voltage drop under breakdown conditions, unlike Zener diodes that always maintain a voltage higher than breakdown. This feature provides better surge protection than a simple Zener diode and acts more like a gas-discharge tube replacement. Avalanche diodes have a small positive temperature coefficient of voltage, whereas diodes relying on the Zener effect have a negative temperature coefficient.
rdf:langString
Avalanche-Dioden oder Lawinendiode sind Z-Dioden, die den Lawineneffekt (Avalanche-Effekt) ausnutzen. Durch entsprechende Dotierungsprofile können in Avalanche-Dioden Bereiche hoher elektrischer Feldstärke erzeugt werden (Multiplikationszone), in denen sich die Anzahl der freien Ladungsträger im Leitungs- oder Valenzband durch Stoßionisation vervielfältigt, und oberhalb der Durchbruchspannung lawinenartig ansteigt. Dieser Effekt hat vielfältige Anwendungsbereiche und zu den Avalanche-Dioden gehören u. a. die (Lawinen-)Laufzeit-Dioden (IMPATT- und TRAPATT-Diode), die Suppressordiode und die Avalanche-Photodioden. Zener-Dioden mit hohen Durchbruchsspannungen, bei denen der Lawinendurchbruch überwiegt, können auch als Avalanche-Dioden angesehen werden.
rdf:langString
Un diodo avalancha es un dispositivo semiconductor diseñado especialmente para trabajar en tensión inversa. En estos diodos, poco dopados, cuando la tensión en polarización inversa alcanza el valor de la tensión de ruptura, los electrones que han saltado a la banda de conducción por efecto de la temperatura se aceleran debido al campo eléctrico incrementando su energía cinética, de forma que al colisionar con electrones de valencia los liberan; éstos a su vez, se aceleran y colisionan con otros electrones de valencia liberándolos también, produciéndose una avalancha de electrones cuyo efecto es incrementar la corriente conducida por el diodo sin apenas incremento de la tensión. El diodo Zener está también diseñado para trabajar en inversa, aunque el mecanismo de ruptura es diferente al aquí expuesto.
rdf:langString
アバランシェダイオード（英語：avalanche breakdown diode、略称：ABD）は ダイオードの一種（通常シリコン（珪素）だが、他の半導体から作られることもある）で、特定の逆電圧にてアバランシェ降伏を起こすことにより、として用いられるよう設計されたものである。 ツェナーダイオードは明らかに似た効果を持つが、こちらはツェナー降伏という別の動作メカニズムに依っている。実際にはどのダイオードにも両方の効果が存在するが、ふつうはどちらかが優勢である。典型的には、ツェナーダイオードは数十Vの最大電圧に限定されるが、シリコンアバランシェダイオードには4000Vを超える降伏電圧をもつものもある[1]。 主な特徴としてはマイクロ波及びミリ波において発振や増幅が可能である、雑音が多い、10GHz以上で高出力が得られる、大きな熱損失を生じる、などの点がある。
rdf:langString
Een lawinediode of avalanchediode is een diode die berust op het lawine-effect (avalanche breakdown effect).
rdf:langString
Dioda lawinowa, odmiana diody, która po przekroczeniu napięcia przebicia nie ulega uszkodzeniu i zaczyna przewodzić prąd, używana jest w telekomunikacji do tłumienia przepięć. Stosowana jest również w detekcji promieniowania jako fotodioda. Dzięki dużemu wzmocnieniu możliwa jest detekcja pojedynczych fotonów.
rdf:langString
En Avalanchediod är en diod som leder i motsatt riktning när motsatt polaritet närmar sig break-down-spänningen. Dessa är elektroniskt väldigt lika zenerdioder och kallas ofta oegentligt för zenerdioder men de börjar leda av helt andra anledningar dvs lavin-effekten. Detta uppstår när det motsatta fältet över pn-övergången orsakar en våg av jonifiering som man kallar lavin, vilka leder till en stor ström. Lavin-dioder är designade för att bryta ihop vid en väldefinierad motsatt spänning utan att gå sönder. Skillnaden mellan lavin-dioden (som bryter ihop vid 6.2V) och zenerdioden är att kanallängden av den föregående överstiger "medelvägslängden" hos elektronerna så att det finns kollisioner mellan dom i det fria. Den enda praktiska skillnaden mellan dessa och zenerdioder är att deras temperaturkoefficienter är av motsatt polaritet.
rdf:langString
Лави́нний діо́д — напівпровідниковий діод, різновид стабілітрона, зазвичай виготовляється з кремнію, робота якого заснована на оборотному лавинному пробої p-n переходу при зворотному включенні, тобто при подачі на шар напівпровідника з p-типом провідності (аноду) негативного щодо n-шару (катоду) напруги. Лавинний пробій виникає при напруженості електричного поля в p-n переході, достатньої для ударної іонізації, при якій носії заряду, прискорені полем в переході генерують пари електрон-дірка. При збільшенні поля кількість породжених пар збільшується, що викликає збільшення струму, тому напруга на діоді залишається практично постійною. Напруга пробою залежить від ступеня легування напівпровідника, чим слабкіше легування, тим більша напруга початку пробою (тобто стабілізації, для стабілітронів).
rdf:langString
Лави́нный дио́д — электронный прибор, полупроводниковый диод, разновидность стабилитрона, обычно изготавливаемый из кремния, работа которого основана на обратимом лавинном пробое p-n перехода при обратном включении, то есть при подаче на слой полупроводника с p-типом проводимости (анода) отрицательного относительно n-слоя (катода) напряжения. Лавинный пробой возникает при напряжённости электрического поля в p-n переходе достаточном для ударной ионизации, при которой носители заряда, ускоренные полем в переходе, генерируют пары электрон-дырка. При увеличении поля количество порождённых пар нарастает, что вызывает нарастание тока, поэтому напряжение на диоде остаётся практически постоянным. Вообще в стабилитронах при обратном смещении перехода имеются два механизма обратимых пробоев: туннельный (зенеровский) и лавинный, но их вклад зависит от удельного сопротивления базы (при низких удельных сопротивлениях пробой носит туннельный характер, а при высоких — лавинный), которая в свою очередь зависит от материала полупроводника и типа проводимости базы (так, например, для электронного германия равенство лавинной и туннельной составляющей наблюдается при 1 Ом⋅см), при этом напряжение пробоя зависит от степени легирования полупроводника, чем слабее легирование, тем выше напряжение начала пробоя (то есть стабилизации, для стабилитронов). Для лавинного пробоя характерно увеличение напряжения стабилизации при повышении температуры, для пробоя по зенеровскому механизму — наоборот. При напряжении начала пробоя ниже 5,1 В преобладает пробой по зенеровскому типу, выше — преобладает лавинный пробой, поэтому у стабилитронов с напряжением стабилизации 5,1 В нет температурного дрейфа напряжения стабилизации, так как температурные дрейфы пробоя по этим двум механизмам взаимно компенсируют друг друга. Таким образом, любые стабилитроны с напряжением стабилизации более 5,1 В можно считать лавинными диодами. Применяется в электронике в качестве стабилитронов. Также применяются для защиты электрических цепей от перенапряжений. Защитные лавинные диоды конструируют так, чтобы исключить повышенную концентрацию (шнурование) тока в одной или нескольких точках p-n перехода, приводящее к локальному перегреву полупроводниковой структуры, для избежания необратимого разрушения диода. Диоды, предназначенные для защиты от перенапряжения, часто называют супрессорами. Лавинный механизм обратного пробоя используется также в лавинных фотодиодах и диодных генераторах шума. При медленном увеличении обратного напряжения заметно превысить напряжение стабилизации нереально. Но при высокой скорости нарастания (dU/dt > 1012 В/с) оказывается возможным приложение к p+-n-n+-структуре напряжения в полтора-два раза выше напряжения стационарного пробоя, после чего её сопротивление резко падает за время порядка 100 пикосекунд или менее. Такое сверхбыстрое изменение состояния от непроводящего к проводящему обеспечивается за счет формирования и распространения волны ударной ионизации. На основе данного эффекта разработан прибор, выполняемый чаще всего на кремнии, — импульсов (англ. silicon avalanche sharpener, SAS diode).
rdf:langString
雪崩二極管（avalanche diode）是設計在特定反向電壓下，會突崩潰的二極管，其材料會用矽或是其他半导体材料。雪崩二極管的接合面會經特別設計，避免電流集中及所產生高溫熱點，因此在崩潰時不會破壞二極管。突崩潰是因為少數載子加速到足以使晶格電離的程度，因此產生更多的載子，也造成更進一步的電離。因為突崩潰是在接面上均勻發生的，相較於非雪崩的二極管，雪崩二極管的崩潰電壓不會隨電流而變化，大致呈一定值。 稽納二極體除了外，也會有類似的效應。任何一個二極體都會有這二種效應，但一般會有一個效應明顯較強。雪崩二極管針對突崩潰進行最佳化，因此在崩潰條件下會有很小，但明顯的電壓差。而稽納二極體會維持在高過崩潰電壓的一個電壓下。此特性比較類似氣體放電管，比稽納二極體的保護效果要好。雪崩二極管的電壓有小的正溫度係數，而稽納二極體則是負溫度係數。
xsd:nonNegativeInteger
5437
