Vacancy defect
http://dbpedia.org/resource/Vacancy_defect an entity of type: WikicatCrystallographicDefects
العيوب الفراغية في علم البلورات هي نوع من أنواع العيوب البلورية في بنية البلورات، حيث يفتقد وجود ذرة في شبكة برافيه البلورية.
rdf:langString
Вака́нсия (от лат. vacans — пустующий, свободный) — дефект кристалла, представляющий собой узел, в котором отсутствует атом (ион). Иначе говоря, вакансия — место, где в случае идеального кристалла должен располагаться атом (ион), но в действительности его в этом положении нет.
rdf:langString
在晶體學中, 一個晶格空位是晶體的點缺陷之一。 當一個晶格格位上缺失了一個粒子（原子，離子甚至分子），這種缺陷既為晶格空位。除了被稱為晶質的缺陷的晶體本質上具有的不完整性外，晶格空位有時是由於溫度改變或受到輻射等外部因素造成的。 晶格空位自然存在於所有晶體。對於每一個小於該物質熔點的溫度，都存在一個晶格空位平衡濃度（具有空位的格位和其他格位的比率）。一些金屬在熔點溫度具有大約為0.1%的平衡濃度。 . 晶格空位的形成可以簡單的認為是晶體中的一個原子和它鄰近原子間的結合力被破壞的結果。當這個原子離開它原本所處的格位，它將受到晶體表面的拉扯，並和其它處於表面的原子間再度形成結合。 在任何已知溫度，產生一個空位所需的能量會因為產生的空位使晶體內部混亂化而減少。這種混亂度使用熵來度量。晶體每增加一個空位，其熵也會增加，表現為產生這些空位所需的總能量在減少。這些能量被稱為自由能，也是這個溫度下產生一個晶格空位平衡濃度所需的能量。 因為離子晶體最終要達到電荷平衡，它不能形成單一的空位（既其晶格空位必須成對出現）。離子晶體中的晶體空位可能由蕭特基缺陷或弗崙克爾缺陷形成。
rdf:langString
Eine Leerstelle (englisch vacancy) ist in der Kristallographie ein Platz in der regelmäßigen Anordnung von Atomen, Ionen oder Molekülen im Kristallgitter, der unbesetzt ist. Leerstellen entstehen bei der Kristallbildung selbst, werden aber auch durch nachträgliche Beeinflussungen des Kristalls beispielsweise durch Temperaturänderungen, Radioaktivität oder andere Strahlungsarten verursacht.
rdf:langString
En cristallographie, une lacune est un type de défaut ponctuel du cristal dû à l'absence d'un atome sur un site normalement occupé. La présence de lacunes permet (entre autres) d'expliquer les phénomènes de diffusion dans les matériaux. Son observation directe a été obtenue par quelques techniques de microscopie mais la caractérisation pratique de ces défauts ne se fait généralement qu'à travers ses effets sur les matériaux : changement de dimension, distorsion du réseau cristallin, modifications des propriétés électriques. Tels que : -T est la température.
rdf:langString
Un difetto di vacanza o vacanza reticolare è un difetto puntuale dei cristalli, dovuto all'assenza dal reticolo cristallino di uno o più atomi; tale assenza può essersi determinata durante la solidificazione a causa di disturbi locali o può essere stata creata da deformazioni plastiche o da un rapido raffreddamento.
rdf:langString
In crystallography, a vacancy is a type of point defect in a crystal where an atom is missing from one of the lattice sites. Crystals inherently possess imperfections, sometimes referred to as crystalline defects. Vacancies occur naturally in all crystalline materials. At any given temperature, up to the melting point of the material, there is an equilibrium concentration (ratio of vacant lattice sites to those containing atoms). At the melting point of some metals the ratio can be approximately 1:1000. This temperature dependence can be modelled by
rdf:langString
In de kristallografie is een vacature of vacature-defect een type puntdefect in een kristal waar een atoom of ion ontbreekt op een van de roosterplaatsen in een kristalrooster. Kristallen bezitten inherent onzuiverheden, die worden aangeduid als roosterdefecten. De vacature defect is een puntvormig roosterdefect.
rdf:langString
Wakans, wakancja, wakansja (z łac. vacat 'jest puste', od vacare 'być wolnym, pustym') – rodzaj defektu punktowego sieci krystalicznej, węzeł sieci nieobsadzony atomem lub jonem. Energię tworzenia wakansu (Ev) wyraża się jako pracę potrzebną do przeniesienia atomu lub jonu z węzła na powierzchnię kryształu. Od tej wartości zależy równowagowa koncentracja wakansów, wyrażana przez stosunek liczby węzłów (n) do liczby atomów (N); zależność n/N od temperatury (T) opisuje równanie (k – stała Boltzmanna):
rdf:langString
Вакансія (рос. вакансия, англ. vacancy, lattice vacancy; нім. Kristallbaufehler, Vakanz) — дефект кристалу, що полягає у відсутності атома або йона у вузлі кристалічної ґратки. Вакансія поряд із міжвузловим атомом належать до точкових дефектів кристалічної ґратки. Певна доля вакансій у твердому тілі утворюється внаслідок теплового руху. Проте основним джерелом вакансій і міжвузлових атомів є опромінення високоенергетичними частками: йонами, нейтронами чи гамма-квантами. В напівпровідниках вакансії можуть зв'язувати електрони, утворюючи заряджені комплекси.
rdf:langString
rdf:langString
عيب فراغي
rdf:langString
Leerstelle
rdf:langString
Lacune (cristallographie)
rdf:langString
Difetto di vacanza
rdf:langString
Wakans
rdf:langString
Vacature-defect
rdf:langString
Vacancy defect
rdf:langString
Вакансия (физика)
rdf:langString
Вакансія (кристалографія)
rdf:langString
晶格空位
xsd:integer
1674141
xsd:integer
1103091333
rdf:langString
العيوب الفراغية في علم البلورات هي نوع من أنواع العيوب البلورية في بنية البلورات، حيث يفتقد وجود ذرة في شبكة برافيه البلورية.
rdf:langString
Eine Leerstelle (englisch vacancy) ist in der Kristallographie ein Platz in der regelmäßigen Anordnung von Atomen, Ionen oder Molekülen im Kristallgitter, der unbesetzt ist. Leerstellen entstehen bei der Kristallbildung selbst, werden aber auch durch nachträgliche Beeinflussungen des Kristalls beispielsweise durch Temperaturänderungen, Radioaktivität oder andere Strahlungsarten verursacht. Durch die Leerstelle wird die perfekte Translationssymmetrie im Kristall gebrochen. Leerstellen gehören deshalb zu den Kristalldefekten (Gitterfehler). Genauer gesagt handelt es sich um Punktdefekte, weil nur punktuelle Veränderungen im Kristall auftreten (im Gegensatz zu Versetzungen, Korngrenzen und Stapelfehlern). Da Ionenkristalle zur Ladungsneutralität gezwungen sind, kann es hier nicht zu einem Einzeldefekt kommen.Stattdessen können Leerstellen in Ionenkristallen durch Schottky-Defekte oder Frenkel-Defekte entstehen.
rdf:langString
En cristallographie, une lacune est un type de défaut ponctuel du cristal dû à l'absence d'un atome sur un site normalement occupé. La présence de lacunes permet (entre autres) d'expliquer les phénomènes de diffusion dans les matériaux. Son observation directe a été obtenue par quelques techniques de microscopie mais la caractérisation pratique de ces défauts ne se fait généralement qu'à travers ses effets sur les matériaux : changement de dimension, distorsion du réseau cristallin, modifications des propriétés électriques. Les lacunes sont naturellement présentes dans les cristaux à des concentrations qui sont d'autant plus fortes que la température est proche de la température de fusion du matériau. Les lacunes augmentent l'énergie interne du cristal. Les lacunes peuvent être également produites par irradiation. Lors d'une collision entre un projectile (électron par exemple) et un atome du matériau, celui-ci peut être éjecté de son site lorsque l'énergie qui lui est communiquée est suffisante (supérieure à 25 eV par exemple). Il y a donc création de deux défauts, la lacune au site d'où a été éjecté l'atome et l'atome qui se retrouve dans un site interstitiel normalement inoccupé. L'agglomération des lacunes conduit à la formation d'amas de défauts de type boucles de dislocation ou cavités en présence de gaz.
* Pour créer un défaut pareil dans un cristal en pression constante, il faut appliquer une enthalpie libre Gf, appelée en chimie l'énergie de Gibbs (f signifie "formation" donc c'est l'énergie de formation) de forme générale : Gf=Hf-TSf Tels que : -Hf est l'enthalpie de formation, elle est indiscernable de l'énergie de formation Ef ou souvent appelée Uf. -Sf est l'entropie de formation, c'est une propriété liée au défaut ponctuel de ce point (un seul) résultant du désordre introduit dans le cristal en modifiant les propriétés vibratoires des atomes voisins. -T est la température.
rdf:langString
In crystallography, a vacancy is a type of point defect in a crystal where an atom is missing from one of the lattice sites. Crystals inherently possess imperfections, sometimes referred to as crystalline defects. Vacancies occur naturally in all crystalline materials. At any given temperature, up to the melting point of the material, there is an equilibrium concentration (ratio of vacant lattice sites to those containing atoms). At the melting point of some metals the ratio can be approximately 1:1000. This temperature dependence can be modelled by where Nv is the vacancy concentration, Qv is the energy required for vacancy formation, kB is the Boltzmann constant, T is the absolute temperature, and N is the concentration of atomic sites i.e. where m is mass, NA Avogadro constant, and M the molar mass. It is the simplest point defect. In this system, an atom is missing from its regular atomic site. Vacancies are formed during solidification due to vibration of atoms, local rearrangement of atoms, plastic deformation and ionic bombardments. The creation of a vacancy can be simply modeled by considering the energy required to break the bonds between an atom inside the crystal and its nearest neighbor atoms. Once that atom is removed from the lattice site, it is put back on the surface of the crystal and some energy is retrieved because new bonds are established with other atoms on the surface. However, there is a net input of energy because there are fewer bonds between surface atoms than between atoms in the interior of the crystal.
rdf:langString
Un difetto di vacanza o vacanza reticolare è un difetto puntuale dei cristalli, dovuto all'assenza dal reticolo cristallino di uno o più atomi; tale assenza può essersi determinata durante la solidificazione a causa di disturbi locali o può essere stata creata da deformazioni plastiche o da un rapido raffreddamento. Nei cristalli ionici (ad esempio il cloruro di sodio, NaCl) si distinguono in difetti di Schottky, e difetti di Frenkel. Da un punto di vista termodinamico sono stabili poiché, dopo essere stata esaurita l'energia necessaria ad attivare il processo, per creare altre vacanze il sistema dovrebbe ricevere altra energia.
rdf:langString
In de kristallografie is een vacature of vacature-defect een type puntdefect in een kristal waar een atoom of ion ontbreekt op een van de roosterplaatsen in een kristalrooster. Kristallen bezitten inherent onzuiverheden, die worden aangeduid als roosterdefecten. De vacature defect is een puntvormig roosterdefect. Het is het eenvoudigste puntdefect. In dit type roosterdefect ontbreekt een atoom op zijn reguliere atomaire plaats. Tijdens het stollen ontstaan vacatures door trilling van atomen, lokale herschikking van atomen (diffusie of diffusiekruip), plastische vervorming en ionenbombardementen.
rdf:langString
Wakans, wakancja, wakansja (z łac. vacat 'jest puste', od vacare 'być wolnym, pustym') – rodzaj defektu punktowego sieci krystalicznej, węzeł sieci nieobsadzony atomem lub jonem. Energię tworzenia wakansu (Ev) wyraża się jako pracę potrzebną do przeniesienia atomu lub jonu z węzła na powierzchnię kryształu. Od tej wartości zależy równowagowa koncentracja wakansów, wyrażana przez stosunek liczby węzłów (n) do liczby atomów (N); zależność n/N od temperatury (T) opisuje równanie (k – stała Boltzmanna): Poza wakansami pojedynczymi w sieciach krystalicznych – głównie w – występują pary wakansów, czyli wakanse podwójne (biwakanse), na przykład:
* defekty Frenkla – występujące w bliskiej odległości nie obsadzone węzły i jony w przestrzeniach międzywęzłowych
* defekty Schottky’ego – występujące obok siebie dwa nieobsadzone węzły – kationowy i anionowy. Obecność wakansów wpływa na właściwości materiałów, przykładowo plastyczność – sprzyja wspinaniu się dyslokacji krawędziowych (np. w czasie odkształcania), ułatwia dyfuzję (np. w czasie obróbki chemicznej stopów).
rdf:langString
Вакансія (рос. вакансия, англ. vacancy, lattice vacancy; нім. Kristallbaufehler, Vakanz) — дефект кристалу, що полягає у відсутності атома або йона у вузлі кристалічної ґратки. Вакансія поряд із міжвузловим атомом належать до точкових дефектів кристалічної ґратки. Певна доля вакансій у твердому тілі утворюється внаслідок теплового руху. Проте основним джерелом вакансій і міжвузлових атомів є опромінення високоенергетичними частками: йонами, нейтронами чи гамма-квантами. В напівпровідниках вакансії можуть зв'язувати електрони, утворюючи заряджені комплекси. При інтерсивному нейтронному опроміненні, наприклад у ядерному реакторі, вакансії можуть об'єднуватися в різноманітні комплекси із атомами домішок і утворювати вакансійні пори, які призводять до конструктивних матеріалів ядерних реакторів.
rdf:langString
Вака́нсия (от лат. vacans — пустующий, свободный) — дефект кристалла, представляющий собой узел, в котором отсутствует атом (ион). Иначе говоря, вакансия — место, где в случае идеального кристалла должен располагаться атом (ион), но в действительности его в этом положении нет.
rdf:langString
在晶體學中, 一個晶格空位是晶體的點缺陷之一。 當一個晶格格位上缺失了一個粒子（原子，離子甚至分子），這種缺陷既為晶格空位。除了被稱為晶質的缺陷的晶體本質上具有的不完整性外，晶格空位有時是由於溫度改變或受到輻射等外部因素造成的。 晶格空位自然存在於所有晶體。對於每一個小於該物質熔點的溫度，都存在一個晶格空位平衡濃度（具有空位的格位和其他格位的比率）。一些金屬在熔點溫度具有大約為0.1%的平衡濃度。 . 晶格空位的形成可以簡單的認為是晶體中的一個原子和它鄰近原子間的結合力被破壞的結果。當這個原子離開它原本所處的格位，它將受到晶體表面的拉扯，並和其它處於表面的原子間再度形成結合。 在任何已知溫度，產生一個空位所需的能量會因為產生的空位使晶體內部混亂化而減少。這種混亂度使用熵來度量。晶體每增加一個空位，其熵也會增加，表現為產生這些空位所需的總能量在減少。這些能量被稱為自由能，也是這個溫度下產生一個晶格空位平衡濃度所需的能量。 因為離子晶體最終要達到電荷平衡，它不能形成單一的空位（既其晶格空位必須成對出現）。離子晶體中的晶體空位可能由蕭特基缺陷或弗崙克爾缺陷形成。
xsd:nonNegativeInteger
4377
