Unijunction transistor
http://dbpedia.org/resource/Unijunction_transistor an entity of type: WikicatTransistors
ترانزستور وحيد الوصلة (بالإنجليزية: Unijunction Transistor) UJT هو ترانزستور من أشباه الموصلات له قاعدتين ومشع ويعمل كمفتاح تحكم كهربائي لأن له حالتين فقط حالة التوصيل وحالة الفصل.
rdf:langString
Der Unijunctiontransistor (Abkürzung: UJT), oft auch Doppelbasisdiode genannt, wurde 1953 in den Bell-Laboratorien entwickelt. Dieses Bauelement ist in der Elektronik ein Hybrid aus Diode und Transistor, ähnelt allerdings in mancher Hinsicht, wie auch der programmable unijunction transistor (PUT), einem Thyristor.
rdf:langString
Transistor pertemuan tunggal (UJT) adalah sebuah peranti semikonduktor elektronik yang hanya mempunyai satu pertemuan.
rdf:langString
Un transistore unigiunzione (Uni-junction transistor o UJT) è un dispositivo elettronico a semiconduttore.
rdf:langString
Tranzystor jednozłączowy (UJT) (ang. unijunction transistor (UJT)), zwany również diodą dwubazową – półprzewodnikowy element przełączający zawierający jedno złącze p-n i 3 elektrody (Emiter, Baza 1, Baza 2).
rdf:langString
Transistor de unijunção (UJT) é um transistor que pode ser utilizado em osciladores de baixa frequência, disparadores, estabilizadores, , dentes de serra e em sistemas temporizados.
rdf:langString
Одноперехідний транзистор (ОПТ) — напівпровідниковий прилад з трьома електродами і одним p-n переходом. Одноперехідний транзистор належить до сімейства тиристорів.
rdf:langString
Одноперехо́дный транзи́стор (двухбазовый диод, ОПТ) — полупроводниковый прибор с тремя электродами и одним p-n переходом. Однопереходный транзистор принадлежит к семейству полупроводниковых приборов с вольт-амперной характеристикой, имеющей участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением.
rdf:langString
單接合面電晶體 (Unijunction Transistor, 簡稱 UJT ),台湾称单接合面电晶体,是一種只具有一個 PN 接面的三端子半導體元件,三個端子分別是射極 (E)、基極一 (B1)、與基極二 (B2)。
rdf:langString
El transistor unijunció (en anglès UJT: UniJuntion Transistor) és un tipus de tiristor que conté dues zones semiconductores. Té tres terminals anomenats emissor (E), base un (B1) i base dos (B2). Està format per una barra semiconductora tipus N, entre els terminals B1-B2, en què es difon una regió tipus P+, l'emissor, en algun punt al llarg de la barra, el que determina el valor del paràmetre η, Standoff ràtio, conegut com a raó de resistències o factor intrínsec.
rdf:langString
El transistor uniunión o transistor unijuntura (UJT del inglés UniJuntion Transistor) es un tipo de transistor constituido por dos zonas semiconductoras y, por lo tanto, una juntura p-n. El nombre del dispositivo surge de esta última característica. Este componente electrónico posee tres terminales denominados emisor, base uno y base dos.
rdf:langString
Un transistor unijonction (souvent appelé UJT, d'après le sigle anglais "UniJonction Transistor") est une sorte de transistor qui n'est composé que d'une seule jonction. Appelé aussi "diode à double base", le transistor unijonction est un transistor bipolaire un peu particulier, qui possède trois connexions mais une seule jonction (d'où son nom). Ses trois électrodes sont nommées E (émetteur), B1 (base 1) et B2 (base 2).
rdf:langString
A unijunction transistor (UJT) is a three-lead electronic semiconductor device with only one junction that acts exclusively as an electrically controlled switch. The UJT is not used as a linear amplifier. It is used in free-running oscillators, synchronized or triggered oscillators, and pulse generation circuits at low to moderate frequencies (hundreds of kilohertz). It is widely used in the triggering circuits for silicon controlled rectifiers. In the 1960s, the low cost per unit, combined with its unique characteristic, warranted its use in a wide variety of applications like oscillators, pulse generators, saw-tooth generators, triggering circuits, phase control, timing circuits, and voltage- or current-regulated supplies. The original unijunction transistor types are now considered obso
rdf:langString
ユニジャンクショントランジスタ(Uni-junction transistor、UJT)は電子半導体部品である。UJTには二つの種類がある。
* 元来のUJTは、棒状のN型半導体で、P型半導体が結合したものである。たとえば、2N2646がある(日本ではUJTは2SHの型番。例えば、東芝の2SH21)。
* プログラマブルUJT(PUT)は、サイリスタに似た素子である。サイリスタのように、4つのPN層からなり、アノードとカソードが最初と最後の層に結合していて、ゲートがどちらか一方の層につながっている。元来のUJTとまったく同じというわけではないが、同じような機能を果たす。たとえば2N6027がある(日本では過去には何品種か生産されており、NECのN13T1(2004年廃番)がよく使われていた)。 いずれのタイプも、サイリスタのトリガー、あるいは弛張型発振回路の能動素子として用いられる。UJTのエミッタ電流に対するエミッタ電圧のグラフは負性抵抗領域を示し、このためUJTが有用なものとなっている。 UJTとPUTのもっとも重要な用途は、サイリスタ(SCR, トライアック)へのトリガーである。実際、直流の制御電圧増加に伴ってオンとなる時間が増加するよう、直流電圧もUJTやPUT回路を制御するのに使うことができる。この使い方は、大きな交流の制御に重要である。
rdf:langString
Een unijunctiontransistor (UJT) of eenjunctietransistor is een elektronische component die uit een staafje van het n-type halfgeleidermateriaal bestaat, waarin een pn-overgang is aangebracht. De naam verwijst ernaar dat er slechts één pn-overgang, een junction, is. Het is een component die voor een deel de eigenschappen van een transistor en voor een deel de eigenschappen van een diode heeft. Naast deze basisuitvoering van de UJT is er ook een programmable UJT of PUT, die wat bouw betreft meer op een thyristor lijkt.
rdf:langString
rdf:langString
ترانزستور وحيد الوصلة
rdf:langString
Transistor unijunció
rdf:langString
Unijunctiontransistor
rdf:langString
Transistor uniunión
rdf:langString
Transistor sambungan tunggal
rdf:langString
Transistor unijonction
rdf:langString
Transistore unigiunzione
rdf:langString
ユニジャンクショントランジスタ
rdf:langString
Unijunctiontransistor
rdf:langString
Tranzystor jednozłączowy
rdf:langString
Transistor de unijunção
rdf:langString
Unijunction transistor
rdf:langString
Однопереходный транзистор
rdf:langString
Одноперехідний транзистор
rdf:langString
單接合面電晶體
rdf:langString
Unijunction Transistor
xsd:integer
108824
xsd:integer
1107232198
rdf:langString
Unijunction transistors
xsd:integer
110
xsd:integer
100
rdf:langString
UJT N and P symbol
rdf:langString
El transistor unijunció (en anglès UJT: UniJuntion Transistor) és un tipus de tiristor que conté dues zones semiconductores. Té tres terminals anomenats emissor (E), base un (B1) i base dos (B2). Està format per una barra semiconductora tipus N, entre els terminals B1-B2, en què es difon una regió tipus P+, l'emissor, en algun punt al llarg de la barra, el que determina el valor del paràmetre η, Standoff ràtio, conegut com a raó de resistències o factor intrínsec. Quan el voltatge Veb1 sobrepassa un valor vp de ruptura, el UJT presenta un fenomen de modulació de resistència que, en augmentar el corrent que passa pel dispositiu, la resistència d'aquesta baixa i per això, també baixa el voltatge en el dispositiu, aquesta regió es diu regió de resistència negativa, aquest és un procés reiteratiu, de manera que aquesta regió no és estable, cosa que el fa excel·lent per commutar, per circuits de tir de tiristors i en oscil·ladors de relaxació.
rdf:langString
ترانزستور وحيد الوصلة (بالإنجليزية: Unijunction Transistor) UJT هو ترانزستور من أشباه الموصلات له قاعدتين ومشع ويعمل كمفتاح تحكم كهربائي لأن له حالتين فقط حالة التوصيل وحالة الفصل.
rdf:langString
El transistor uniunión o transistor unijuntura (UJT del inglés UniJuntion Transistor) es un tipo de transistor constituido por dos zonas semiconductoras y, por lo tanto, una juntura p-n. El nombre del dispositivo surge de esta última característica. Este componente electrónico posee tres terminales denominados emisor, base uno y base dos. A diferencia de otros transistores, este dispositivo no se utiliza en amplificación lineal, sino que se reserva para aplicaciones de conmutación como interruptor. Más específicamente, se utiliza ampliamente en los circuitos de disparo de los rectificadores controlados por silicio y TRIACs. También, su bajo costo y sus características, han garantizado su uso en una amplia variedad de aplicaciones como osciladores, generadores de impulsos, generadores de onda diente de sierra, control de fase, circuitos de temporización y fuentes reguladas de voltaje o corriente. Los transistores unijuntura originales se consideran obsoletos, sin embargo, un dispositivo multicapa denominado transistor unijuntura programable (PUT del inglés Programmable Unijuntion Transistor), desarrollado posteriormente, sigue estando ampliamente disponible.
rdf:langString
Der Unijunctiontransistor (Abkürzung: UJT), oft auch Doppelbasisdiode genannt, wurde 1953 in den Bell-Laboratorien entwickelt. Dieses Bauelement ist in der Elektronik ein Hybrid aus Diode und Transistor, ähnelt allerdings in mancher Hinsicht, wie auch der programmable unijunction transistor (PUT), einem Thyristor.
rdf:langString
Un transistor unijonction (souvent appelé UJT, d'après le sigle anglais "UniJonction Transistor") est une sorte de transistor qui n'est composé que d'une seule jonction. Appelé aussi "diode à double base", le transistor unijonction est un transistor bipolaire un peu particulier, qui possède trois connexions mais une seule jonction (d'où son nom). Ses trois électrodes sont nommées E (émetteur), B1 (base 1) et B2 (base 2). L'UJT est principalement utilisé pour la réalisation d'oscillateurs à relaxation, car il possède la particularité d'offrir une résistance négative dans une partie de sa courbe de caractéristiques. Un transistor unijonction peut être assimilé à une diode associée à un diviseur de tension.
rdf:langString
Transistor pertemuan tunggal (UJT) adalah sebuah peranti semikonduktor elektronik yang hanya mempunyai satu pertemuan.
rdf:langString
A unijunction transistor (UJT) is a three-lead electronic semiconductor device with only one junction that acts exclusively as an electrically controlled switch. The UJT is not used as a linear amplifier. It is used in free-running oscillators, synchronized or triggered oscillators, and pulse generation circuits at low to moderate frequencies (hundreds of kilohertz). It is widely used in the triggering circuits for silicon controlled rectifiers. In the 1960s, the low cost per unit, combined with its unique characteristic, warranted its use in a wide variety of applications like oscillators, pulse generators, saw-tooth generators, triggering circuits, phase control, timing circuits, and voltage- or current-regulated supplies. The original unijunction transistor types are now considered obsolete, but a later multi-layer device, the programmable unijunction transistor, is still widely available.
rdf:langString
ユニジャンクショントランジスタ(Uni-junction transistor、UJT)は電子半導体部品である。UJTには二つの種類がある。
* 元来のUJTは、棒状のN型半導体で、P型半導体が結合したものである。たとえば、2N2646がある(日本ではUJTは2SHの型番。例えば、東芝の2SH21)。
* プログラマブルUJT(PUT)は、サイリスタに似た素子である。サイリスタのように、4つのPN層からなり、アノードとカソードが最初と最後の層に結合していて、ゲートがどちらか一方の層につながっている。元来のUJTとまったく同じというわけではないが、同じような機能を果たす。たとえば2N6027がある(日本では過去には何品種か生産されており、NECのN13T1(2004年廃番)がよく使われていた)。 いずれのタイプも、サイリスタのトリガー、あるいは弛張型発振回路の能動素子として用いられる。UJTのエミッタ電流に対するエミッタ電圧のグラフは負性抵抗領域を示し、このためUJTが有用なものとなっている。 UJTとPUTのもっとも重要な用途は、サイリスタ(SCR, トライアック)へのトリガーである。実際、直流の制御電圧増加に伴ってオンとなる時間が増加するよう、直流電圧もUJTやPUT回路を制御するのに使うことができる。この使い方は、大きな交流の制御に重要である。 UJTは1箇所しか接合部を持たないため、ユニ(1つの)ジャンクション(接合)トランジスタという名を持つ。UJTには3つの端子がある。エミッタ(E1)と二つのベース(B1,B2)である。ベースは低濃度にドープされたN型シリコンバーから成る。二つの有抵抗電極B1,B2は両端にある。エミッタは高濃度にドープされたP型半導体である。エミッタがオープンのときのB1とB2の間の抵抗を、インターベース抵抗(ベース間抵抗)という。 現在、日本メーカー製造の2SH型番のUJT、PUTは全て廃品種となっている。
rdf:langString
Un transistore unigiunzione (Uni-junction transistor o UJT) è un dispositivo elettronico a semiconduttore.
rdf:langString
Een unijunctiontransistor (UJT) of eenjunctietransistor is een elektronische component die uit een staafje van het n-type halfgeleidermateriaal bestaat, waarin een pn-overgang is aangebracht. De naam verwijst ernaar dat er slechts één pn-overgang, een junction, is. Het is een component die voor een deel de eigenschappen van een transistor en voor een deel de eigenschappen van een diode heeft. Het staafje vormt een weerstand die zich tussen de twee basisaansluitingen B1 en B2 bevindt. Deze weerstand is in tweeën gedeeld en op dit aftakpunt is het N-gebied van de pn-overgang aangesloten. Het P-gebied, de emitter (E) ligt zodoende op een deel van de aangelegde spanning tussen B1 en B2. Zolang de spanning op E lager is dan deze spanning, spert de pn-overgang en gebeurt er niets. Als de spanning op E zo hoog wordt dat de pn-overgang gaat geleiden, daalt de weerstand in het betrokken deel van het kanaal sterk en kan de stroom door de emitter sterk toenemen. Van deze werking wordt gebruikgemaakt in de relaxatie-oscillator. Een condensator wordt tussen E en massa aangesloten, waarbij B1 via een laagohmige weerstand aan massa ligt. Deze condensator wordt via een weerstand geladen, bij het bereiken van een bepaalde spanning wordt deze via de emitter ontladen en deze cyclus zal zich vervolgens herhalen. Naast deze basisuitvoering van de UJT is er ook een programmable UJT of PUT, die wat bouw betreft meer op een thyristor lijkt.
* De gewone unijunctiontransistor is een eenvoudige component van het n-type halfgeleider, dat plaatselijk is gediffundeerd met p-materiaal. Beide bases zitten aan de einden van het n-materiaal, de emitter aan het p-gebied. De 2N2646 is een voorbeeld van een dergelijke component.
* De programmeerbare unijunctiontransistor is nauw verwant met de thyristor. Net als de thyristor bestaat deze uit twee p- en twee n-lagen en heeft een anode A en een kathode K die met de eerste en laatste laag wordt verbonden, en een poort die met een van de binnenlagen wordt verbonden. PUT's kunnen niet direct door gewone UJT's worden vervangen, maar hebben wel een vergelijkbare functie. De 2N6027 is een voorbeeld van een dergelijke component. Beide typen worden voornamelijk als trigger voor thyristors gebruikt en als actieve component in relaxatie-oscillatoren. De grafiek van emitterspanning als functie van de emitterstroom toont een gebied met negatieve differentieweerstand en van deze eigenschap wordt gebruikgemaakt.
rdf:langString
Tranzystor jednozłączowy (UJT) (ang. unijunction transistor (UJT)), zwany również diodą dwubazową – półprzewodnikowy element przełączający zawierający jedno złącze p-n i 3 elektrody (Emiter, Baza 1, Baza 2).
rdf:langString
Transistor de unijunção (UJT) é um transistor que pode ser utilizado em osciladores de baixa frequência, disparadores, estabilizadores, , dentes de serra e em sistemas temporizados.
rdf:langString
Одноперехідний транзистор (ОПТ) — напівпровідниковий прилад з трьома електродами і одним p-n переходом. Одноперехідний транзистор належить до сімейства тиристорів.
rdf:langString
Одноперехо́дный транзи́стор (двухбазовый диод, ОПТ) — полупроводниковый прибор с тремя электродами и одним p-n переходом. Однопереходный транзистор принадлежит к семейству полупроводниковых приборов с вольт-амперной характеристикой, имеющей участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением.
rdf:langString
單接合面電晶體 (Unijunction Transistor, 簡稱 UJT ),台湾称单接合面电晶体,是一種只具有一個 PN 接面的三端子半導體元件,三個端子分別是射極 (E)、基極一 (B1)、與基極二 (B2)。
rdf:langString
B2, B1, emitter
xsd:nonNegativeInteger
9547