Tungsten diselenide
http://dbpedia.org/resource/Tungsten_diselenide an entity of type: Thing
Wolframdiselenid (Wolfram(IV)-selenid) ist eine Halbleiterverbindung mit hexagonaler Symmetrie und der Summenformel WSe2. Er weist eine große Anisotropie der elektrischen Eigenschaften auf. Kristalle aus diesem Material bestehen aus Schichten der beiden Elemente (Wolfram und Selen), welche nur durch Van-der-Waals-Kräfte zusammengehalten werden. Innerhalb der jeweiligen Schicht der Verbindung bilden alle Valenzorbitale kovalente Bindungen, so dass es folglich auch an der Oberfläche keine freien Valenzelektronen gibt. Deshalb ist die Verbindung (wie andere Verbindungen die diese Art der chemischen Bindung aufweisen) an ihren Grenzflächen stabil und relativ frei von Kontaminationen, lässt sich jedoch entlang der Schichtebene sehr leicht spalten.
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Tungsten diselenide is an inorganic compound with the formula WSe2. The compound adopts a hexagonal crystalline structure similar to molybdenum disulfide. Every tungsten atom is covalently bonded to six selenium ligands in a trigonal prismatic coordination sphere while each selenium is bonded to three tungsten atoms in a pyramidal geometry. The tungsten–selenium bond has a length of 0.2526 nm, and the distance between selenium atoms is 0.334 nm. It is a well studied example of a layered material. The layers stack together via van der Waals interactions. WSe2 is a very stable semiconductor in the group-VI transition metal dichalcogenides.
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セレン化タングステン(IV)(Tungsten diselenide)は、化学式WSe2の無機化合物である。硫化モリブデン(IV)と似た六方晶構造である。全てのタングステン原子は、三角柱形分子構造で6つのセレン配位子に共有結合し、各々のセレン原子は四角錐形分子構造で3つのタングステン原子と結合している。タングステン-セレン結合の結合長は0.2526 nmであり、セレン原子間の距離は0.334 nmである。よく研究されているであり、層はファンデルワールス力により積み重なっている。第4属遷移金属の中では非常に安定な半導体である。
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Селенид вольфрама(IV) — неорганическое соединение, соль металла вольфрама и селеноводородной кислоты с формулой WSe2,серые кристаллы,не растворимые в воде.
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二硒化钨是分子式為WSe2的無機化合物,二硒化钨有類似二硫化鉬的六角形結構,每一個钨原子都和六個硒共價鍵結,是以三稜鏡的配位方式鍵結,每一個硒則是以角錐狀的組態和三個钨鍵結。钨和硒之間的鍵長為2.526 Å,硒和硒之間的鍵長為3.34 Å。各層之間是以凡得瓦力結合,二硒化钨是在第六族金属二硫属化物中非常穩定的半導體。
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Le diséléniure de tungstène est un composé chimique de formule WSe2. Il se présente sous la forme d'un solide gris anthracite à noir, inodore, cristallisé dans une structure hexagonale du groupe d'espace P63/mmc (no 194) semblable à celle du disulfure de molybdène MoS2. Chaque atome de tungstène est lié à six atomes de sélénium avec une configuration prismatique trigonale tandis que chaque atome de sélénium est lié à trois atomes de tungstène avec une géométrie pyramidale trigonale. Les liaisons W–Se ont une longueur de 252,6 pm, tandis que la distance entre atomes de sélénium est de 334 pm. Il s'agit d'un semiconducteur de type dichalcogénure de métal de transition du groupe 6.
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Diselenur de tungstè
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Wolframdiselenid
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Diséléniure de tungstène
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セレン化タングステン(IV)
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Tungsten diselenide
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Селенид вольфрама(IV)
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二硒化钨
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WSe2 monolayer on graphene and its atomic image
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Molybdenite-3D-balls.png
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STM of WSe2 on HOPG.jpg
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Wolframdiselenid (Wolfram(IV)-selenid) ist eine Halbleiterverbindung mit hexagonaler Symmetrie und der Summenformel WSe2. Er weist eine große Anisotropie der elektrischen Eigenschaften auf. Kristalle aus diesem Material bestehen aus Schichten der beiden Elemente (Wolfram und Selen), welche nur durch Van-der-Waals-Kräfte zusammengehalten werden. Innerhalb der jeweiligen Schicht der Verbindung bilden alle Valenzorbitale kovalente Bindungen, so dass es folglich auch an der Oberfläche keine freien Valenzelektronen gibt. Deshalb ist die Verbindung (wie andere Verbindungen die diese Art der chemischen Bindung aufweisen) an ihren Grenzflächen stabil und relativ frei von Kontaminationen, lässt sich jedoch entlang der Schichtebene sehr leicht spalten.
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Le diséléniure de tungstène est un composé chimique de formule WSe2. Il se présente sous la forme d'un solide gris anthracite à noir, inodore, cristallisé dans une structure hexagonale du groupe d'espace P63/mmc (no 194) semblable à celle du disulfure de molybdène MoS2. Chaque atome de tungstène est lié à six atomes de sélénium avec une configuration prismatique trigonale tandis que chaque atome de sélénium est lié à trois atomes de tungstène avec une géométrie pyramidale trigonale. Les liaisons W–Se ont une longueur de 252,6 pm, tandis que la distance entre atomes de sélénium est de 334 pm. Il s'agit d'un semiconducteur de type dichalcogénure de métal de transition du groupe 6. Outre cette structure hexagonale semiconductrice, il existe également une structure tétragonale métallique métastable qui tend à redonner la structure hexagonale. Le disléléniure de tungstène est un exemple classique de matériau en feuillets, maintenus ensemble par des forces de van der Waals comme dans le graphite. Au sein de chaque feuillet, les atomes sont liés par covalence sans laisser d'électron célibataire, de sorte que les surfaces sont chimiquement stables et fixent peu d'impuretés, tandis que les feuillets peuvent être facilement séparés les uns des autres. Ces feuillets ne sont cependant pas aussi fins que ceux du graphite, la grande taille de l'ion tungstène rendant la structure du WSe2 plus sensible aux actions extérieures que le disulfure de molybdène MoS2. On peut obtenir le diséléniure de tungstène directement à partir des éléments purs à 500 °C ou, plus finement, par pulvérisation cathodique afin de réaliser des dépôts de couches minces à structure hexagonale ayant la bonne stœchiométrie : W + 2 Se ⟶ WSe2. Les dichalcogénures de métaux de transition sont des semiconducteurs ayant des applications possibles dans les domaines des cellules photovoltaïques et de la photonique. Le diséléniure de tungstène a une largeur de bande interdite optique d'environ 1,35 eV avec une dépendance de température de −0,46 meV/K. Les photoélectrodes en WSe2 sont stables en conditions aussi bien acides que basiques, ce qui les rend intéressantes pour les cellules photoélectrochimiques. Les propriétés des monocouches de diséléniure de tungstène diffèrent de celles du matériau massif, comme c'est généralement le cas pour les semiconducteurs. Les monocouches exfoliées mécaniquement sont des matériaux photovoltaïques transparents ayant des propriétés de diode électroluminescente. Le diséléniure de tungstène peut être modifié en type p ou en type n en modifiant la tension électrique appliquée à une électrode métallique adjacente de positive à négative, ce qui permet de moduler la largeur de bande interdite des composés réalisés en WSe2.
* Vue au microscope électronique en transmission à balayage (STEM) d'une monocouche de diséléniure de tungstène à 500 °C montrant sa structure hexagonale avec ses défauts trifoliés. Outre ses applications photovoltaïques, le diséléniure de tungstène fait l'objet d'applications comme lubrifiant solide et comme substrat pour l'autoassemblage d'atomes métalliques sur ses surfaces. On a par ailleurs caractérisé le WSe2 comme un matériau ayant une conductivité thermique particulièrement faible en raison de sa structure en feuillets.
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Tungsten diselenide is an inorganic compound with the formula WSe2. The compound adopts a hexagonal crystalline structure similar to molybdenum disulfide. Every tungsten atom is covalently bonded to six selenium ligands in a trigonal prismatic coordination sphere while each selenium is bonded to three tungsten atoms in a pyramidal geometry. The tungsten–selenium bond has a length of 0.2526 nm, and the distance between selenium atoms is 0.334 nm. It is a well studied example of a layered material. The layers stack together via van der Waals interactions. WSe2 is a very stable semiconductor in the group-VI transition metal dichalcogenides.
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セレン化タングステン(IV)(Tungsten diselenide)は、化学式WSe2の無機化合物である。硫化モリブデン(IV)と似た六方晶構造である。全てのタングステン原子は、三角柱形分子構造で6つのセレン配位子に共有結合し、各々のセレン原子は四角錐形分子構造で3つのタングステン原子と結合している。タングステン-セレン結合の結合長は0.2526 nmであり、セレン原子間の距離は0.334 nmである。よく研究されているであり、層はファンデルワールス力により積み重なっている。第4属遷移金属の中では非常に安定な半導体である。
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Селенид вольфрама(IV) — неорганическое соединение, соль металла вольфрама и селеноводородной кислоты с формулой WSe2,серые кристаллы,не растворимые в воде.
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二硒化钨是分子式為WSe2的無機化合物,二硒化钨有類似二硫化鉬的六角形結構,每一個钨原子都和六個硒共價鍵結,是以三稜鏡的配位方式鍵結,每一個硒則是以角錐狀的組態和三個钨鍵結。钨和硒之間的鍵長為2.526 Å,硒和硒之間的鍵長為3.34 Å。各層之間是以凡得瓦力結合,二硒化钨是在第六族金属二硫属化物中非常穩定的半導體。
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