Subthreshold slope
http://dbpedia.org/resource/Subthreshold_slope
The subthreshold slope is a feature of a MOSFET's current–voltage characteristic. In the subthreshold region, the drain current behaviour – though being controlled by the gate terminal – is similar to the exponentially decreasing current of a forward biased diode. Therefore a plot of drain current versus gate voltage with drain, source, and bulk voltages fixed will exhibit approximately log linear behaviour in this MOSFET operating regime. Its slope is the subthreshold slope. The subthreshold slope is also the reciprocal value of the subthreshold swing Ss-th which is usually given as:
rdf:langString
Подпоро́говая крутизна́ (более точно: крутизна переходной [сток-затворной] характеристики в подпороговой области, англ. subthrehold slope) — показатель функциональности полевого транзистора при напряжениях исток-затвор ниже порогового напряжения . Определяется как . Часто используется обратная подпороговая крутизна (англ. subthrehold swing), , измеряемая в милливольтах на декаду, то есть на порядок изменения тока стока. мВ/дек. На практике значения несколько выше.
rdf:langString
Крутість стокозатворної (прохідної) характеристики у допороговій зоні (англ. Subthreshold slope) є специфічною характеристикою вольт-амперної залежності польового МДН транзистора (англ. MOSFET). У моделі MOSFET передбачалося, що струм протікає через канал транзистора лише тоді, коли напруга затвор-витік перевищує певне порогове значення . Насправді струм тече навіть тоді, коли нижче порогової напруги, але він на порядок слабший, ніж струми при сильній інверсії. Інверсійний шар, який спостерігається при сильній інверсії, у цьому випадку ледь видно, і цей режим також можна назвати слабкою інверсією. Тобто, підпорогова зона - це зона
rdf:langString
rdf:langString
Pendent del subllindar
rdf:langString
Subthreshold slope
rdf:langString
Подпороговая крутизна
rdf:langString
Крутість прохідної характеристики у допороговій зоні
xsd:integer
21718429
xsd:integer
1070272774
rdf:langString
The subthreshold slope is a feature of a MOSFET's current–voltage characteristic. In the subthreshold region, the drain current behaviour – though being controlled by the gate terminal – is similar to the exponentially decreasing current of a forward biased diode. Therefore a plot of drain current versus gate voltage with drain, source, and bulk voltages fixed will exhibit approximately log linear behaviour in this MOSFET operating regime. Its slope is the subthreshold slope. The subthreshold slope is also the reciprocal value of the subthreshold swing Ss-th which is usually given as: = depletion layer capacitance = gate-oxide capacitance = thermal voltage The minimum subthreshold swing of a conventional device can be found by letting and/or , which yield (known as thermionic limit) and 60 mV/dec at room temperature (300 K). A typical experimental subthreshold swing for a scaled MOSFET at room temperature is ~70 mV/dec, slightly degraded due to short-channel MOSFET parasitics. A dec (decade) corresponds to a 10 times increase of the drain current ID. A device characterized by steep subthreshold slope exhibits a faster transition between off (low current) and on (high current) states.
rdf:langString
Подпоро́говая крутизна́ (более точно: крутизна переходной [сток-затворной] характеристики в подпороговой области, англ. subthrehold slope) — показатель функциональности полевого транзистора при напряжениях исток-затвор ниже порогового напряжения . Определяется как . Часто используется обратная подпороговая крутизна (англ. subthrehold swing), , измеряемая в милливольтах на декаду, то есть на порядок изменения тока стока. Для технических целей желательны увеличение крутизны и, соответственно, минимизация величины обратной крутизны. В идеале, в подпороговом режиме характеристика должна иметь экспоненциальный вид ( — постоянная Больцмана, — температура, — элементарный заряд, const), а линия являться прямой, как для прямосмещённого p-n-перехода. Поэтому при температуре 300 К идеальная обратная крутизна составляет мВ/дек. На практике значения несколько выше. Нередки неточности терминологии, когда «крутизной» в данном контексте называется и собственно крутизна, и обратная крутизна, но обычно сразу понятно, о чём идёт речь.
rdf:langString
Крутість стокозатворної (прохідної) характеристики у допороговій зоні (англ. Subthreshold slope) є специфічною характеристикою вольт-амперної залежності польового МДН транзистора (англ. MOSFET). У моделі MOSFET передбачалося, що струм протікає через канал транзистора лише тоді, коли напруга затвор-витік перевищує певне порогове значення . Насправді струм тече навіть тоді, коли нижче порогової напруги, але він на порядок слабший, ніж струми при сильній інверсії. Інверсійний шар, який спостерігається при сильній інверсії, у цьому випадку ледь видно, і цей режим також можна назвати слабкою інверсією. Тобто, підпорогова зона - це зона У підпороговій зоні струм витоку , хоч і контролюється затвором, веде себе подібно до струму діода у прямому включенні - експоненційно зростає . Тому графік залежності струму витоку від напруги затвора при сталій напрузі стоку-витоку буде демонструвати приблизно лінійну залежність. Її нахил - це і є крутість прохідної характеристики. Крутість прохідної характеристики у допороговій зоні є зворотньою функцією допорогового розмаху (англ. Subthreshold swing) Ss-th, яке зазвичай визначається як: - ємність збідненого шару; - ємність ізольованого затвору (gate-oxide capacitance); - термальна напруга; Мінімум цієї функції можна знайти, наблизивши та / або , як результат отримаємо (термоіонна межа) 60 /декаду при кімнатній температурі (300 К). Типове експериментальне значення для масштабованого MOSFET при кімнатній температурі становить ~ 70 мВ/дек, незначно деградуючи завдяки короткоканальним ефектам. Дек відповідає 10-кратному збільшення струму стоку . Пристрій, що має крутішу прохідну характеристику, демонструє більш швидкий перехід між вимкненим (струмом незначний) та відкритим станом.
xsd:nonNegativeInteger
3769