Semiconductor diode

http://dbpedia.org/resource/Semiconductor_diode an entity of type: Thing

Polovodičová dioda je elektrotechnická součástka, dioda, jejímž úkolem v elektrickém obvodu je propouštět elektrický proud jedním směrem. Podle konstrukce slouží k usměrňování elektrického proudu (přeměna střídavého proudu na stejnosměrný proud), ke stabilizaci elektrického napětí nebo k signalizaci průchodu proudu. rdf:langString
PN 다이오드는 PN 접합을 기본으로한 의 유형이다. 다이오드는 한 방향으로 만 전류를 전도하며, 이 n형 반도체 층과 p형 반도체 층을 접합함으로써 이루어진다. 반도체 다이오드는 전류, 무선신호의 검출, 발광을 지시하는 교류 전류와 광선을 검출하는 정류 등 다양한 용도를 지니고 있다. rdf:langString
Полупроводнико́вый диод — полупроводниковый прибор, в широком смысле — электронный прибор, изготовленный из полупроводникового материала, имеющий два электрических вывода (электрода). В более узком смысле — полупроводниковый прибор, во внутренней структуре которого сформирован один p-n-переход. В отличие от других типов диодов (например, вакуумных), принцип действия полупроводниковых диодов основывается на различных физических явлениях переноса зарядов в твердотельном полупроводнике и взаимодействии их с электромагнитным полем в полупроводнике. rdf:langString
Il diodo a giunzione è un diodo a semiconduttore molto diffuso nell'ambito dell'elettronica a stato solido. È stato il primo dispositivo a semiconduttore reso disponibile commercialmente negli anni 1940. rdf:langString
Dioda półprzewodnikowa – element elektroniczny należący do rodziny diod, zawierający w swojej strukturze złącze „p-n” wykonane z materiałów półprzewodnikowych. Jest to nieliniowy, dwukońcówkowy element, którego wyprowadzenie przymocowane do warstwy „p” ( positive) nazywane jest anodą, a do warstwy „n” ( negative) katodą. Jedną z głównych zalet diod jest prąd płynący tylko w jednym kierunku (od anody do katody) po spolaryzowaniu złącza „p-n” napięciem w kierunku przewodzenia (gdy napięcie na anodzie jest większe niż na katodzie). Natomiast po spolaryzowaniu złącza „p-n” napięciem w kierunku zaporowym (napięcie na anodzie jest mniejsze niż na katodzie), „ujemny” prąd nie zostanie przepuszczony przez diodę i przez to możemy nazwać ją zaworem elektrycznym, umożliwiającym przepływ prądu jedynie rdf:langString
Напівпровіднико́вий діо́д (англ. semiconductor (crystal) diode) — напівпровідниковий прилад з одним випрямним електричним переходом і двома зовнішніми виводами. На відміну від інших типів діодів, принцип дії напівпровідникового діода ґрунтується на явищі p-n переходу. Випрямним електричним переходом в напівпровідникових діодах може бути електронно-дірковий перехід, гіперперехід або контакт метал-напівпровідник. rdf:langString
rdf:langString Díode p–n
rdf:langString Polovodičová dioda
rdf:langString Pn-Diode
rdf:langString Halbleiterdiode
rdf:langString Diodo a giunzione
rdf:langString PN 다이오드
rdf:langString Dioda półprzewodnikowa
rdf:langString Semiconductor diode
rdf:langString Полупроводниковый диод
rdf:langString Напівпровідниковий діод
xsd:integer 4051196
xsd:integer 1124001853
rdf:langString Polovodičová dioda je elektrotechnická součástka, dioda, jejímž úkolem v elektrickém obvodu je propouštět elektrický proud jedním směrem. Podle konstrukce slouží k usměrňování elektrického proudu (přeměna střídavého proudu na stejnosměrný proud), ke stabilizaci elektrického napětí nebo k signalizaci průchodu proudu.
rdf:langString PN 다이오드는 PN 접합을 기본으로한 의 유형이다. 다이오드는 한 방향으로 만 전류를 전도하며, 이 n형 반도체 층과 p형 반도체 층을 접합함으로써 이루어진다. 반도체 다이오드는 전류, 무선신호의 검출, 발광을 지시하는 교류 전류와 광선을 검출하는 정류 등 다양한 용도를 지니고 있다.
rdf:langString Il diodo a giunzione è un diodo a semiconduttore molto diffuso nell'ambito dell'elettronica a stato solido. È stato il primo dispositivo a semiconduttore reso disponibile commercialmente negli anni 1940. Viene realizzato utilizzando prevalentemente cristalli di silicio drogati ad un'estremità (chiamata zona p) con atomi trivalenti (per es. boro) ed all'altra (chiamata zona n) con atomi pentavalenti (per es. fosforo). Tra la zona p e la zona n si crea una stretta zona di transizione in cui, a causa della variazione brusca nel tipo del drogaggio del semiconduttore (da cui il nome giunzione p-n), si crea una barriera di potenziale. Nella figura precedente, è schematizzato il cristallo di Silicio, con la zona n (a destra) drogata con gli atomi di Fosforo e la zona p (a sinistra) drogata con gli atomi di Boro; nel contempo, è possibile fare un parallelo con il simbolo circuitale del diodo: la zona n corrisponde alla parte a destra, quella con la sbarra orizzontale, ed il terminale corrispondente viene chiamato usualmente catodo, mentre la zona p corrisponde alla parte a sinistra, quella con il triangolo, ed il corrispondente terminale viene chiamato usualmente anodo.
rdf:langString Dioda półprzewodnikowa – element elektroniczny należący do rodziny diod, zawierający w swojej strukturze złącze „p-n” wykonane z materiałów półprzewodnikowych. Jest to nieliniowy, dwukońcówkowy element, którego wyprowadzenie przymocowane do warstwy „p” ( positive) nazywane jest anodą, a do warstwy „n” ( negative) katodą. Jedną z głównych zalet diod jest prąd płynący tylko w jednym kierunku (od anody do katody) po spolaryzowaniu złącza „p-n” napięciem w kierunku przewodzenia (gdy napięcie na anodzie jest większe niż na katodzie). Natomiast po spolaryzowaniu złącza „p-n” napięciem w kierunku zaporowym (napięcie na anodzie jest mniejsze niż na katodzie), „ujemny” prąd nie zostanie przepuszczony przez diodę i przez to możemy nazwać ją zaworem elektrycznym, umożliwiającym przepływ prądu jedynie w jednym kierunku. Diody te są elementami nieliniowymi. Nieliniowość diod półprzewodnikowych polega na tym, że przy stałej temperaturze złącza występujące na nich napięcie wzrasta proporcjonalnie do logarytmu naturalnego płynącego przez nie prądu według przybliżonego (nie jest uwzględniony prąd nasycenia złącza) wzoru: W temperaturze 27 °C stała UT ma wartość 25,85 mV. Wynika z tego, że każdy (np. dziesięciokrotny) wzrost prądu powoduje przyrost napięcia o stałą wartość. Przedstawienie charakterystyki diody w liniowej funkcji prądu prowadzi do często spotykanego, acz niefortunnie w przypadku diody półprzewodnikowej stosowanego, pojęcia tzw. napięcia progowego (Vd).Wynika ono tylko z właściwości funkcji logarytmicznej przedstawianej liniowo. Różnicę obrazują zamieszczone obok charakterystyki napięciowo-prądowe: liniowa i logarytmiczna.
rdf:langString Полупроводнико́вый диод — полупроводниковый прибор, в широком смысле — электронный прибор, изготовленный из полупроводникового материала, имеющий два электрических вывода (электрода). В более узком смысле — полупроводниковый прибор, во внутренней структуре которого сформирован один p-n-переход. В отличие от других типов диодов (например, вакуумных), принцип действия полупроводниковых диодов основывается на различных физических явлениях переноса зарядов в твердотельном полупроводнике и взаимодействии их с электромагнитным полем в полупроводнике.
rdf:langString Напівпровіднико́вий діо́д (англ. semiconductor (crystal) diode) — напівпровідниковий прилад з одним випрямним електричним переходом і двома зовнішніми виводами. На відміну від інших типів діодів, принцип дії напівпровідникового діода ґрунтується на явищі p-n переходу. Випрямним електричним переходом в напівпровідникових діодах може бути електронно-дірковий перехід, гіперперехід або контакт метал-напівпровідник. Випрямний перехід, окрім ефекту випрямлення, має й інші властивості, що використовуються для створення різних видів напівпровідникових діодів: випрямних діодів, стабілітронів, лавинно-пролітних діодів, тунельних діодів, варикапів та інших. Тому напівпровідникові діоди поділяють: на випрямні, високочастотні та надвисокочастотні, імпульсні, опірні (стабілітрони), чотиришарові перемикаючі PIN-діоди, фотодіоди, світлодіоди, тунельні діоди та інші.
xsd:nonNegativeInteger 41

data from the linked data cloud