Schottky transistor
http://dbpedia.org/resource/Schottky_transistor an entity of type: Drug
ترانزستور شوتكي هو مزيج من الترانزستور ووصلة شوتكي الذي يمنع الترانزستور من التشبع عن طريق تحويل تيار الإدخال الزائد. ويسمى أيضًا ترانزستور شوتكي مثبت.
rdf:langString
A Schottky transistor is a combination of a transistor and a Schottky diode that prevents the transistor from saturating by diverting the excessive input current. It is also called a Schottky-clamped transistor.
rdf:langString
쇼트키 트랜지스터(schottky transistor, schottky-clamped transistor라고도 함)는 BJT와 (schottky diode)를 결합한 트랜지스터이다. 쇼트키 다이오드에 의해 과도한 포화모드의 전류가 흐리지 않도록 동작한다. 따라서 일반 트랜지스터 비해 고속 동작이 가능하다. 논리게이트 등에 적용하여 빠른 상태변화가 가능하도록 동작한다. 의 74S, 74LS에 널리 사용되었다.
rdf:langString
Il transistor Schottky, dal nome del fisico tedesco Walter Schottky, è un tipo di transistore bipolare che si ottiene inserendo un diodo Schottky tra la base e il collettore (anodo alla base e catodo al collettore nel caso di un transistore di tipo npn). In questa maniera si evita che il dispositivo vada in saturazione e si rende più veloce la commutazione; la presenza del diodo impedisce infatti che la tensione diretta applicata alla giunzione base-collettore superi il potenziale di accensione.
rdf:langString
Транзистор Шоттки — электронный компонент, представляющий собой комбинацию из биполярного транзистора и диода Шоттки.
rdf:langString
Um Transistor Schottky é uma combinação de um transistor e um diodo Schottky que previne o transistor de saturar por desviar a corrente em excesso na entrada.
rdf:langString
Schottky-TTL (S-TTL) ist eine Logikfamilie, die eine bestimmte Halbleitertechnologie für integrierte Schaltkreise (ICs) bezeichnet. Sie verwenden für die Transistoren der 2. Stufe (das 2.T bzw. die Push-pull-Stufe), je eine Schottky-Diode als negative Rückkopplung (vergl. Operationsverstärker). Diese Transitoren werden nämlich in Common-Emitter-Konfiguration verwendet. Dabei wird normalerweise die Spannung und der Strom invertiert verstärkt. Während die Transistoren für eine steile Flanke zwischen den TTL-Spannungsniveaus sorgen, verhindern die kleinen Dioden mit also geringer Kapazität, dass weit jenseits der hi oder low Spannung übergeschwungen wird. Aufgrund der hohen Stromverstärkung belastet die Rückkopplung den Verstärker kaum, obwohl natürlich der Leistungsbedarf etwas steigt.
rdf:langString
Tranzystor Schottky’ego – tranzystor bipolarny w którym równolegle do złącza baza-kolektor umieszczono diodę Schottky’ego w celu zwiększenia szybkości przełączania. Tranzystor bipolarny po przekroczeniu pewnego prądu bazy nasyca się. W stanie nasycenia potencjał kolektora jest niższy od potencjału bazy (mowa o tranzystorze npn), ponadto prąd kolektora nie wzrasta wraz ze zwiększaniem prądu bazy lub wzrost ten jest nieznaczny – nie jest wtedy prawdziwe równanie opisujące stan aktywny tranzystora IC = β·IB. W stanie nasycenia analogiczna zależność wygląda następująco:
rdf:langString
rdf:langString
ترانزستور شوتكي
rdf:langString
Transistor Schottky
rdf:langString
Schottky-TTL
rdf:langString
Transistor Schottky
rdf:langString
쇼트키 트랜지스터
rdf:langString
Tranzystor Schottky’ego
rdf:langString
Schottky transistor
rdf:langString
Транзистор Шоттки
rdf:langString
Transistor Schottky
xsd:integer
25087406
xsd:integer
1091085205
rdf:langString
ترانزستور شوتكي هو مزيج من الترانزستور ووصلة شوتكي الذي يمنع الترانزستور من التشبع عن طريق تحويل تيار الإدخال الزائد. ويسمى أيضًا ترانزستور شوتكي مثبت.
rdf:langString
Schottky-TTL (S-TTL) ist eine Logikfamilie, die eine bestimmte Halbleitertechnologie für integrierte Schaltkreise (ICs) bezeichnet. Sie verwenden für die Transistoren der 2. Stufe (das 2.T bzw. die Push-pull-Stufe), je eine Schottky-Diode als negative Rückkopplung (vergl. Operationsverstärker). Diese Transitoren werden nämlich in Common-Emitter-Konfiguration verwendet. Dabei wird normalerweise die Spannung und der Strom invertiert verstärkt. Während die Transistoren für eine steile Flanke zwischen den TTL-Spannungsniveaus sorgen, verhindern die kleinen Dioden mit also geringer Kapazität, dass weit jenseits der hi oder low Spannung übergeschwungen wird. Aufgrund der hohen Stromverstärkung belastet die Rückkopplung den Verstärker kaum, obwohl natürlich der Leistungsbedarf etwas steigt. Sie setzt sogenannte „Schottky-Transistoren“ ein, um die Schaltzeiten und Durchlaufzeiten durch Logikgatter gegenüber der herkömmlichen Transistor-Transistor-Logik (TTL), basierend auf Bipolartransistoren, zu reduzieren.
rdf:langString
A Schottky transistor is a combination of a transistor and a Schottky diode that prevents the transistor from saturating by diverting the excessive input current. It is also called a Schottky-clamped transistor.
rdf:langString
쇼트키 트랜지스터(schottky transistor, schottky-clamped transistor라고도 함)는 BJT와 (schottky diode)를 결합한 트랜지스터이다. 쇼트키 다이오드에 의해 과도한 포화모드의 전류가 흐리지 않도록 동작한다. 따라서 일반 트랜지스터 비해 고속 동작이 가능하다. 논리게이트 등에 적용하여 빠른 상태변화가 가능하도록 동작한다. 의 74S, 74LS에 널리 사용되었다.
rdf:langString
Tranzystor Schottky’ego – tranzystor bipolarny w którym równolegle do złącza baza-kolektor umieszczono diodę Schottky’ego w celu zwiększenia szybkości przełączania. Tranzystor bipolarny po przekroczeniu pewnego prądu bazy nasyca się. W stanie nasycenia potencjał kolektora jest niższy od potencjału bazy (mowa o tranzystorze npn), ponadto prąd kolektora nie wzrasta wraz ze zwiększaniem prądu bazy lub wzrost ten jest nieznaczny – nie jest wtedy prawdziwe równanie opisujące stan aktywny tranzystora IC = β·IB. W stanie nasycenia analogiczna zależność wygląda następująco: S·IC = β·IB, gdzie S > 1 jest współczynnikiem nasycenia. Zjawisko nasycenia jest niekorzystne ponieważ powoduje wydłużenie czasu wyłączania tranzystora. To wydłużenie jest tym większe im większy jest współczynnik nasycenia. Dlatego w szybkich układach cyfrowych dąży się do tego, by tranzystory nie wchodziły w stan głębokiego nasycenia. Jedną z metod jest zastosowanie diody Schottky’ego połączonej w sposób widoczny na schemacie zastępczym zamieszczonym obok. Ponieważ dioda Schottky’ego ma małe napięcie przewodzenia (ok. 0,3 V), zaczyna przewodzić zanim tranzystor wejdzie w stan nasycenia i potencjał kolektora spadnie poniżej potencjału bazy. Przejmuje w ten sposób prąd bazy, którego wzrost spowodowałby większe nasycenie. Taki układ nazywany jest tranzystorem Schottky’ego. Tranzystorów Schottky’ego nie spotyka się jako elementy dyskretne. Są realizowane układowo lub w strukturach układów scalonych (serie TTL – S, TTL – LS).
rdf:langString
Il transistor Schottky, dal nome del fisico tedesco Walter Schottky, è un tipo di transistore bipolare che si ottiene inserendo un diodo Schottky tra la base e il collettore (anodo alla base e catodo al collettore nel caso di un transistore di tipo npn). In questa maniera si evita che il dispositivo vada in saturazione e si rende più veloce la commutazione; la presenza del diodo impedisce infatti che la tensione diretta applicata alla giunzione base-collettore superi il potenziale di accensione.
rdf:langString
Транзистор Шоттки — электронный компонент, представляющий собой комбинацию из биполярного транзистора и диода Шоттки.
rdf:langString
Um Transistor Schottky é uma combinação de um transistor e um diodo Schottky que previne o transistor de saturar por desviar a corrente em excesso na entrada.
xsd:nonNegativeInteger
5543
