Schottky effect
http://dbpedia.org/resource/Schottky_effect an entity of type: Thing
Der Schottky-Effekt bewirkt die Verringerung der Austrittsarbeit für Elektronen an einer Metalloberfläche durch eine hohe elektrische Feldstärke im Außenraum. Dieser Effekt tritt bei Glühkathoden (Metall-Vakuum-Grenzfläche) und auch bei Schottky-Kontakten (Metall-Halbleiter-Kontakten) wie in den Schottky-Dioden auf. Der Effekt wurde nach dem deutschen Physiker Walter Schottky benannt.
rdf:langString
ショットキー効果（ショットキーこうか、Schottky effect）は、導体表面に強い電界を与えることでポテンシャルエネルギー（ポテンシャル障壁）が低下し、熱電子が放出しやすくなる現象のこと（熱電子放出参照）。その名はヴァルター・ショットキーにちなむ。 外部から与えられた電界で、導体表面は電界によるポテンシャル障壁の低下が起こり、熱電子を放出するのに必要な熱エネルギーは低くなる。要は、熱電子放出を電界によってアシストするものである。そのため、熱エネルギーのみで電子を放出させるよりも、電界と熱エネルギーを組み合わせた方が電子を放出させるエネルギーは少なくて済み、同じ電流密度を得るための効率は後者の方が高い。デバイスの低電力化や寿命の向上に繋がり、SEMやTEMといった電子顕微鏡の電子放出源に用いられている。
rdf:langString
Efeito Schottky é o fenômeno da queda de tensão em semicondutor diodo, revelando espontâneas variações na corrente de alto vácuo e tubos de descarga. Uma variação referente à circulação de zonas de campo elétrico de altos valores seria o , essencial na fabricação de transmissores de baixa e média potência, sistemas de sensoriamento de proximidade, e em topologias de circuito como oscilador local e de bloqueio.
rdf:langString
L'effet Schottky ou amplification par effet de champ de l'émission thermoionique est un phénomène en physique de la matière condensée nommé d'après Walter Schottky. Dans les appareils émetteurs d'électrons, en particulier les canons à électrons, l'émetteur d'électron thermionique subira une différence de potentiel négative par rapport à son environnement. Ceci crée un champ électrique d'intensité F à la surface de l'émetteur. Sans le champ, la barrière de surface, vue par un électron s'échappant du niveau de Fermi à une hauteur W, est égale au travail de sortie local. Le champ électrique abaisse cette barrière d'une quantité ΔW, et accroît ainsi l'émission de courant. Ceci peut être modélisé par une simple modification de l'équation de Richardson, en remplaçant W par (W − ΔW). Cette équati
rdf:langString
The Schottky effect or field enhanced thermionic emission is a phenomenon in condensed matter physics named after Walter H. Schottky. In electron emission devices, especially electron guns, the thermionic electron emitter will be biased negative relative to its surroundings. This creates an electric field of magnitude F at the emitter surface. Without the field, the surface barrier seen by an escaping Fermi-level electron has height W equal to the local work-function. The electric field lowers the surface barrier by an amount ΔW, and increases the emission current. It can be modeled by a simple modification of the Richardson equation, by replacing W by (W − ΔW). This gives the equation
rdf:langString
Эмиссии электронов из металла препятствует потенциальный барьер. Снижение этого барьера по мере увеличения прилагаемого внешнего электрического поля называется эффектом Шоттки (был предсказан Вальтером Шоттки в 1938 году). Рассмотрим сначала систему металл-вакуум. Минимальная энергия, которую необходимо передать электрону на уровне Ферми, чтобы он покинул металл, называется работой выхода ( измеряется в электронвольтах). Для типичных металлов величина колеблется в районе 2—6 эВ и чувствительна к загрязнению поверхности.
rdf:langString
Емісії електронів з металу перешкоджає потенційний бар'єр, який утворюється за рахунок електричних сил. Зниження цього бар'єра при збільшенні прикладеного зовнішнього електричного поля називається ефектом Шотткі. Розглянемо спочатку систему метал-вакуум. Мінімальна енергія, яка необхідна для переходу електрону із рівня Фермі у вакуум, називається роботою виходу ( вимірюється у електронвольтах, еВ). Для типових металів величина коливається в межах 2÷6 еВ і є дуже чутливою до забруднення поверхні.... , еВ. см, В. .
rdf:langString
rdf:langString
Schottky-Effekt
rdf:langString
Effet Schottky
rdf:langString
ショットキー効果
rdf:langString
Schottky effect
rdf:langString
Эффект Шоттки
rdf:langString
Efeito Schottky
rdf:langString
Ефект Шотткі
xsd:integer
2484577
xsd:integer
1060101868
rdf:langString
Der Schottky-Effekt bewirkt die Verringerung der Austrittsarbeit für Elektronen an einer Metalloberfläche durch eine hohe elektrische Feldstärke im Außenraum. Dieser Effekt tritt bei Glühkathoden (Metall-Vakuum-Grenzfläche) und auch bei Schottky-Kontakten (Metall-Halbleiter-Kontakten) wie in den Schottky-Dioden auf. Der Effekt wurde nach dem deutschen Physiker Walter Schottky benannt.
rdf:langString
The Schottky effect or field enhanced thermionic emission is a phenomenon in condensed matter physics named after Walter H. Schottky. In electron emission devices, especially electron guns, the thermionic electron emitter will be biased negative relative to its surroundings. This creates an electric field of magnitude F at the emitter surface. Without the field, the surface barrier seen by an escaping Fermi-level electron has height W equal to the local work-function. The electric field lowers the surface barrier by an amount ΔW, and increases the emission current. It can be modeled by a simple modification of the Richardson equation, by replacing W by (W − ΔW). This gives the equation where J is the emission current density, T is the temperature of the metal, W is the work function of the metal, k is the Boltzmann constant, qe is the Elementary charge, ε0 is the vacuum permittivity, and AG is the product of a universal constant A0 multiplied by a material-specific correction factor λR which is typically of order 0.5. Electron emission that takes place in the field-and-temperature-regime where this modified equation applies is often called Schottky emission. This equation is relatively accurate for electric field strengths lower than about 108 V m−1. For electric field strengths higher than 108 V m−1, so-called Fowler–Nordheim (FN) tunneling begins to contribute significant emission current. In this regime, the combined effects of field-enhanced thermionic and field emission can be modeled by the Murphy–Good equation for thermo-field (T-F) emission. At even higher fields, FN tunneling becomes the dominant electron emission mechanism, and the emitter operates in the so-called "cold field electron emission (CFE)" regime. Thermionic emission can also be enhanced by interaction with other forms of excitation such as light. For example, excited Cs-vapours in thermionic converters form clusters of Cs-Rydberg matter which yield a decrease of collector emitting work function from 1.5 eV to 1.0–0.7 eV. Due to long-lived nature of Rydberg matter this low work function remains low which essentially increases the low-temperature converter’s efficiency.
rdf:langString
L'effet Schottky ou amplification par effet de champ de l'émission thermoionique est un phénomène en physique de la matière condensée nommé d'après Walter Schottky. Dans les appareils émetteurs d'électrons, en particulier les canons à électrons, l'émetteur d'électron thermionique subira une différence de potentiel négative par rapport à son environnement. Ceci crée un champ électrique d'intensité F à la surface de l'émetteur. Sans le champ, la barrière de surface, vue par un électron s'échappant du niveau de Fermi à une hauteur W, est égale au travail de sortie local. Le champ électrique abaisse cette barrière d'une quantité ΔW, et accroît ainsi l'émission de courant. Ceci peut être modélisé par une simple modification de l'équation de Richardson, en remplaçant W par (W − ΔW). Cette équation s'écrit donc : où ε0 est la permittivité du vide. L'émission d'électrons dans les conditions thermiques et électriques telles que cette équation modifiée s'applique est souvent appelée « émission Schottky ». Cette équation est relativement précise pour des champs électriques d'intensité inférieure à 1 × 108 V m−1. Pour des champs plus intense (de l'ordre de 1 × 109 V m−1), l'effet tunnel de Fowler-Nordheim (FN) (effet de champ) commence à contribuer de façon significative à l'émission de courant électrique. Dans un tel régime, l'action combinée de l'effet Schottky et de l'effet de champ se modélise par l' pour une émission appelée émission thermo-champ (T-F). Cette émission résultante de la force combinée des deux modes d'émission est au passage bien plus forte que la simple addition des deux modes pris séparément. Pour des champs encore plus intenses, l'effet tunnel FN devient dominant dans le mécanisme d'émission d'électron, et on parle alors émission par effet de champ froid, l'émetteur se comportant comme une cathode froide.
rdf:langString
ショットキー効果（ショットキーこうか、Schottky effect）は、導体表面に強い電界を与えることでポテンシャルエネルギー（ポテンシャル障壁）が低下し、熱電子が放出しやすくなる現象のこと（熱電子放出参照）。その名はヴァルター・ショットキーにちなむ。 外部から与えられた電界で、導体表面は電界によるポテンシャル障壁の低下が起こり、熱電子を放出するのに必要な熱エネルギーは低くなる。要は、熱電子放出を電界によってアシストするものである。そのため、熱エネルギーのみで電子を放出させるよりも、電界と熱エネルギーを組み合わせた方が電子を放出させるエネルギーは少なくて済み、同じ電流密度を得るための効率は後者の方が高い。デバイスの低電力化や寿命の向上に繋がり、SEMやTEMといった電子顕微鏡の電子放出源に用いられている。
rdf:langString
Efeito Schottky é o fenômeno da queda de tensão em semicondutor diodo, revelando espontâneas variações na corrente de alto vácuo e tubos de descarga. Uma variação referente à circulação de zonas de campo elétrico de altos valores seria o , essencial na fabricação de transmissores de baixa e média potência, sistemas de sensoriamento de proximidade, e em topologias de circuito como oscilador local e de bloqueio.
rdf:langString
Эмиссии электронов из металла препятствует потенциальный барьер. Снижение этого барьера по мере увеличения прилагаемого внешнего электрического поля называется эффектом Шоттки (был предсказан Вальтером Шоттки в 1938 году). Рассмотрим сначала систему металл-вакуум. Минимальная энергия, которую необходимо передать электрону на уровне Ферми, чтобы он покинул металл, называется работой выхода ( измеряется в электронвольтах). Для типичных металлов величина колеблется в районе 2—6 эВ и чувствительна к загрязнению поверхности. Электрон, который находится в условиях вакуума на некотором расстоянии от поверхности металла, индуцирует на поверхности положительный заряд. Сила притяжения между электроном и этим индуцированным поверхностным зарядом равна по величине силе притяжения к эффективному положительному заряду который называют зарядом изображения. Эта сила, которая также называется силой изображения, равна: где — электрическая постоянная вакуума. Работа, которую нужно совершить, чтобы переместить электрон из точки на бесконечность, равна: Эта работа отвечает потенциальной энергии электрона на расстоянии от поверхности. Зависимость обычно изображается на диаграммах прямой линией. Если в системе есть внешнее электрическое поле то потенциальная энергия электрона будет равна сумме: Снижение барьера Шоттки и расстояние при котором величина потенциала достигает максимума, определяется из условия . Откуда находим: Из этих уравнений находим значение снижения барьера и расстояние: В, нм при В/см и В, нм при В/см. Таким образом показано, что сильное электрическое поле вызывает значительное снижение барьера Шоттки. Вследствие этого эффективная работа выхода из металла для термоэлектронной эмиссии уменьшается. Полученные выше результаты могут быть перенесены на системы металл-полупроводник. В данном случае электрическое поле заменяется полем в полупроводнике вблизи границы раздела (где он достигает своего максимального значения), а диэлектрическая проницаемость вакуума заменяется диэлектрической проницаемостью полупроводника, то есть: Значение может отличаться от статической диэлектрической проницаемости полупроводника. Это связано с тем, что если время пролёта электрона от поверхности раздела металл-полупроводник в точку ( — точка, где потенциальная энергия достигает своего максимального значения) меньше времени диэлектрической релаксации полупроводника, то последний не успевает поляризоваться. Поэтому экспериментальные значение диэлектрической проницаемости могут быть меньшими статической (низкочастотной) проницаемости. В кремнии эти величины практически совпадают между собой. Эффективная диэлектрическая проницаемость для контакта золото-кремний, определённая по результатам фотоэлектрических измерений. На практике имеем, что эффективная диэлектрическая проницаемость сил изображения находится в диапазоне 11,5—12,5. При расстояние меняется от 1 до 5 нм в диапазоне изменений электрического поля около В/см. Если учесть, что скорость носителей около см/с, их время пролёта будет с. Оказывается, что диэлектрическая проницаемость, полученная при учёте силы изображения, близка к значению проницаемости (~12) для электромагнитного излучения соответствующих частот (с длиной волны 3—15 мкм). Поскольку диэлектрическая проницаемость кремния практически постоянна в диапазоне частот от нуля, соответствующей длине волны [прояснить] в пролётах электрона через обеднённый слой кристаллическая решётка успевает поляризоваться. Поэтому значения диэлектрической проницаемости, полученные в фотоэлектрических и оптических опытах, близки друг к другу. Германий и арсенид галлия имеют аналогичные частотные зависимости диэлектрической проницаемости. Поэтому можно предположить, что в случае этих полупроводников значение диэлектрической проницаемости, определяющего силы изображения, в указанном выше интервале полей примерно совпадает со статичными значениями. Эффект Шоттки используется в полупроводниковой технике и реализован в диодах Шоттки, имеющих высокое быстродействие, так как эти приборы работают только на основных носителях заряда и в них не происходит накопление неосновных носителей в обеднённом слое, вследствие чего они имеют очень малое время обратного восстановления. Эффект использовался в уже вышедших из применения медно-закисных выпрямителях.
rdf:langString
Емісії електронів з металу перешкоджає потенційний бар'єр, який утворюється за рахунок електричних сил. Зниження цього бар'єра при збільшенні прикладеного зовнішнього електричного поля називається ефектом Шотткі. Розглянемо спочатку систему метал-вакуум. Мінімальна енергія, яка необхідна для переходу електрону із рівня Фермі у вакуум, називається роботою виходу ( вимірюється у електронвольтах, еВ). Для типових металів величина коливається в межах 2÷6 еВ і є дуже чутливою до забруднення поверхні.... Електрон, що знаходиться у вакуумі на деякій відстані від поверхні металу, індукує на його поверхні позитивний заряд. Сила притягання між електроном та цим індукованим поверхневим зарядом за величиною дорівнює силі притягання до ефективного позитивного заряду , котрий називають зарядом зображення. Ця сила, котра також називається силою зображення, дорівнює: де - діелектрична проникність вакууму. Робота, яку необхідно виконати, щоб перемістити електрон із нескінченності в точку , дорівнює: Ця робота відповідає потенційній енергії електрону на відстані від поверхні. Залежність , як правило, зображається на діаграмах прямою лінією. Якщо до системи прикладене зовнішнє електричне поле , то потенційна енергія електрону буде дорівнювати сумі: , еВ. Зниження бар'єра Шотткі та відстані , на якій величина потенціалу сягає максимуму, визначається із умови . Звідки знаходимо: см, В. Із цих рівнянь знаходимо значення зниження бар'єру та відстані: В, А при 1/см та В, А при В/см. Таким чином, сильне електричне поле призводить до значного зниження бар'єру Шотткі. В результаті ефективна робота виходу з металу для термоелектронної емісії зменшується. Отримані вище результати можуть бути перенесені на систему метал-напівпровідник. В цьому випадку електричне поле замінюється полем в напівпровіднику поблизу границі розділу (де воно сягає свого максимального значення), а діелектрична проникність вакууму замінюється проникністю напівпровідника, тобто: . Значення може відрізнятися від статичної діелектричної проникності напівпровідника. Це пояснюється тим, що якщо час прольоту електрону від поверхні розділу метал-напівпровідник до точки ( - точка, в якій потенційна енергія сягає свого максимального значення) менше часу діелектричної релаксації напівпровідника, то останній не встигає поляризуватися. Тому експериментальні значення діелектричної проникності можуть бути меншими за статичну (низькочастотну) проникність. В кремнії ці величини практично збігаються між собою. Ефективна діелектрична проникність для контакту золото-кремній визначена за результатами фотоелектричних вимірювань. На практиці маємо, що ефективна діелектрична проникність сил зображення знаходиться в діапазоні 11,5÷12,5. При відстань змінюється від 10 до 50А в діапазоні змін електричного поля близько E=103~105 В/см. Якщо припустити, що швидкість носіїв близько см/с, то час прольоту цих відстаней буде 10-14÷5·10-14 с. Виявляється, що діелектрична проникність, яка отримана із сили зображення, близька до значень проникності (~12) для електромагнітного випромінювання відповідних частот (з довжиною хвиль 3÷15 мкм). Оскільки діелектрична проникність кремнію практично постійна в діапазоні частот від нуля, що відповідає довжині хвилі , за час прольоту електрону через збіднений шар решітка встигає поляризуватися. Тому значення діелектричної проникності, отримані в фотоелектричних та оптичних дослідах, близьку один до одного. Германій та арсенід галію мають аналогічні частотні залежності діелектричної проникності. Тому можна чекати, що для цих напівпровідників значення діелектричної проникності, яка визначає сили зображення, у вказаному вище інтервалі полів приблизно збігається зі статичними значеннями. Сьогодні ефект Шотткі широко використовується в напівпровідниковій техніці і реалізований в т.з. діодах Шотткі, що мають високі частотні характеристики.
xsd:nonNegativeInteger
4771
