Luttinger parameter
http://dbpedia.org/resource/Luttinger_parameter an entity of type: WikicatSemiconductors
In semiconductors, valence bands are well characterized by 3 Luttinger parameters. At the Г-point in the band structure, and orbitals form valence bands. But spin–orbit coupling splits sixfold degeneracy into high energy 4-fold and lower energy 2-fold bands. Again 4-fold degeneracy is lifted into heavy- and light hole bands by phenomenological Hamiltonian by J. M. Luttinger.
rdf:langString
Параметры Латтинжера — безразмерные параметры, характеризующие дисперсию валентных зон полупроводника в рамках подхода Кона-Латтинжера. Введены Латтинжером в 1956 году при записи эффективного -гамильтониана для Ge и Si в магнитном поле.
rdf:langString
rdf:langString
Luttinger parameter
rdf:langString
Параметры Латтинжера
xsd:integer
22132209
xsd:integer
1015508402
rdf:langString
In semiconductors, valence bands are well characterized by 3 Luttinger parameters. At the Г-point in the band structure, and orbitals form valence bands. But spin–orbit coupling splits sixfold degeneracy into high energy 4-fold and lower energy 2-fold bands. Again 4-fold degeneracy is lifted into heavy- and light hole bands by phenomenological Hamiltonian by J. M. Luttinger.
rdf:langString
Параметры Латтинжера — безразмерные параметры, характеризующие дисперсию валентных зон полупроводника в рамках подхода Кона-Латтинжера. Введены Латтинжером в 1956 году при записи эффективного -гамильтониана для Ge и Si в магнитном поле.
xsd:nonNegativeInteger
4312