Jean Hoerni
http://dbpedia.org/resource/Jean_Hoerni an entity of type: Thing
جان هورني هو مهندس سويسري-أمريكي عاش في الفترة ما بين 1924 و 1997، كان رائداً في مجال صناعة أشباه الموصلات. ينسب إلى هورني اختراع العملية السطحية في مختبرات شركة فيرتشايلد لأشباه الموصلات سنة 1958.
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Jean Amédée Hoerni (* 26. September 1924 in Genf; † 12. Januar 1997) war ein Physiker und Mathematiker. Als Mitarbeiter von William B. Shockley und Mitglied der Traitorous Eight war er in den 1960er-Jahren einer der Pioniere der Mikroelektronik. Darüber hinaus wird ihm die Entwicklung des Planarprozesses zugeschrieben. Diese Herstellungsweise bildet bis heute die Grundlage von mikroelektronischen Schaltungen. Außerdem ist Jean Hoerni Mitgründer des Central Asia Institute.
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Jean Amédée Hoerni (September 26, 1924 – January 12, 1997) was a Swiss-American engineer. He was a silicon transistor pioneer, and a member of the "traitorous eight". He developed the planar process, an important technology for reliably fabricating and manufacturing semiconductor devices, such as transistors and integrated circuits.
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Jean Amédée Hoerni est un ingénieur suisse né le 26 septembre 1924 à Genève et mort le 12 janvier 1997 à Seattle. Hoerni a, en particulier, mis en place un processus de production industrielle des circuits intégrés appelé « procédé planaire ».
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Jean Amédée Hoerni (Ginevra, 26 settembre 1924 – Seattle, 12 gennaio 1997) è stato un imprenditore e inventore svizzero, annoverato tra i pionieri della realizzazione dei transistor in silicio.
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Jean Amédée Hoerni (Genebra, 26 de setembro de 1924 — Seattle, 12 de janeiro de 1997) foi um físico e matemático suíço. Como funcionário de William Bradford Shockley e membro d'Os Oito Traidores foi na década de 1960 um dos pioneiros da microeletrônica.
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Jean Amédée Hoerni (26 de septiembre de 1924-12 de enero de 1997) fue un pionero en los transistores de silicio y uno de los ocho niños de Faircild es recordado por desarrollar el Planar Process. Nació el 26 de septiembre de 1924 en Ginebra, Suiza. Recibió un PHD en filosofía en la Universidad de Cambridge y otro PHD en la Universidad de Ginebra. En 1952, se movió a Estados Unidos para trabajar en el Instituto de Tecnología de California donde pasó a familiarizarse con William Shockley "El Padre del Transistor". En 1964, fundó la Unión Electrónica Carbide, en 1967 Intersil.
* Datos: Q952816
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جان هورني
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Jean Hoerni
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Jean Hoerni
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Jean Hoerni
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Jean Hoerni
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Jean Hoerni
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Jean Hoerni
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Jean Hoerni
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Jean Amédée Hoerni
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Jean Amédée Hoerni
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Seattle, Washington, United States of America
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2015-07-02
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1924-09-26
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1924-09-26
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2015-07-02
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B.S., M.D. and PhD, University of Geneva
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PhD, University of Cambridge
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Invention of planar process and PNP double diffused transistor
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Jennifer Wilson
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Anne Marie Hoerni
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Ruth Carmona
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جان هورني هو مهندس سويسري-أمريكي عاش في الفترة ما بين 1924 و 1997، كان رائداً في مجال صناعة أشباه الموصلات. ينسب إلى هورني اختراع العملية السطحية في مختبرات شركة فيرتشايلد لأشباه الموصلات سنة 1958.
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Jean Amédée Hoerni (* 26. September 1924 in Genf; † 12. Januar 1997) war ein Physiker und Mathematiker. Als Mitarbeiter von William B. Shockley und Mitglied der Traitorous Eight war er in den 1960er-Jahren einer der Pioniere der Mikroelektronik. Darüber hinaus wird ihm die Entwicklung des Planarprozesses zugeschrieben. Diese Herstellungsweise bildet bis heute die Grundlage von mikroelektronischen Schaltungen. Außerdem ist Jean Hoerni Mitgründer des Central Asia Institute.
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Jean Amédée Hoerni (September 26, 1924 – January 12, 1997) was a Swiss-American engineer. He was a silicon transistor pioneer, and a member of the "traitorous eight". He developed the planar process, an important technology for reliably fabricating and manufacturing semiconductor devices, such as transistors and integrated circuits.
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Jean Amédée Hoerni est un ingénieur suisse né le 26 septembre 1924 à Genève et mort le 12 janvier 1997 à Seattle. Hoerni a, en particulier, mis en place un processus de production industrielle des circuits intégrés appelé « procédé planaire ».
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Jean Amédée Hoerni (26 de septiembre de 1924-12 de enero de 1997) fue un pionero en los transistores de silicio y uno de los ocho niños de Faircild es recordado por desarrollar el Planar Process. Nació el 26 de septiembre de 1924 en Ginebra, Suiza. Recibió un PHD en filosofía en la Universidad de Cambridge y otro PHD en la Universidad de Ginebra. En 1952, se movió a Estados Unidos para trabajar en el Instituto de Tecnología de California donde pasó a familiarizarse con William Shockley "El Padre del Transistor". Años después, Shockley recluta a Hoerni para trabajar en el recién fundado Laboratorio de Tecnología Shockley, una división de Beckman Instruments en Mountain View California. Pero el extraño comportamiento de Shockley lo obligaría a él y a otros siete destacados colegas a abandonarlo y crear la corporación Fairchild Semiconductor donde Hoerni llegaría a inventar , el cual permitió al transistor ser creado de silicio mejor que el germanio. El Nombre "Silicon Valley" hace referencia al silicio. Junto con los alumnos y , Hoerni Fundó Amelco (Mejoro conocida como Teledyne) en 1961. En 1964, fundó la Unión Electrónica Carbide, en 1967 Intersil. Fue premiado con la medalla Edward Longstreth del Instituto Franklin en 1969 y el premio McDowel en 1972.
* Datos: Q952816
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Jean Amédée Hoerni (Ginevra, 26 settembre 1924 – Seattle, 12 gennaio 1997) è stato un imprenditore e inventore svizzero, annoverato tra i pionieri della realizzazione dei transistor in silicio.
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Jean Amédée Hoerni (Genebra, 26 de setembro de 1924 — Seattle, 12 de janeiro de 1997) foi um físico e matemático suíço. Como funcionário de William Bradford Shockley e membro d'Os Oito Traidores foi na década de 1960 um dos pioneiros da microeletrônica.
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