Insulated-gate bipolar transistor
http://dbpedia.org/resource/Insulated-gate_bipolar_transistor an entity of type: Thing
ترانزستور ثنائي القطبية ذو بوابة معزولة (بالإنجليزية: Insulated-gate bipolar transistor) و يرمز له أيضا ب(IGBT) هو مكون يعتمد أشباه الموصلات يستخدم في الكهرباء ذات الطاقة العالية كونه يحتوي على ميزات تراتزستور ثنائي القطب العادي مثل التمرير الجيد للتيار، ممانعة عالية للتيار بالاتجاه العكسي، وقوة في الأداء، ويحوي أيضا ميزات الترانزستور الحقلي الأحادي القطب.
rdf:langString
Bipolární tranzistor s izolovaným hradlem (Anglicky Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT) je druh tranzistorů, který je zkonstruován pro velký rozsah spínaných výkonů (od zlomků W až po desítky MW)[zdroj?] a vysokou .IGBT je integrovaná kombinace unipolární a bipolární součástky. Čip tranzistoru má hradlo izolované tenkou oxidovou vrstvou stejně, jako výkonový MOSFET. Na kolektorové straně je vytvořen PN přechod, který injektuje minoritní nosiče do kanálu, když je IGBT sepnut. To výrazně snižuje úbytek napětí a tím i ztrátový výkon v sepnutém stavu.
rdf:langString
Transistor dwikutub gerbang-terisolasi (IGBT = insulated gate bipolar transistor) adalah peranti semikonduktor yang setara dengan gabungan sebuah BJT dan sebuah MOSFET. Jenis peranti baru yang berfungsi sebagai komponen saklar untuk aplikasi daya ini muncul sejak tahun 1980-an.
rdf:langString
절연 게이트 양극성 트랜지스터(Insulated gate bipolar transistor, IGBT)는 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터 (MOSFET)을 게이트부에 짜 넣은 접합형 트랜지스터이다. 게이트-이미터간의 전압이 구동되어 입력 신호에 의해서 온/오프가 생기는 자기소호형이므로, 대전력의 고속 스위칭이 가능한 반도체 소자이다.
rdf:langString
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ぜつえんゲートバイポーラトランジスタ、英: Insulated Gate Bipolar Transistor、IGBT）は半導体素子のひとつで、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）を主要部に組み込んだバイポーラトランジスタである。電力制御の用途で使用される。
rdf:langString
絕緣柵雙極電晶體（英語：Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT），是半導體器件的一種，主要用於電動車輛、鐵路機車及動車組的交流電電動機的輸出控制。传统的BJT导通电阻小，但是驱动电流大，而MOSFET的导通电阻大，却有着驱动电流小的优点。IGBT正是结合了这两者的优点：不仅驱动电流小，导通电阻也很低。
rdf:langString
功率模組（power module）可以將各個电力电子学元件（多半是）放在同一封裝中。其中的功率半導體（稱為裸晶）會用銲接或是燒結的方式固定在乘載功率半導體的上，依需要提供熱接觸、電氣導通或是絕緣。分立功率半導體多半是TO-247或的塑膠包裝，相較起來，功率模組的功率密度較高，而且在許多領域中比分立元件要可靠。
rdf:langString
El transistor bipolar de porta aïllada sovint anomenat amb les sigles transistor IGBT (de l'anglès Insulated Gate Bipolar Transistor) és un transistor que combina les senzilles característiques de la porta del MOSFET amb l'elevada intensitat i baix voltatge de saturació dels transistors bipolars. Això s'aconsegueix ajuntant en un únic dispositiu una porta aïllada FET per al control amb un transistor bipolar de potència actuant en commutació.
rdf:langString
Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (englisch insulated-gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des Bipolartransistors (gutes Durchlassverhalten, hohe Sperrspannung, Robustheit) und Vorteile eines Feldeffekttransistors (nahezu leistungslose Ansteuerung) vereinigt. Einer der Entwickler des IGBT war B. Jayant Baliga bei General Electric.
rdf:langString
El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia.Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT.
rdf:langString
An insulated-gate bipolar transistor (IGBT) is a three-terminal power semiconductor device primarily used as an electronic switch, which, as it was developed, came to combine high efficiency and fast switching. It consists of four alternating layers (P–N–P–N) that are controlled by a metal–oxide–semiconductor (MOS) gate structure.
rdf:langString
Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi-conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme interrupteur électronique, principalement dans les montages de l’électronique de puissance.
rdf:langString
Il Transistor bipolare a gate isolato (sigla inglese IGBT da Insulated Gate Bipolar Transistor) è un dispositivo a semiconduttore usato come interruttore elettronico in applicazioni ad alta potenza, cioè è in grado di commutare alte tensioni e alte correnti. Esso può essere schematizzato come il collegamento di un MOSFET e di un transistor a giunzione bipolare. Sebbene le correnti massime sopportabili dal singolo dispositivo siano inferiori a quelle del tiristore, utilizzando moduli con più IGBT in parallelo si ottengono componenti capaci di commutare correnti di 1,2 kA con tensione massima di 6 kV.
rdf:langString
IGBT (ang. insulated gate bipolar transistor) – tranzystor bipolarny z izolowaną bramką. Jest to element półprzewodnikowy mocy używany w przekształtnikach energoelektronicznych o mocach do kilkuset kilowatów. Łączy zalety dwóch typów tranzystorów: łatwość sterowania tranzystorów polowych i wysokie napięcie przebicia oraz szybkość przełączania tranzystorów bipolarnych; jest wykorzystywany m.in. w falownikach jako łącznik, umożliwia załączanie prądów powyżej 1 kA i blokowanie napięć do 6 kV.
rdf:langString
Een insulated-gate bipolar transistor (IGBT) is een transistor die veel vermogen kan schakelen. De benodigde gate stuurspanning ligt wat hoger dan bij een MOSFET, in de orde van 15 volt. De stuurstromen kunnen aanzienlijk zijn, in de orde van enkele ampères, tijdens het opladen van de gate-capaciteit (enkele tientallen nF voor IGBT's die honderden ampères kunnen geleiden) bij het inschakelen van de IGBT. Bij het afschakelen treden evengrote stromen op. Er bestaan twee grote families van IGBT's:
rdf:langString
O nome IGBT, é uma sigla de origem na Língua Inglesa e significa Insulated Gate Bipolar Transistor ou, em Português Transistor Bipolar de Porta Isolada. O IGBT é um semicondutor de potência que alia as características de chaveamento dos transistores bipolares com a alta impedância dos MOSFETs apresentando baixa tensão de saturação e alta capacidade de corrente. O IGBT destaca-se por possuir alta eficiência e rápido chaveamento. Atualmente é muito utilizado em equipamentos modernos como carros elétricos ou híbridos, trens, aparelhos de ar condicionado e fontes chaveadas de alta potência. Devido a seu projeto que permite rápido chaveamento (liga/desliga), encontra aplicação também em amplificadores e geradores que necessitam sintetizar formas de onda complexa através de PWM e filtros passa-b
rdf:langString
IGBT eller Insulated-gate bipolar transistor ("bipolär transistor med isolerat styre") är en typ av transistor som är en vanlig komponent i modern kraftelektronik. Den kombinerar egenskaperna hos en MOSFET-fälteffekttransistor och en bipolär transistor och utvecklades omkring 1980 av Jayant Baliga vid General Electric.
rdf:langString
IGBT (англ. Insulated-gate bipolar transistor, укр. біполярний транзистор із ізольованим затвором) — триелектродний силовий напівпровідниковий прилад, що поєднує два транзистора в одній напівпровідниковій структурі: біполярний (утворює силовий канал) і польовий (утворює канал управління). Використовується, в основному, як потужний електронний ключ в імпульсних джерелах живлення, інверторах, в системах управління електричними приводами.
rdf:langString
Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ, англ. Insulated-gate bipolar transistor, IGBT) — трёхэлектродный силовой полупроводниковый прибор, сочетающий два транзистора в одной полупроводниковой структуре: биполярный (образующий силовой канал) и полевой (образующий канал управления). Используется, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами. Выпускаются как отдельные IGBT, так и силовые сборки (модули) на их основе, например, для управления цепями трёхфазного тока.
rdf:langString
rdf:langString
ترانزستور ثنائي القطب ذو البوابة المعزولة
rdf:langString
Transistor bipolar de porta aïllada
rdf:langString
IGBT
rdf:langString
Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode
rdf:langString
Transistor IGBT
rdf:langString
Transistor dwikutub gerbang-terisolasi
rdf:langString
Insulated-gate bipolar transistor
rdf:langString
Transistor bipolare a gate isolato
rdf:langString
Transistor bipolaire à grille isolée
rdf:langString
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
rdf:langString
절연 게이트 양극성 트랜지스터
rdf:langString
IGBT
rdf:langString
Insulated-gate bipolar transistor
rdf:langString
IGBT
rdf:langString
Биполярный транзистор с изолированным затвором
rdf:langString
IGBT
rdf:langString
IGBT
rdf:langString
功率模組
rdf:langString
絕緣柵雙極晶體管
rdf:langString
Insulated-gate bipolar transistor
xsd:integer
109053
xsd:integer
1117223874
rdf:langString
IGBT schematic symbol
rdf:langString
IGBT module with a rated current of 1200 A and a maximum voltage of 3300 V
rdf:langString
El transistor bipolar de porta aïllada sovint anomenat amb les sigles transistor IGBT (de l'anglès Insulated Gate Bipolar Transistor) és un transistor que combina les senzilles característiques de la porta del MOSFET amb l'elevada intensitat i baix voltatge de saturació dels transistors bipolars. Això s'aconsegueix ajuntant en un únic dispositiu una porta aïllada FET per al control amb un transistor bipolar de potència actuant en commutació. El transistor IGBT és una invenció recent. Els dispositius de primera generació que aparegueren el 1980 i principis dels anys 1990 eren relativament lents en commutació i tendien a fallar. Els dispositius de segona generació milloraren molt, però res comparat amb els actuals de tercera generació, què tenen una velocitat que hi rivalitza amb els MOSFETs, a més d'una excel·lent duresa i tolerància a sobrecàrregues. S'usa principalment en fonts d'alimentació commutades i en aplicacions de control de motors. Els avanços en la segona i tercera generació els feren útils en àrees com la física de partícules, on comencen a suplantar altres dispositius.
rdf:langString
ترانزستور ثنائي القطبية ذو بوابة معزولة (بالإنجليزية: Insulated-gate bipolar transistor) و يرمز له أيضا ب(IGBT) هو مكون يعتمد أشباه الموصلات يستخدم في الكهرباء ذات الطاقة العالية كونه يحتوي على ميزات تراتزستور ثنائي القطب العادي مثل التمرير الجيد للتيار، ممانعة عالية للتيار بالاتجاه العكسي، وقوة في الأداء، ويحوي أيضا ميزات الترانزستور الحقلي الأحادي القطب.
rdf:langString
Bipolární tranzistor s izolovaným hradlem (Anglicky Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT) je druh tranzistorů, který je zkonstruován pro velký rozsah spínaných výkonů (od zlomků W až po desítky MW)[zdroj?] a vysokou .IGBT je integrovaná kombinace unipolární a bipolární součástky. Čip tranzistoru má hradlo izolované tenkou oxidovou vrstvou stejně, jako výkonový MOSFET. Na kolektorové straně je vytvořen PN přechod, který injektuje minoritní nosiče do kanálu, když je IGBT sepnut. To výrazně snižuje úbytek napětí a tím i ztrátový výkon v sepnutém stavu.
rdf:langString
Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (englisch insulated-gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des Bipolartransistors (gutes Durchlassverhalten, hohe Sperrspannung, Robustheit) und Vorteile eines Feldeffekttransistors (nahezu leistungslose Ansteuerung) vereinigt. Es gibt vier verschiedene Grundtypen von IGBTs, welche durch vier verschiedene Schaltsymbole dargestellt werden. Je nach Dotierung des Grundmaterials lassen sich n- und p-Kanal-IGBTs herstellen. Diese unterteilen sich jeweils in einen selbstleitenden und einen selbstsperrenden Typ. Diese Eigenschaft ist im Rahmen des Herstellungsprozesses wählbar. In den Schaltsymbolen ist bei selbstleitenden IGBTs, auch als Verarmungs-Typ bezeichnet, eine durchgezogene Linie zwischen den Anschlüssen Kollektor (C) und Emitter (E) gezeichnet. Diese Linie ist bei den selbstsperrenden Typen, auch Anreicherungs-Typ bezeichnet, unterbrochen dargestellt. Der Gate-Anschluss (G) dient bei allen Typen als Steueranschluss. Einer der Entwickler des IGBT war B. Jayant Baliga bei General Electric.
rdf:langString
An insulated-gate bipolar transistor (IGBT) is a three-terminal power semiconductor device primarily used as an electronic switch, which, as it was developed, came to combine high efficiency and fast switching. It consists of four alternating layers (P–N–P–N) that are controlled by a metal–oxide–semiconductor (MOS) gate structure. Although the structure of the IGBT is topologically the same as a thyristor with a "MOS" gate (MOS-gate thyristor), the thyristor action is completely suppressed, and only the transistor action is permitted in the entire device operation range. It is used in switching power supplies in high-power applications: variable-frequency drives (VFDs), electric cars, trains, variable-speed refrigerators, lamp ballasts, arc-welding machines, induction hobs, and air conditioners. Since it is designed to turn on and off rapidly, the IGBT can synthesize complex waveforms with pulse-width modulation and low-pass filters, so it is also used in switching amplifiers in sound systems and industrial control systems. In switching applications modern devices feature pulse repetition rates well into the ultrasonic-range frequencies, which are at least ten times higher than audio frequencies handled by the device when used as an analog audio amplifier. As of 2010, the IGBT was the second most widely used power transistor, after the power MOSFET.
rdf:langString
El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia.Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT. Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces, en particular en los variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas, convertidores de potencia, domótica y Sistemas de Alimentación Ininterrumpida, entre otras aplicaciones.
rdf:langString
Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi-conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme interrupteur électronique, principalement dans les montages de l’électronique de puissance. Ce composant, qui combine les avantages des technologies précédentes — c’est-à-dire la grande simplicité de commande du transistor à effet de champ par rapport au transistor bipolaire, tout en conservant les faibles pertes par conduction de ce dernier — a permis de nombreux progrès dans les applications de l’électronique de puissance, aussi bien en ce qui concerne la fiabilité que sur l’aspect économique. Les transistors IGBT ont permis d’envisager des développements jusqu’alors non viables en particulier dans la vitesse variable ainsi que dans les applications des machines électriques et des convertisseurs de puissance qui nous accompagnent chaque jour et partout, sans que nous en soyons particulièrement conscients : automobiles, trains, métros, bus, avions, bateaux, ascenseurs, électroménager, télévision, domotique, etc.
rdf:langString
Transistor dwikutub gerbang-terisolasi (IGBT = insulated gate bipolar transistor) adalah peranti semikonduktor yang setara dengan gabungan sebuah BJT dan sebuah MOSFET. Jenis peranti baru yang berfungsi sebagai komponen saklar untuk aplikasi daya ini muncul sejak tahun 1980-an.
rdf:langString
절연 게이트 양극성 트랜지스터(Insulated gate bipolar transistor, IGBT)는 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터 (MOSFET)을 게이트부에 짜 넣은 접합형 트랜지스터이다. 게이트-이미터간의 전압이 구동되어 입력 신호에 의해서 온/오프가 생기는 자기소호형이므로, 대전력의 고속 스위칭이 가능한 반도체 소자이다.
rdf:langString
Il Transistor bipolare a gate isolato (sigla inglese IGBT da Insulated Gate Bipolar Transistor) è un dispositivo a semiconduttore usato come interruttore elettronico in applicazioni ad alta potenza, cioè è in grado di commutare alte tensioni e alte correnti. Esso può essere schematizzato come il collegamento di un MOSFET e di un transistor a giunzione bipolare. Sebbene le correnti massime sopportabili dal singolo dispositivo siano inferiori a quelle del tiristore, utilizzando moduli con più IGBT in parallelo si ottengono componenti capaci di commutare correnti di 1,2 kA con tensione massima di 6 kV. Il dispositivo abbina le caratteristiche favorevoli di un BJT e di un MOSFET; è un dispositivo di potenza adatto a trattare correnti elevate, che abbina al pregio dell'alta impedenza di ingresso dei transistor MOS quello della bassa tensione di saturazione dei transistor a giunzione bipolare (BJT).In ingresso è presente un MOS di bassa potenza che pilota il BJT di uscita con potenza elevata. Siccome il MOS risulta interessato solo dalla bassa corrente di base del BJT, anche l'area del chip, che nei MOS di potenza è estesa, risulta ridotta. Il primo brevetto su dispositivi IGBT è del 1980, mentre i primi modelli commercializzati risalgono al 1983. Questi primi esemplari erano piuttosto lenti nella commutazione e soggetti a guastarsi facilmente (distruzione per latchup): le successive generazioni hanno migliorato molto i parametri di funzionamento ed eliminato tale vulnerabilità. Gli IGBT di oggi commutano con la stessa velocità dei migliori MOSFET, tollerano molto bene i sovraccarichi e non sono più soggetti al latchup. Attualmente hanno assunto grande importanza per tutte le applicazioni di commutazione di potenza in cui sono in gioco alte tensioni e correnti: praticamente tutti gli inverter di recente progettazione usano IGBT, quali ad esempio gli inverter industriali per i motori trifase, oppure nel fotovoltaico. Sono dei componenti chiave nelle automobili elettriche e ibride, in cui sono l'unica soluzione praticabile per avere unità di controllo motori piccole, potenti ed efficienti: la Toyota Prius sfrutta un inverter da 50 kW basato su IGBT che controlla due motori/generatori collegati al pacco batterie.
rdf:langString
Een insulated-gate bipolar transistor (IGBT) is een transistor die veel vermogen kan schakelen. De benodigde gate stuurspanning ligt wat hoger dan bij een MOSFET, in de orde van 15 volt. De stuurstromen kunnen aanzienlijk zijn, in de orde van enkele ampères, tijdens het opladen van de gate-capaciteit (enkele tientallen nF voor IGBT's die honderden ampères kunnen geleiden) bij het inschakelen van de IGBT. Bij het afschakelen treden evengrote stromen op. Dit type transistor combineert de van een MOSFET-transistor met de mogelijkheid van grote stromen en lage verzadigingsspanning van een bipolaire transistor door een n-kanaal-MOSFET en een bipolaire pnp-transistor op één chip te integreren. Vrijwel altijd wordt een snelle antiparallel diode in dezelfde behuizing geplaatst. Dit is nodig voor PWM-geregelde (driefasen)omzetters. Een belangrijk toepassingsgebied is de regeling van driefasenmotoren tot in vermogens van 0,5 MW. IGBT's kunnen toegepast worden in een motorsturing voor treinen, waarbij een sturing per wordt gebruikt. Een IGBT heeft een doorlaatspanning van 0,7 volt bij kleine stromen (10% van het maximum) tot ca. 1,7 volt bij de maximale continustroom (bij opgewarmde behuizing) die voor de IGBT is gespecificeerd. Voor omvormers van vermogens van 1 MW en meer worden GTO's of thyristoren toegepast. De schakelverliezen van dit type halfgeleider zijn zo groot, dat lage frequenties voor het schakelen worden toegepast (enkele kilohertz). Er bestaan twee grote families van IGBT's:
* relatief snelle IGBT's met een blokkeerspanning van 600 volt, die zeer lage schakelverliezen hebben zodat ze met een frequentie van 20 kHz geschakeld kunnen worden (onhoorbaar)
* 1200 volt-blokkeerspanning met wat grotere schakelverliezen, die meestal met een wat lagere frequentie geschakeld worden
rdf:langString
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ぜつえんゲートバイポーラトランジスタ、英: Insulated Gate Bipolar Transistor、IGBT）は半導体素子のひとつで、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）を主要部に組み込んだバイポーラトランジスタである。電力制御の用途で使用される。
rdf:langString
IGBT (ang. insulated gate bipolar transistor) – tranzystor bipolarny z izolowaną bramką. Jest to element półprzewodnikowy mocy używany w przekształtnikach energoelektronicznych o mocach do kilkuset kilowatów. Łączy zalety dwóch typów tranzystorów: łatwość sterowania tranzystorów polowych i wysokie napięcie przebicia oraz szybkość przełączania tranzystorów bipolarnych; jest wykorzystywany m.in. w falownikach jako łącznik, umożliwia załączanie prądów powyżej 1 kA i blokowanie napięć do 6 kV. Tranzystor IGBT powstał przez połączenie w obszarze monolitycznego materiału półprzewodnikowego tranzystora bipolarnego z tranzystorem polowym typu MOS. Utworzona w ten sposób struktura ma pozytywne cechy obu elementów i stanowi półprzewodnikowy łącznik przydatny do układów o mocy nawet kilkuset kilowatów i pracujący z częstotliwością przełączania sięgającą 50 kHz. Maksymalne dopuszczalne wartości blokowanego napięcia przekraczają 6 kV, co oznacza pełną przydatność IGBT w układach zasilanych z sieci o napięciu skutecznym 400 V i wyższym. Niezwykle ważną zaletą IGBT jest (przejęta od tranzystora MOS) łatwość sterowania go przez zmianę potencjału izolowanej bramki, co bardzo upraszcza konstrukcję całego urządzenia. Pewną wadą tranzystorów IGBT jest natomiast znaczny spadek napięcia występujący na nich w stanie przewodzenia (ok. 2,5 V), jednakże sumaryczne straty mocy w IGBT są mniejsze niż w klasycznym tranzystorze bipolarnym. Kolejną wadą (jak wszystkich półprzewodników krzemowych) jest ograniczona temperatura pracy, od –20 °C do temperatury złącza około 150 °C. Jeszcze inną wadą jest występowanie tzw. „ogona prądowego” w procesie wyłączania tranzystora, co wydłuża czas autentycznego wyłączenia. Zjawisko to jest związane z potrzebą odprowadzenia ładunków mniejszościowych z obszaru bramki.
rdf:langString
Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ, англ. Insulated-gate bipolar transistor, IGBT) — трёхэлектродный силовой полупроводниковый прибор, сочетающий два транзистора в одной полупроводниковой структуре: биполярный (образующий силовой канал) и полевой (образующий канал управления). Используется, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами. Каскадное включение транзисторов двух типов позволяет сочетать их достоинства в одном приборе: выходные характеристики биполярного (большое допустимое рабочее напряжение и сопротивление открытого канала, пропорциональное току, а не квадрату тока, как у полевых) и входные характеристики полевого (минимальные затраты на управление). Управляющий электрод называется затвором, как у полевого транзистора, два других электрода — эмиттером и коллектором, как у биполярного. Выпускаются как отдельные IGBT, так и силовые сборки (модули) на их основе, например, для управления цепями трёхфазного тока.
rdf:langString
IGBT eller Insulated-gate bipolar transistor ("bipolär transistor med isolerat styre") är en typ av transistor som är en vanlig komponent i modern kraftelektronik. Den kombinerar egenskaperna hos en MOSFET-fälteffekttransistor och en bipolär transistor och utvecklades omkring 1980 av Jayant Baliga vid General Electric. IGBT-transistorer förekommer bland annat i kraftelektroniken i moderna lok. En annan, mer vardaglig, applikation av IGBT-transistorer är i vissa typer av dimrar. För varvtalsstyrning av asynkronmotorer används idag IGBT mycket ofta - både som diskreta komponenter och som färdiga IGBT moduler i form av hel- eller halvbryggor.
rdf:langString
O nome IGBT, é uma sigla de origem na Língua Inglesa e significa Insulated Gate Bipolar Transistor ou, em Português Transistor Bipolar de Porta Isolada. O IGBT é um semicondutor de potência que alia as características de chaveamento dos transistores bipolares com a alta impedância dos MOSFETs apresentando baixa tensão de saturação e alta capacidade de corrente. O IGBT destaca-se por possuir alta eficiência e rápido chaveamento. Atualmente é muito utilizado em equipamentos modernos como carros elétricos ou híbridos, trens, aparelhos de ar condicionado e fontes chaveadas de alta potência. Devido a seu projeto que permite rápido chaveamento (liga/desliga), encontra aplicação também em amplificadores e geradores que necessitam sintetizar formas de onda complexa através de PWM e filtros passa-baixa. O IGBT é uma invenção recente. A primeira geração de dispositivos desse tipo na década de 1980 e início dos anos 90 possuíam chaveamento relativamente lento e seu desligamento (corte na condução) não ocorria enquanto existisse corrente fluindo (característica conhecida na língua inglesa como ). A segunda geração de IGBT apresentava melhoria e atualmente, os dispositivos de terceira geração são muito melhores com velocidade de chaveamento equiparada à dos MOSFETs além de excelente tolerância à sobrecarga e durabilidade. Basicamente, o IGBT pode ser analisado também como um mosfet acionando um transistor bipolar. Este arranjo apresenta um tiristor parasita, que normalmente é ignorado devido ao avanço tecnológico realizado na construção do componente, que não apresenta mais este inconveniente.
rdf:langString
IGBT (англ. Insulated-gate bipolar transistor, укр. біполярний транзистор із ізольованим затвором) — триелектродний силовий напівпровідниковий прилад, що поєднує два транзистора в одній напівпровідниковій структурі: біполярний (утворює силовий канал) і польовий (утворює канал управління). Використовується, в основному, як потужний електронний ключ в імпульсних джерелах живлення, інверторах, в системах управління електричними приводами. Каскадне включення транзисторів двох різних типів дозволяє поєднувати їх переваги в одному приладі: вихідні характеристики біполярного (велика допустима робоча напруга і опір відкритого каналу пропорційно струму, а не квадрату струму, як у польових) і вхідні характеристики польового (мінімальні витрати на керування). Керуючий електрод називається затвором, як у польового транзистора, два інших електрода - і , як у біполярного. У деяких випадках транзистори даного типу доцільно встановлювати на зварювальні інвертори. У них вони замінюють звичайні польові транзистори (МДП-транзистори).
rdf:langString
絕緣柵雙極電晶體（英語：Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT），是半導體器件的一種，主要用於電動車輛、鐵路機車及動車組的交流電電動機的輸出控制。传统的BJT导通电阻小，但是驱动电流大，而MOSFET的导通电阻大，却有着驱动电流小的优点。IGBT正是结合了这两者的优点：不仅驱动电流小，导通电阻也很低。
rdf:langString
功率模組（power module）可以將各個电力电子学元件（多半是）放在同一封裝中。其中的功率半導體（稱為裸晶）會用銲接或是燒結的方式固定在乘載功率半導體的上，依需要提供熱接觸、電氣導通或是絕緣。分立功率半導體多半是TO-247或的塑膠包裝，相較起來，功率模組的功率密度較高，而且在許多領域中比分立元件要可靠。
xsd:integer
1959
xsd:nonNegativeInteger
32453
