Indium nitride
http://dbpedia.org/resource/Indium_nitride an entity of type: Thing
نتريد إنديوم ثلاثي مركب كيميائي له الصيغة InN ، وهي عبارة عن مادة نصف ناقلة .
rdf:langString
Indiumnitrid (InN) ist eine anorganische chemische Verbindung des Indiums aus der Gruppe der Nitride.
rdf:langString
Le nitrure d'indium (InN) est un semi-conducteur III-V constitué d'azote (N) et d'indium (In).
rdf:langString
Нитри́д и́ндия (InN) — бинарное неорганическое соединение металла индия и азота с формулой InN, чёрные кристаллы.
rdf:langString
氮化銦（InN）是一種小能隙的半導體材料，在太陽能電池及其他高速電子學上有潛在的應用。 依溫度的不同，氮化銦的能階可以到約~0.7 eV（以往認定的值是1.97 eV）。其有效電子質量已由高磁場的測量所確認,， m*=0.055 m0。氮化銦和氮化鎵的合金為三元体系的氮化銦鎵，其直接能階從紅外線（0.69 eV）延伸到紫外線（3.4 eV）。 目前有關氮化銦的研究是發展氮化物基礎半導體的太陽能電池。利用合金，可以對應太陽光的頻譜。氮化銦的能階其波長可以長到1900nm。不過這類太陽電池要商品化，仍有許多困難，利用氮化銦及高含銦的氮化銦鎵製作p型半導體就是挑戰之一。氮化銦和其他氮化物（如 氮化鎵及氮化鋁）的異質外延生長也已證實相當困難。 氮化銦的多晶薄膜有高導電性，在氦的溫度下甚至有超導性。其超導轉態溫度為Tc依其薄膜結構而定，會低於4 K。其超導性在強磁場（數個特斯拉）下仍然存在，這和金屬在磁場為 0.03 T時超導性就會下降的特性不同。其超導的特性是因為金屬銦的鍊狀結構或是奈米簇，其中依照金兹堡－朗道方程，較小的尺寸增高了臨界磁場。
rdf:langString
Indium nitride (InN) is a small bandgap semiconductor material which has potential application in solar cells and high speed electronics. The bandgap of InN has now been established as ~0.7 eV depending on temperature (the obsolete value is 1.97 eV). The effective electron mass has been recently determined by high magnetic field measurements, m* =0.055 m0. Alloyed with GaN, the ternary system InGaN has a direct bandgap span from the infrared (0.69 eV) to the ultraviolet (3.4 eV). Thin layers of InN can be grown using metalorganic chemical vapour deposition (MOCVD).
rdf:langString
El nitruro de indio (InN) es un material semiconductor con una pequeña banda prohibida que lo hace potencialmente útil para aplicaciones en células fotoeléctricas y electrónica de alta velocidad La banda prohibida del InN ha sido ahora establecida como ~0.7 eV pero depende de la temperatura (el valor anterior es 1.97 eV).
rdf:langString
窒化インジウム（ちっかインジウム、indium nitride）は、インジウムと窒素からなる化学式InNの半導体である。バンドギャップが小さく、太陽電池や高速エレクトロニクスに用いられる。InNのバンドギャップは、現在では温度に応じ〜0.7 eVであることが分かっている（かつては1.97 eVとされていた）。有効は、高磁場での測定でm*=0.055 m0と求められた。窒化ガリウムとの三元合金である窒化インジウムガリウム (InGaN) は、赤外線 (0.69 eV) から紫外線 (3.4 eV) の範囲の直接バンドギャップを持つ。 窒化物の半導体を用いた太陽電池の開発が進められている。InGaN合金を用いると、太陽のスペクトルに合ったものが得られる。InNのバンドギャップは、波長1900 nmまでを用いることを可能とするが、このような太陽電池が市販されるまでにはまだ多くの課題がある。p型ドープしたInNやインジウムの多いInGaNは、最大の挑戦の1つである。InNと窒化ガリウムや窒化アルミニウム等の他の窒化物とのヘテロエピタキシャル成長は難しいことが知られている。
rdf:langString
rdf:langString
نتريد إنديوم ثلاثي
rdf:langString
Indiumnitrid
rdf:langString
Nitruro de indio
rdf:langString
Nitrure d'indium
rdf:langString
Indium nitride
rdf:langString
窒化インジウム
rdf:langString
Нитрид индия
rdf:langString
氮化銦
xsd:integer
1938869
xsd:integer
1095867425
rdf:langString
Wurtzite polyhedra.png
rdf:langString
Indium nitride
xsd:integer
477313431
rdf:langString
changed
rdf:langString
نتريد إنديوم ثلاثي مركب كيميائي له الصيغة InN ، وهي عبارة عن مادة نصف ناقلة .
rdf:langString
Indiumnitrid (InN) ist eine anorganische chemische Verbindung des Indiums aus der Gruppe der Nitride.
rdf:langString
Indium nitride (InN) is a small bandgap semiconductor material which has potential application in solar cells and high speed electronics. The bandgap of InN has now been established as ~0.7 eV depending on temperature (the obsolete value is 1.97 eV). The effective electron mass has been recently determined by high magnetic field measurements, m* =0.055 m0. Alloyed with GaN, the ternary system InGaN has a direct bandgap span from the infrared (0.69 eV) to the ultraviolet (3.4 eV). Currently there is research into developing solar cells using the nitride based semiconductors. Using one or more alloys of indium gallium nitride (InGaN), an optical match to the solar spectrum can be achieved. The bandgap of InN allows a wavelengths as long as 1900 nm to be utilized. However, there are many difficulties to be overcome if such solar cells are to become a commercial reality: p-type doping of InN and indium-rich InGaN is one of the biggest challenges. Heteroepitaxial growth of InN with other nitrides (GaN, AlN) has proved to be difficult. Thin layers of InN can be grown using metalorganic chemical vapour deposition (MOCVD).
rdf:langString
El nitruro de indio (InN) es un material semiconductor con una pequeña banda prohibida que lo hace potencialmente útil para aplicaciones en células fotoeléctricas y electrónica de alta velocidad La banda prohibida del InN ha sido ahora establecida como ~0.7 eV pero depende de la temperatura (el valor anterior es 1.97 eV). La masa efectiva del electrón ha sido recientemente determinada usando mediciones con altos campos magnéticos como m*=0.055 m0. En aleación con el nitruro de galio (GaN) forma el sistema ternario nitruro de galio-indio (InGaN) que tiene una banda prohibida directa desde el intervalo infrarrojo (0.65eV) hasta el ultravioleta (3.4eV)
rdf:langString
Le nitrure d'indium (InN) est un semi-conducteur III-V constitué d'azote (N) et d'indium (In).
rdf:langString
窒化インジウム（ちっかインジウム、indium nitride）は、インジウムと窒素からなる化学式InNの半導体である。バンドギャップが小さく、太陽電池や高速エレクトロニクスに用いられる。InNのバンドギャップは、現在では温度に応じ〜0.7 eVであることが分かっている（かつては1.97 eVとされていた）。有効は、高磁場での測定でm*=0.055 m0と求められた。窒化ガリウムとの三元合金である窒化インジウムガリウム (InGaN) は、赤外線 (0.69 eV) から紫外線 (3.4 eV) の範囲の直接バンドギャップを持つ。 窒化物の半導体を用いた太陽電池の開発が進められている。InGaN合金を用いると、太陽のスペクトルに合ったものが得られる。InNのバンドギャップは、波長1900 nmまでを用いることを可能とするが、このような太陽電池が市販されるまでにはまだ多くの課題がある。p型ドープしたInNやインジウムの多いInGaNは、最大の挑戦の1つである。InNと窒化ガリウムや窒化アルミニウム等の他の窒化物とのヘテロエピタキシャル成長は難しいことが知られている。 InNの薄い多結晶フィルムは高い伝導性を示し、ヘリウム温度では超伝導にもなる。超伝導遷移温度Tcは、フィルムの構造に依存し、4 K以下となる。わずか0.03テスラで超伝導性を失う金属インジウムとは異なり、超伝導性は数テスラの高磁場中でも持続する。それにもかかわらず、この超伝導性は、ギンツブルグ-ランダウ理論によると金属インジウムのチェーンまたはナノクラスタが原因である。
rdf:langString
Нитри́д и́ндия (InN) — бинарное неорганическое соединение металла индия и азота с формулой InN, чёрные кристаллы.
rdf:langString
氮化銦（InN）是一種小能隙的半導體材料，在太陽能電池及其他高速電子學上有潛在的應用。 依溫度的不同，氮化銦的能階可以到約~0.7 eV（以往認定的值是1.97 eV）。其有效電子質量已由高磁場的測量所確認,， m*=0.055 m0。氮化銦和氮化鎵的合金為三元体系的氮化銦鎵，其直接能階從紅外線（0.69 eV）延伸到紫外線（3.4 eV）。 目前有關氮化銦的研究是發展氮化物基礎半導體的太陽能電池。利用合金，可以對應太陽光的頻譜。氮化銦的能階其波長可以長到1900nm。不過這類太陽電池要商品化，仍有許多困難，利用氮化銦及高含銦的氮化銦鎵製作p型半導體就是挑戰之一。氮化銦和其他氮化物（如 氮化鎵及氮化鋁）的異質外延生長也已證實相當困難。 氮化銦的多晶薄膜有高導電性，在氦的溫度下甚至有超導性。其超導轉態溫度為Tc依其薄膜結構而定，會低於4 K。其超導性在強磁場（數個特斯拉）下仍然存在，這和金屬在磁場為 0.03 T時超導性就會下降的特性不同。其超導的特性是因為金屬銦的鍊狀結構或是奈米簇，其中依照金兹堡－朗道方程，較小的尺寸增高了臨界磁場。
xsd:nonNegativeInteger
8427
rdf:langString
Indium(III) nitride