Indium gallium arsenide
http://dbpedia.org/resource/Indium_gallium_arsenide an entity of type: WikicatArsenicCompounds
L'arsenur d'indi i gal·li és un material semiconductor d'indi, gal·li i arsènic, utilitzat en fotosensors degut a dues propietats importants: la seva velocitat d'operació, superior a altres semiconductors més comuns com el silici o l'arsenur de gal·li, i la longitud d'ona que emeten i detecten els dispositius fabricats amb aquest material (950nm).
rdf:langString
زرنيخيد إنديوم غاليوم InGaAs عبارة عن مادة نصف ناقلة تتألف من الإنديوم والغاليوم والزرنيخ.تستعمل في الإلكترونيات عالية التواتر ، وذلك نظراً لسرعة الإلكترون الفائقة مقارنة مع غيرها من أنصاف النواقل.
rdf:langString
Indiumgalliumarsenid (InGaAs), auch als Galliumindiumarsenid bezeichnet, ist ein Halbleiterwerkstoff und Bezeichnung für eine Gruppe von Legierungen aus den beiden Grundstoffen Indiumarsenid (InAs) und Galliumarsenid (GaAs). Die Legierung zählt zu den III-V-Verbindungshalbleitern und findet als direkter Halbleiter im Bereich der Optoelektronik Anwendung.
rdf:langString
El arseniuro de indio y galio es un material semiconductor de indio, galio y arsénico, utilizado en fotosensores debido a dos propiedades importantes: su velocidad de operación, superior a otros semiconductores más comunes como el silicio o el arseniuro de galio, y la longitud de onda que emiten y detectan los dispositivos fabricados con este material (950nm).
rdf:langString
ヒ化インジウムガリウムはガリウムのヒ化物であり、組成式はInGaAsである。化合物半導体であるため、その性質を利用して半導体素子の材料として多用されている。半導体分野ではインジウム・ガリウム・ヒ素という呼称で呼ばれることも多い。
rdf:langString
Indium gallium arsenide (InGaAs) (alternatively gallium indium arsenide, GaInAs) is a ternary alloy (chemical compound) of indium arsenide (InAs) and gallium arsenide (GaAs). Indium and gallium are (group III) elements of the periodic table while arsenic is a (group V) element. Alloys made of these chemical groups are referred to as "III-V" compounds. InGaAs has properties intermediate between those of GaAs and InAs. InGaAs is a room-temperature semiconductor with applications in electronics and photonics.
rdf:langString
L'arséniure d'indium-gallium (InGaAs) (ou arséniure de gallium-indium, GaInAs) est un alliage ternaire (composé chimique) d'arséniure d'indium (InAs) et d'arséniure de gallium (GaAs). L'indium et le gallium sont des éléments du (groupe III) du tableau périodique tandis que l'arsenic est un élément du (groupe V). Les alliages de ces éléments chimiques sont appelés composés "III-V". InGaAs a des propriétés intermédiaires entre celles de GaAs et de InAs. InGaAs est un semi-conducteur à température ambiante avec des applications en électronique et en photonique.
rdf:langString
Арсени́д га́ллия-и́ндия (иные названия: индия галлия арсенид, индия-галлия арсенид, арсенид индия-галлия, галлия индия арсенид и др.) — тройное соединение мышьяка с трехвалентными индием и галлием, соединение переменного состава, состав выражается химической формулой GaxIn1-xAs. Здесь параметр x принимает значения от 0 до 1 и показывает относительное количество атомов галлия и индия в соединении. При x=1 формула отвечает арсениду галлия (GaAs), при x=0 — арсениду индия (InAs).
rdf:langString
rdf:langString
زرنيخيد إنديوم غاليوم
rdf:langString
Arsenur d'indi-gal·li
rdf:langString
Indiumgalliumarsenid
rdf:langString
Arseniuro de indio y galio
rdf:langString
Arséniure de gallium-indium
rdf:langString
Indium gallium arsenide
rdf:langString
ヒ化インジウムガリウム
rdf:langString
Арсенид галлия-индия
xsd:integer
2141015
xsd:integer
1113021802
rdf:langString
L'arsenur d'indi i gal·li és un material semiconductor d'indi, gal·li i arsènic, utilitzat en fotosensors degut a dues propietats importants: la seva velocitat d'operació, superior a altres semiconductors més comuns com el silici o l'arsenur de gal·li, i la longitud d'ona que emeten i detecten els dispositius fabricats amb aquest material (950nm).
rdf:langString
زرنيخيد إنديوم غاليوم InGaAs عبارة عن مادة نصف ناقلة تتألف من الإنديوم والغاليوم والزرنيخ.تستعمل في الإلكترونيات عالية التواتر ، وذلك نظراً لسرعة الإلكترون الفائقة مقارنة مع غيرها من أنصاف النواقل.
rdf:langString
Indiumgalliumarsenid (InGaAs), auch als Galliumindiumarsenid bezeichnet, ist ein Halbleiterwerkstoff und Bezeichnung für eine Gruppe von Legierungen aus den beiden Grundstoffen Indiumarsenid (InAs) und Galliumarsenid (GaAs). Die Legierung zählt zu den III-V-Verbindungshalbleitern und findet als direkter Halbleiter im Bereich der Optoelektronik Anwendung.
rdf:langString
Indium gallium arsenide (InGaAs) (alternatively gallium indium arsenide, GaInAs) is a ternary alloy (chemical compound) of indium arsenide (InAs) and gallium arsenide (GaAs). Indium and gallium are (group III) elements of the periodic table while arsenic is a (group V) element. Alloys made of these chemical groups are referred to as "III-V" compounds. InGaAs has properties intermediate between those of GaAs and InAs. InGaAs is a room-temperature semiconductor with applications in electronics and photonics. The principal importance of GaInAs is its application as a high-speed, high sensitivity photodetector of choice for optical fiber telecommunications.
rdf:langString
L'arséniure d'indium-gallium (InGaAs) (ou arséniure de gallium-indium, GaInAs) est un alliage ternaire (composé chimique) d'arséniure d'indium (InAs) et d'arséniure de gallium (GaAs). L'indium et le gallium sont des éléments du (groupe III) du tableau périodique tandis que l'arsenic est un élément du (groupe V). Les alliages de ces éléments chimiques sont appelés composés "III-V". InGaAs a des propriétés intermédiaires entre celles de GaAs et de InAs. InGaAs est un semi-conducteur à température ambiante avec des applications en électronique et en photonique. L'intérêt principal de GaInAs est son utilisation comme photodétecteur rapide et à haute sensibilité pour les télécommunications par fibre optique.
rdf:langString
El arseniuro de indio y galio es un material semiconductor de indio, galio y arsénico, utilizado en fotosensores debido a dos propiedades importantes: su velocidad de operación, superior a otros semiconductores más comunes como el silicio o el arseniuro de galio, y la longitud de onda que emiten y detectan los dispositivos fabricados con este material (950nm).
rdf:langString
ヒ化インジウムガリウムはガリウムのヒ化物であり、組成式はInGaAsである。化合物半導体であるため、その性質を利用して半導体素子の材料として多用されている。半導体分野ではインジウム・ガリウム・ヒ素という呼称で呼ばれることも多い。
rdf:langString
Арсени́д га́ллия-и́ндия (иные названия: индия галлия арсенид, индия-галлия арсенид, арсенид индия-галлия, галлия индия арсенид и др.) — тройное соединение мышьяка с трехвалентными индием и галлием, соединение переменного состава, состав выражается химической формулой GaxIn1-xAs. Здесь параметр x принимает значения от 0 до 1 и показывает относительное количество атомов галлия и индия в соединении. При x=1 формула отвечает арсениду галлия (GaAs), при x=0 — арсениду индия (InAs). В литературе параметр х, где не возникает двусмысленности, обычно опускается, и формула GaInAs подразумевает именно это соединение указанного переменного состава. В более узком смысле, обозначение GaInAs относится к наиболее изученному составу с формулой Ga0,47In0,53As, это обычно явно указывается. Иногда, в литературе, встречается обозначение этого соединения InGaAs. Соединение является полупроводником с высокой подвижностью носителей заряда. Используется в качестве полупроводникового материала для создания приборов СВЧ, светодиодов, полупроводниковых лазеров, фотодатчиков, фотогальванических элементов, как правило, в гетероструктурах.
xsd:nonNegativeInteger
30594
