History of the transistor
http://dbpedia.org/resource/History_of_the_transistor an entity of type: Thing
Transistoro estas duonkonduktaĵa disponaĵo kun minimume tri kontaktojn, kiu estas uzata por amplifado kaj ŝaltado de elektronikaj signaloj kaj elektraj cirkvitoj. La historio de transistoroj estas intime ligita kun la historio kaj fruaj uzoj de duonkonduktaĵoj.
rdf:langString
Varios historiadores de la tecnología consideran al transistor como "el mayor invento del siglo XX".Es el dispositivo electrónico básico que dio lugar a los circuitos integrados y demás elementos. Si el siglo XIX se basa en la máquina de vapor de James Watt, puede decirse que la era de las comunicaciones se ha basado en el transistor.
rdf:langString
الترانزستور هو أداة شبه موصلة تأتي مع ثلاثة أقطاب على الأقل للاتصال بدائرة كهربائية. كان الصمام الثلاثي الذي طُرح في عام 1907، والذي يُطلق عليه أيضًا الصمام الحراري، سلفَ الترانزستور. اقترح الفيزيائي جوليوس إدغار ليلينفيلد مبدأ ترانزستور تأثير المجال (الترانزستور الحقلي) في عام 1925.
rdf:langString
A transistor is a semiconductor device with at least three terminals for connection to an electric circuit. In the common case, the third terminal controls the flow of current between the other two terminals. This can be used for amplification, as in the case of a radio receiver, or for rapid switching, as in the case of digital circuits. The transistor replaced the vacuum-tube triode, also called a (thermionic) valve, which was much larger in size and used significantly more power to operate.The first transistor was successfully demonstrated on December 23, 1947, at Bell Laboratories in Murray Hill, New Jersey. Bell Labs is the research arm of American Telephone and Telegraph (AT&T). The three individuals credited with the invention of the transistor were William Shockley, John Bardeen an
rdf:langString
De geschiedenis van de transistor begon op 16 december 1947. Op die dag assembleerde experimenteel natuurkundige Walter Brattain, die samenwerkte met theoreticus John Bardeen, de eerste bruikbare . Zes maanden later, maar vóór de publicatie van het werk van Bardeen en Brattain, presenteerde Duitse natuurkundigen Herbert Matare en Heinrich Welker een in Frankrijk ontwikkelde punttransistor ("transistron"). Dus uit mislukte pogingen om eerst een solid-state analoge transistor van een vacuümtriode en vervolgens een veldeffecttransistor te maken, werd de eerste onvolmaakte bipolaire transistor geboren.
rdf:langString
16 декабря 1947 года физик-экспериментатор Уолтер Браттейн, работавший с теоретиком Джоном Бардином, собрал первый работоспособный точечный транзистор. Спустя полгода, но до обнародования работ Бардина и Браттейна, немецкие физики Герберт Матаре и Генрих Велькер представили разработанный во Франции точечный транзистор («транзистрон»). Так из безуспешных попыток создать сначала твердотельный аналог вакуумного триода, а затем полевой транзистор, родился первый несовершенный точечный биполярный транзистор.
rdf:langString
16 грудня 1947 року фізик-експериментатор Волтер Браттейн, який працював із теоретиком Джоном Бардіном, зібрав перший робочий точковий транзистор. Через півроку, але до оприлюднення робіт Бардіна та Браттейна, німецькі фізики й представили розроблений у Франції точковий транзистор («транзистрон»). Так із безуспішних спроб створити спочатку твердотільний аналог вакуумного тріода, а згодом польовий транзистор, народився перший недосконалий точковий біполярний транзистор.
rdf:langString
rdf:langString
تاريخ الترانزستور
rdf:langString
Historio de transistoro
rdf:langString
Historia del transistor
rdf:langString
History of the transistor
rdf:langString
Geschiedenis van de transistor
rdf:langString
Изобретение транзистора
rdf:langString
Винайдення транзистора
xsd:integer
12289129
xsd:integer
1113982241
rdf:langString
right
rdf:langString
Mohamed Atalla and Dawon Kahng invented the MOSFET in November 1959.
rdf:langString
Atalla1963.png
rdf:langString
Dawon Kahng.jpg
xsd:integer
139
144
rdf:langString
الترانزستور هو أداة شبه موصلة تأتي مع ثلاثة أقطاب على الأقل للاتصال بدائرة كهربائية. كان الصمام الثلاثي الذي طُرح في عام 1907، والذي يُطلق عليه أيضًا الصمام الحراري، سلفَ الترانزستور. اقترح الفيزيائي جوليوس إدغار ليلينفيلد مبدأ ترانزستور تأثير المجال (الترانزستور الحقلي) في عام 1925. اخترع جون باردين، ووالتر براتين، وويليام شوكلي أول الترانزستورات العاملة في مختبرات بل، والترانزستور المتصل بالنقاط في عام 1947، والترانزستور ثنائي القطب في عام 1948. اخترع محمد عطا الله وداون كانج لاحقًا الموسفت (ترانزستور الأثر الحقلي للأكاسيد المعدنية لأشباه الموصلات)، المعروف أيضًا باسم ترانزستور موس، في مختبرات بل عام 1959، ما أدى إلى إنتاج كميات كبيرة من ترانزستورات موس التي تغطي مجموعة واسعة من الاستخدامات. أصبح ترانزستور موسفت منذ ذلك الحين الجهاز الأكثر تصنيعًا على نطاق واسع في التاريخ.
rdf:langString
Transistoro estas duonkonduktaĵa disponaĵo kun minimume tri kontaktojn, kiu estas uzata por amplifado kaj ŝaltado de elektronikaj signaloj kaj elektraj cirkvitoj. La historio de transistoroj estas intime ligita kun la historio kaj fruaj uzoj de duonkonduktaĵoj.
rdf:langString
A transistor is a semiconductor device with at least three terminals for connection to an electric circuit. In the common case, the third terminal controls the flow of current between the other two terminals. This can be used for amplification, as in the case of a radio receiver, or for rapid switching, as in the case of digital circuits. The transistor replaced the vacuum-tube triode, also called a (thermionic) valve, which was much larger in size and used significantly more power to operate.The first transistor was successfully demonstrated on December 23, 1947, at Bell Laboratories in Murray Hill, New Jersey. Bell Labs is the research arm of American Telephone and Telegraph (AT&T). The three individuals credited with the invention of the transistor were William Shockley, John Bardeen and Walter Brattain. The introduction of the transistor is often considered one of the most important inventions in history. Transistors are broadly classified into two categories: bipolar junction transistor (BJT) and field-effect transistor (FET). The principle of a field-effect transistor was proposed by Julius Edgar Lilienfeld in 1925. John Bardeen, Walter Brattain and William Shockley invented the first working transistors at Bell Labs, the point-contact transistor in 1947. Shockley introduced the improved bipolar junction transistor in 1948, which entered production in the early 1950s and led to the first widespread use of transistors. The MOSFET (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor), also known as the MOS transistor, was invented by Mohamed Atalla and Dawon Kahng at Bell Labs in 1959. MOSFETs use even less power, which led to the mass-production of MOS transistors for a wide range of uses. The MOSFET has since become the most widely manufactured device in history.
rdf:langString
Varios historiadores de la tecnología consideran al transistor como "el mayor invento del siglo XX".Es el dispositivo electrónico básico que dio lugar a los circuitos integrados y demás elementos. Si el siglo XIX se basa en la máquina de vapor de James Watt, puede decirse que la era de las comunicaciones se ha basado en el transistor.
rdf:langString
De geschiedenis van de transistor begon op 16 december 1947. Op die dag assembleerde experimenteel natuurkundige Walter Brattain, die samenwerkte met theoreticus John Bardeen, de eerste bruikbare . Zes maanden later, maar vóór de publicatie van het werk van Bardeen en Brattain, presenteerde Duitse natuurkundigen Herbert Matare en Heinrich Welker een in Frankrijk ontwikkelde punttransistor ("transistron"). Dus uit mislukte pogingen om eerst een solid-state analoge transistor van een vacuümtriode en vervolgens een veldeffecttransistor te maken, werd de eerste onvolmaakte bipolaire transistor geboren. De punttransistor, die ongeveer tien jaar in massa werd geproduceerd, bleek een doodlopende tak van de ontwikkeling van elektronica te zijn - hij werd vervangen door germanium-overgangtransistors. De theorie van pn-overgang en overgangtransistor werd in 1948-1950 gecreëerd door William Shockley. De eerste overgangtransistor werd op 12 april 1950 gefabriceerd door smeltgroei. Het werd opgevolgd door een gefuseerde transistor, elektrochemische transistor en diffusie-mesa-transistor. In 1954 bracht Texas Instruments de eerste siliciumtransistor uit. De ontdekking van het proces van "natte oxidatie" van silicium. Silicium verving germanium en het planaire proces werd de belangrijkste transistortechnologie en maakte het mogelijk om monolithische geïntegreerde schakelingen te creëren.
rdf:langString
16 декабря 1947 года физик-экспериментатор Уолтер Браттейн, работавший с теоретиком Джоном Бардином, собрал первый работоспособный точечный транзистор. Спустя полгода, но до обнародования работ Бардина и Браттейна, немецкие физики Герберт Матаре и Генрих Велькер представили разработанный во Франции точечный транзистор («транзистрон»). Так из безуспешных попыток создать сначала твердотельный аналог вакуумного триода, а затем полевой транзистор, родился первый несовершенный точечный биполярный транзистор. Точечный транзистор, выпускавшийся серийно около десяти лет, оказался тупиковой ветвью развития электроники — ему на смену пришли германиевые плоскостные транзисторы. Теорию p-n-перехода и плоскостного транзистора создал в 1948—1950 годах Уильям Шокли. Первый плоскостной транзистор был изготовлен 12 апреля 1950 года методом выращивания из расплава. За ним последовали сплавной транзистор, «электрохимический» транзистор и диффузионный меза-транзистор. В 1954 году Texas Instruments выпустила первый кремниевый транзистор. Открытие процесса мокрого окисления кремния сделало возможным выпуск в 1958 году первых кремниевых меза-транзисторов, а в марте 1959 года создал первый кремниевый планарный транзистор. Кремний вытеснил германий, а планарный процесс стал основной технологией производства транзисторов и сделал возможным создание монолитных интегральных схем. По мнению Жореса Алферова, так как А. Ф. Иоффе был пионером исследований полупроводников, если бы не необходимость создания атомного оружия, открытие транзисторов могло произойти в СССР.
rdf:langString
16 грудня 1947 року фізик-експериментатор Волтер Браттейн, який працював із теоретиком Джоном Бардіном, зібрав перший робочий точковий транзистор. Через півроку, але до оприлюднення робіт Бардіна та Браттейна, німецькі фізики й представили розроблений у Франції точковий транзистор («транзистрон»). Так із безуспішних спроб створити спочатку твердотільний аналог вакуумного тріода, а згодом польовий транзистор, народився перший недосконалий точковий біполярний транзистор. Точковий транзистор, що випускався серійно близько десяти років, виявився тупиковою гілкою розвитку електроніки — на його зміну прийшли германієві площинні транзистори. Теорію p-n-переходу та площинного транзистора створив у 1948—1950 роках Вільям Шоклі. Перший площинний транзистор був виготовлений 12 квітня 1950 року методом вирощування з розплаву. За ним послідували сплавний транзистор, «електрохімічний» транзистор і дифузійний меза-транзистор. 1954 року Texas Instruments випустила перший кремнієвий транзистор. Відкриття процесу мокрого окиснення кремнію зробило можливим випуск 1958 року перших кремнієвих меза-транзисторів, а у березні 1959 року створив перший кремнієвий планарний транзистор. Кремній витіснив германій, а планарний процес став основною технологією виробництва транзисторів і зробив можливим створення монолітних інтегральних схем.
xsd:nonNegativeInteger
64478
