Focused ion beam
http://dbpedia.org/resource/Focused_ion_beam an entity of type: TopicalConcept
Ein Focused Ion Beam (Abk.: FIB; englisch für „fokussierter Ionenstrahl“, deutsch auch Ionenfeinstrahlanlage) ist ein Mittel zur Oberflächenanalyse und -bearbeitung. Steht der Materialabtrag im Vordergrund, heißt das Verfahren auch Ionendünnung. Wenn die Abtastung der Oberfläche des zu untersuchenden Objekts durch den Ionenstrahl primär als bildgebendes Verfahren eingesetzt wird, dann spricht man auch von einem Focused-Ion-Beam-Mikroskop.
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La sonde ionique focalisée, plus connue sous le nom du sigle anglais FIB (Focused ion beam), est un instrument scientifique qui ressemble au microscope électronique à balayage (MEB). Mais là où le MEB utilise un faisceau d'électrons focalisés pour faire l'image d'un échantillon, la "FIB" utilise un faisceau d'ions focalisés, généralement du gallium. Il est en effet facile de construire une source à métal liquide (LMIS, de l'anglais liquid metal ion source). Contrairement aux MEB, les FIB sont destructives. Par conséquent, leur domaine d'application est plus la microfabrication que la microscopie. Les principaux domaines d'application sont la science des matériaux et en particulier le domaine des semiconducteurs et des circuits intégrés.
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集束イオンビーム（しゅうそくイオンビーム、FIB、Focused Ion Beam）は、イオンを電界で加速したビームを細く絞ったものである。集束イオンビームは、微細加工、蒸着、観察などの用途に用いられる。
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Il fascio ionico focalizzato (noto pure come FIB, dall'inglese Focused Ion Beam) è una tecnica usata particolarmente nei campi dei semiconduttori e delle scienze dei materiali per analisi puntualizzate, deposizioni, e ablazioni di materiali. Il FIB è uno strumento scientifico che rassomiglia ad un microscopio a scansione elettronico (SEM). Tuttavia, mentre il SEM usa un fascio focalizzato di elettroni per raffigurare il campione nella camera, un FIB invece usa un fascio focalizzato di ioni.
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Сфокусированный ионный пучок (СИП, англ. FIB, Focused Ion Beam) — широко используемая методика в материаловедении для локального анализа, напыления и травления материалов. Установка для ионного травления напоминает растровый электронный микроскоп. В электронном микроскопе используется пучок электронов, тогда как в СИП применяют более тяжелые частицы — ионы (с большей кинетической энергией). Бывают установки, использующие оба вида пучков. Не следует путать СИП с устройством для литографии, где также используется ионный пучок, но слабой интенсивности, а в травлении основным является свойства самого резиста.
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Focused ion beam, also known as FIB, is a technique used particularly in the semiconductor industry, materials science and increasingly in the biological field for site-specific analysis, deposition, and ablation of materials. A FIB setup is a scientific instrument that resembles a scanning electron microscope (SEM). However, while the SEM uses a focused beam of electrons to image the sample in the chamber, a FIB setup uses a focused beam of ions instead. FIB can also be incorporated in a system with both electron and ion beam columns, allowing the same feature to be investigated using either of the beams. FIB should not be confused with using a beam of focused ions for direct write lithography (such as in proton beam writing). These are generally quite different systems where the material
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Focused ion beam, también conocido como FIB, es una técnica empleada particularmente en la industria de semiconductores, ciencia de materiales, biología, deposición y . Un sistema FIB es un instrumento científico que se parece a un Microscopio electrónico de barrido ( (SEM)). Sin embargo, mientras que el SEM utiliza haces de electrones focalizados para obtener una imagen de la muestra, el sistema FIB usa un haz de iones focalizados. FIB también puede ser combinado con un SEM permitiendo investigar las mismas características del material a estudiar pero con distintos tipos de haz. FIB no debería ser confundido con el uso de haz de iones focalizados para la escritura directa (litografía), así como la escritura mediante haz de protones. Estos son generalmente sistemas muy diferentes en los qu
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Feixe de íon focalizado (conhecido como FIB, do inglês focused ion beam), é uma técnica usada particularmente nos campos de semicondutores e ciência dos materiais para a análise de sítios específicos, deposição, e ablação de materiais. Também há algumas aplicações em Biociências. Uma das aplicações de FIB que mais têm evoluído em escala nanométrica, é a ablação para preparo de amostras (ou nanoescultura). Estas amostras são posteriormente analisadas em outros equipamentos, como o Atom Probe e o microscópio eletrônico de transmissão (MET).
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Focused Ion Beam
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Focused Ion Beam
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Focused ion beam
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Fascio ionico focalizzato
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Sonde ionique focalisée
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集束イオンビーム
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Сфокусированный ионный пучок
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Feixe de íon focalizado
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center
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Gas-assisted FIB etching
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Gas-assisted deposition
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Ein Focused Ion Beam (Abk.: FIB; englisch für „fokussierter Ionenstrahl“, deutsch auch Ionenfeinstrahlanlage) ist ein Mittel zur Oberflächenanalyse und -bearbeitung. Steht der Materialabtrag im Vordergrund, heißt das Verfahren auch Ionendünnung. Wenn die Abtastung der Oberfläche des zu untersuchenden Objekts durch den Ionenstrahl primär als bildgebendes Verfahren eingesetzt wird, dann spricht man auch von einem Focused-Ion-Beam-Mikroskop.
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Focused ion beam, también conocido como FIB, es una técnica empleada particularmente en la industria de semiconductores, ciencia de materiales, biología, deposición y . Un sistema FIB es un instrumento científico que se parece a un Microscopio electrónico de barrido ( (SEM)). Sin embargo, mientras que el SEM utiliza haces de electrones focalizados para obtener una imagen de la muestra, el sistema FIB usa un haz de iones focalizados. FIB también puede ser combinado con un SEM permitiendo investigar las mismas características del material a estudiar pero con distintos tipos de haz. FIB no debería ser confundido con el uso de haz de iones focalizados para la escritura directa (litografía), así como la escritura mediante haz de protones. Estos son generalmente sistemas muy diferentes en los que el material es modificado por otros mecanismos.
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Focused ion beam, also known as FIB, is a technique used particularly in the semiconductor industry, materials science and increasingly in the biological field for site-specific analysis, deposition, and ablation of materials. A FIB setup is a scientific instrument that resembles a scanning electron microscope (SEM). However, while the SEM uses a focused beam of electrons to image the sample in the chamber, a FIB setup uses a focused beam of ions instead. FIB can also be incorporated in a system with both electron and ion beam columns, allowing the same feature to be investigated using either of the beams. FIB should not be confused with using a beam of focused ions for direct write lithography (such as in proton beam writing). These are generally quite different systems where the material is modified by other mechanisms.
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La sonde ionique focalisée, plus connue sous le nom du sigle anglais FIB (Focused ion beam), est un instrument scientifique qui ressemble au microscope électronique à balayage (MEB). Mais là où le MEB utilise un faisceau d'électrons focalisés pour faire l'image d'un échantillon, la "FIB" utilise un faisceau d'ions focalisés, généralement du gallium. Il est en effet facile de construire une source à métal liquide (LMIS, de l'anglais liquid metal ion source). Contrairement aux MEB, les FIB sont destructives. Par conséquent, leur domaine d'application est plus la microfabrication que la microscopie. Les principaux domaines d'application sont la science des matériaux et en particulier le domaine des semiconducteurs et des circuits intégrés.
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集束イオンビーム（しゅうそくイオンビーム、FIB、Focused Ion Beam）は、イオンを電界で加速したビームを細く絞ったものである。集束イオンビームは、微細加工、蒸着、観察などの用途に用いられる。
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Il fascio ionico focalizzato (noto pure come FIB, dall'inglese Focused Ion Beam) è una tecnica usata particolarmente nei campi dei semiconduttori e delle scienze dei materiali per analisi puntualizzate, deposizioni, e ablazioni di materiali. Il FIB è uno strumento scientifico che rassomiglia ad un microscopio a scansione elettronico (SEM). Tuttavia, mentre il SEM usa un fascio focalizzato di elettroni per raffigurare il campione nella camera, un FIB invece usa un fascio focalizzato di ioni.
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Feixe de íon focalizado (conhecido como FIB, do inglês focused ion beam), é uma técnica usada particularmente nos campos de semicondutores e ciência dos materiais para a análise de sítios específicos, deposição, e ablação de materiais. Também há algumas aplicações em Biociências. Uma das aplicações de FIB que mais têm evoluído em escala nanométrica, é a ablação para preparo de amostras (ou nanoescultura). Estas amostras são posteriormente analisadas em outros equipamentos, como o Atom Probe e o microscópio eletrônico de transmissão (MET). O funcionamento do FIB assemelha-se ao de um microscópio eletrônico de varredura (MEV). No entanto, enquanto um MEV utiliza um feixe focalizado de elétrons para produzir imagens da amostra na câmara, uma configuração FIB, em vez disso, usa um feixe de íons focalizado. FIB pode também ser incorporado em um sistema que utilize tanto colunas de feixes de elétrons quanto íons, permitindo que a mesma característica seja investigada alternando-se os feixes. FIB não deve ser confundido com o uso de para grafia direta em litografia (tal como em ), onde o material é modificado por diferentes mecanismos. Até o final de 2013, entre universidades e institutos de pesquisa públicos, o Brasil contava com aproximadamente 20 colunas FIB instaladas. Atualmente, os dois fabricantes com maior "market share" em FIB no mundo e também no Brasil são FEI Company e Zeiss
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Сфокусированный ионный пучок (СИП, англ. FIB, Focused Ion Beam) — широко используемая методика в материаловедении для локального анализа, напыления и травления материалов. Установка для ионного травления напоминает растровый электронный микроскоп. В электронном микроскопе используется пучок электронов, тогда как в СИП применяют более тяжелые частицы — ионы (с большей кинетической энергией). Бывают установки, использующие оба вида пучков. Не следует путать СИП с устройством для литографии, где также используется ионный пучок, но слабой интенсивности, а в травлении основным является свойства самого резиста.
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