Floating body effect
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浮体效应（英語：Floating body effect）是在SOI技术中实现的晶体管与体势（body potential）相关的效应。晶体管在绝缘体层上形成一个电容。这个电容上聚集的电荷可能会产生负面效应，例如，开启结构上的寄生晶体管和关态泄漏电流（off-state leakages），造成更高的电流消耗，以防动态随机存取存储器丢失信息。它也造成历史效应（英語：history effect），即晶体管与之前状态阈值电压有关的效应。在模拟电路器件中，浮体效应被称作扭结效应（英語：Kink effect）。
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Der Floating-Body-Effekt (FBE) ist in der Halbleiterschaltungstechnik der Effekt der Abhängigkeit des elektrischen Body-Potentials eines mit der Silicon-on-Insulator-Technologie realisierten Transistors von der Geschichte seiner (elektrischen) Vorspannung und den Ladungsträger-Rekombinationsprozessen. Der Body des Transistors bildet einen Kondensator gegen das isolierte Substrat. Die Ladung sammelt sich auf diesem Kondensator an und kann nachteilige Auswirkungen haben, z. B. das Öffnen von parasitären Transistoren in der Struktur und die Entstehung von Leckströmen im Aus-Zustand, was zu einem höheren Stromverbrauch und im Falle von DRAM zum Verlust von Informationen aus den Speicherzellen führt. Er verursacht auch den sogenannten history effect (engl.), die Abhängigkeit der Schwellenspannu
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The floating body effect is the effect of dependence of the body potential of a transistor realized by the silicon on insulator (SOI) technology on the history of its biasing and the carrier recombination processes. The transistor's body forms a capacitor against the insulated substrate. The charge accumulates on this capacitor and may cause adverse effects, for example, opening of parasitic transistors in the structure and causing off-state leakages, resulting in higher current consumption and in case of DRAM in loss of information from the memory cells. It also causes the history effect, the dependence of the threshold voltage of the transistor on its previous states. In analog devices, the floating body effect is known as the kink effect.
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En électronique, et plus précisément concernant la technique du silicium sur isolant, on appelle effet de corps flottant (floating body effect) l'effet résultant de l'interaction électrique entre le corps flottant d'un transistor et le substrat isolant sur lequel il repose. Ils forment ensemble un condensateur électrique. Les charges s'accumulent dans ce dernier, causant des effets généralement (mais pas toujours) indésirables comme l'apparition de transistors parasites dans la structure, causant des fuites de courant, ce qui a pour résultat une augmentation de ce dernier et, dans le cas d'une DRAM, une perte de l'information stockée dans la cellule mémoire. Il entraine également l'apparition d'un effet mémoire, la tension de seuil du transistor dépendant des états précédents de ce dernier
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Floating-Body-Effekt
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Effet de corps flottant
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Floating body effect
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浮体效应
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Der Floating-Body-Effekt (FBE) ist in der Halbleiterschaltungstechnik der Effekt der Abhängigkeit des elektrischen Body-Potentials eines mit der Silicon-on-Insulator-Technologie realisierten Transistors von der Geschichte seiner (elektrischen) Vorspannung und den Ladungsträger-Rekombinationsprozessen. Der Body des Transistors bildet einen Kondensator gegen das isolierte Substrat. Die Ladung sammelt sich auf diesem Kondensator an und kann nachteilige Auswirkungen haben, z. B. das Öffnen von parasitären Transistoren in der Struktur und die Entstehung von Leckströmen im Aus-Zustand, was zu einem höheren Stromverbrauch und im Falle von DRAM zum Verlust von Informationen aus den Speicherzellen führt. Er verursacht auch den sogenannten history effect (engl.), die Abhängigkeit der Schwellenspannung des Transistors von seinen vorherigen Zuständen. In analogen Bauelementen ist der Floating-Body-Effekt als kink effect (engl.) bekannt. Eine Gegenmaßnahme zum Floating-Body-Effekt ist die Verwendung von vollständig verarmten Bauelementen (englisch fully depleted device, FD devices). Die Isolatorschicht in FD-Bauelementen ist wesentlich dünner als die Kanalverarmungsbreite. Die Ladung und damit auch das Body-Potenzial der Transistoren ist daher fest. Allerdings wird der in FD-Bauelementen verschlimmert, der Body kann sich immer noch aufladen, wenn sowohl Source als auch Drain hoch sind, und die Architektur ist für einige analoge Bauelemente, die einen Kontakt mit dem Body erfordern, ungeeignet. Die hybride Grabenisolation ist ein weiterer Ansatz. Während der Floating-Body-Effekt bei SOI-DRAM-Chips ein Problem darstellt, wird er bei - und -Technologien als grundlegendes Prinzip ausgenutzt. Aus diesem Grund wird der Effekt im Zusammenhang mit diesen Technologien manchmal auch als „Cinderella“-Effekt bezeichnet, da er einen Nachteil in einen Vorteil umwandelt. AMD und SK Hynix haben Z-RAM lizenziert, aber bis 2008 noch nicht in Produktion genommen. Eine weitere ähnliche Technologie (und ein Konkurrent von Z-RAM), die bei Toshiba entwickelt und bei Intel verfeinert wurde, ist (FBC).
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The floating body effect is the effect of dependence of the body potential of a transistor realized by the silicon on insulator (SOI) technology on the history of its biasing and the carrier recombination processes. The transistor's body forms a capacitor against the insulated substrate. The charge accumulates on this capacitor and may cause adverse effects, for example, opening of parasitic transistors in the structure and causing off-state leakages, resulting in higher current consumption and in case of DRAM in loss of information from the memory cells. It also causes the history effect, the dependence of the threshold voltage of the transistor on its previous states. In analog devices, the floating body effect is known as the kink effect. One countermeasure to floating body effect involves use of fully depleted (FD) devices. The insulator layer in FD devices is significantly thinner than the channel depletion width. The charge and thus also the body potential of the transistors is therefore fixed. However, the short-channel effect is worsened in the FD devices, the body may still charge up if both source and drain are high, and the architecture is unsuitable for some analog devices that require contact with the body. Hybrid trench isolation is another approach. While floating body effect presents a problem in SOI DRAM chips, it is exploited as the underlying principle for Z-RAM and T-RAM technologies. For this reason, the effect is sometimes called the Cinderella effect in the context of these technologies, because it transforms a disadvantage into an advantage. AMD and Hynix licensed Z-RAM, but as of 2008 had not put it into production. Another similar technology (and Z-RAM competitor) developed at Toshiba and refined at Intel is (FBC).
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En électronique, et plus précisément concernant la technique du silicium sur isolant, on appelle effet de corps flottant (floating body effect) l'effet résultant de l'interaction électrique entre le corps flottant d'un transistor et le substrat isolant sur lequel il repose. Ils forment ensemble un condensateur électrique. Les charges s'accumulent dans ce dernier, causant des effets généralement (mais pas toujours) indésirables comme l'apparition de transistors parasites dans la structure, causant des fuites de courant, ce qui a pour résultat une augmentation de ce dernier et, dans le cas d'une DRAM, une perte de l'information stockée dans la cellule mémoire. Il entraine également l'apparition d'un effet mémoire, la tension de seuil du transistor dépendant des états précédents de ce dernier. Sur les dispositifs analogiques, cet effet est connu sous le nom de kink effect. Pour supprimer cet effet, on peut faire appel à des dispositifs à couche totalement appauvrie (fully depleted). La couche d'isolant, dans ces cas-là, est nettement plus mince que le canal appauvri. La charge, et par conséquent également le potentiel du corps flottant, est fixe. L'effet canal-court est cependant accentué, et le corps flottant peut quand même se charger si les potentiels de l'émetteur et du collecteur sont élevés, c'est d'ailleurs pourquoi ce genre de technique ne convient pas aux dispositifs analogiques nécessitant un contact avec le corps flottant. Le procédé dit d'isolation par tranche hybride est une autre solution pour remédier à cet effet. Comme sus-mentionné, si cet effet représente un inconvénient dans les dispositifs conventionnels (notamment les DRAM en technique SOI), il constitue en revanche le principe même de fonctionnement des mémoires de type Z-RAM ou TTRAM.
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浮体效应（英語：Floating body effect）是在SOI技术中实现的晶体管与体势（body potential）相关的效应。晶体管在绝缘体层上形成一个电容。这个电容上聚集的电荷可能会产生负面效应，例如，开启结构上的寄生晶体管和关态泄漏电流（off-state leakages），造成更高的电流消耗，以防动态随机存取存储器丢失信息。它也造成历史效应（英語：history effect），即晶体管与之前状态阈值电压有关的效应。在模拟电路器件中，浮体效应被称作扭结效应（英語：Kink effect）。
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