Field effect (semiconductor)
http://dbpedia.org/resource/Field_effect_(semiconductor) an entity of type: WikicatSemiconductorStructures
In physics, the field effect refers to the modulation of the electrical conductivity of a material by the application of an external electric field. In a metal, the electron density that responds to applied fields is so large that an external electric field can penetrate only a very short distance into the material. However, in a semiconductor the lower density of electrons (and possibly holes) that can respond to an applied field is sufficiently small that the field can penetrate quite far into the material. This field penetration alters the conductivity of the semiconductor near its surface, and is called the field effect. The field effect underlies the operation of the Schottky diode and of field-effect transistors, notably the MOSFET, the JFET and the MESFET.
rdf:langString
Эффе́кт по́ля (англ. Field-effect) в широком смысле состоит в управлении электрофизическими параметрами поверхности твёрдого тела с помощью электрического поля, приложенного по нормали к поверхности. В качестве способов регистрации изменений электрофизических параметров под действием электрического поля могут быть использованы измерение проводимости, дифференциальной ёмкости — метод , поверхностной . Чаще всего под эффектом поля понимают изменение проводимости твёрдого тела под действием на него поперечного электрического поля.
rdf:langString
Ефект поля (англ. Field Effect) - вплив зовнішнього електричного поля на електропровідність напівпровідника. В загальному випадку розглядається напівнескінченний напівпровідник, який має як мінімум одну поверхню, властивості якої і розглядаються. Основним "дефектом" такого напівпровідника є наявність поверхні (обрив періодичності кристалічної решітки), що за умовчанням детермінує наявність поверхневих станів. Крім того, на поверхні присутні різноманітні дефекти та домішки, що також вносять свій вклад в поверхневі стани. Основною теоретичною проблемою ефекту поля є знаходження розподілу поверхневого та внутрішнього потенціалу в напівпровіднику, особливо при прикладенні зовнішнього електричного поля. Основною експериментальною проблемою ефекту поля була фіксація поверхневих станів при зміні
rdf:langString
rdf:langString
Field effect (semiconductor)
rdf:langString
Эффект поля
rdf:langString
Ефект поля
xsd:integer
35171726
xsd:integer
1086707994
rdf:langString
In physics, the field effect refers to the modulation of the electrical conductivity of a material by the application of an external electric field. In a metal, the electron density that responds to applied fields is so large that an external electric field can penetrate only a very short distance into the material. However, in a semiconductor the lower density of electrons (and possibly holes) that can respond to an applied field is sufficiently small that the field can penetrate quite far into the material. This field penetration alters the conductivity of the semiconductor near its surface, and is called the field effect. The field effect underlies the operation of the Schottky diode and of field-effect transistors, notably the MOSFET, the JFET and the MESFET.
rdf:langString
Эффе́кт по́ля (англ. Field-effect) в широком смысле состоит в управлении электрофизическими параметрами поверхности твёрдого тела с помощью электрического поля, приложенного по нормали к поверхности. В качестве способов регистрации изменений электрофизических параметров под действием электрического поля могут быть использованы измерение проводимости, дифференциальной ёмкости — метод , поверхностной . Чаще всего под эффектом поля понимают изменение проводимости твёрдого тела под действием на него поперечного электрического поля. В полупроводниковой технике под эффектом поля понимается влияние внешнего электрического поля на электропроводность полупроводника. В общем случае рассматривается полубесконечный полупроводник, имеющий как минимум одну поверхность, свойства которой и рассматриваются. Основным «дефектом» такого полупроводника является наличие поверхности (обрыв периодичности кристаллической решётки), что по умолчанию детерминирует наличие поверхностных состояний. Кроме того, на поверхности присутствуют различные дефекты и примеси, также вносят свой вклад в плотность поверхностных состояний. Основной теоретической проблемой эффекта поля является нахождение распределения поверхностного и внутреннего потенциала в полупроводнике, особенно при приложении внешнего электрического поля. Основной экспериментальной проблемой эффекта поля фиксация поверхностных состояний при изменении внешних факторов, долгое время не давало возможности для полноценного исследования поверхностной проводимости и практической реализации МДП-транзисторов. Эта проблема была решена с разработкой технологии кремния в начале 60-х годов 20-го века.
rdf:langString
Ефект поля (англ. Field Effect) - вплив зовнішнього електричного поля на електропровідність напівпровідника. В загальному випадку розглядається напівнескінченний напівпровідник, який має як мінімум одну поверхню, властивості якої і розглядаються. Основним "дефектом" такого напівпровідника є наявність поверхні (обрив періодичності кристалічної решітки), що за умовчанням детермінує наявність поверхневих станів. Крім того, на поверхні присутні різноманітні дефекти та домішки, що також вносять свій вклад в поверхневі стани. Основною теоретичною проблемою ефекту поля є знаходження розподілу поверхневого та внутрішнього потенціалу в напівпровіднику, особливо при прикладенні зовнішнього електричного поля. Основною експериментальною проблемою ефекту поля була фіксація поверхневих станів при зміні зовнішніх факторів, що довгий час не давало можливості для повноцінного дослідження поверхневої провідності та практичної реалізації МДН- транзисторів. Ця проблема була розв'язана з розробкою технології пасивації кремнію на початку 60-х років 20-го століття.
xsd:nonNegativeInteger
7220
