Electron-beam lithography
http://dbpedia.org/resource/Electron-beam_lithography an entity of type: Company
L'utilisation d'un faisceau d'électrons pour tracer des motifs sur une surface est connue sous le nom de lithographie par faisceau d'électrons. On parle également de lithographie électronique. Par rapport à la photolithographie, l'avantage de cette technique est qu'elle permet de repousser les limites de la diffraction de la lumière et de dessiner des motifs avec une résolution pouvant aller jusqu'au nanomètre. Cette forme de lithographie a trouvé diverses formes d'application dans la recherche et l'industrie des semi-conducteurs et dans ce qu'il est convenu d'appeler les nanotechnologies.
rdf:langString
電子線描画装置(でんしせんびょうがそうち、電子ビーム描画装置、電子ビーム露光装置、EB (electron beam) 露光装置、Electron Beam Lithography Exposure)は、電子線加工装置と走査型電子顕微鏡を応用したもので、主に半導体用レチクル作成に用いられる。電子銃から発せられた電子線を電子レンズやアパーチャー、デフレクタなどを通し、X-Y-Zステージを微細に制御しながらマスクブランクスへ照射して目的のパターンを露光する。また、マーク付きウェハーへの直接描画(ダイレクト描画)機能を持つものもある。
rdf:langString
Litografia por feixe de elétrons (frequentemente abreviada na literatura em língua inglesa como e-beam lithography) é a prática de varrer com um feixe de elétrons em um padrão através de uma superfície coberta com um filme (chamado nesta área de atividade ), ("expondo" o resiste) e de remover seletivamente ou regiões expostas ou não expostas do resiste ("desenvolvimento"). O propósito, assim como com fotolitografia, é a criação de estruturas muito pequenas no resiste que podem posteriormente ser transferidas para o substrato material, muitas vezes por decapagem. Ele foi desenvolvido para a fabricação de circuitos integrados, e é também usado para criar arquiteturas nanotecnológicas.
rdf:langString
Электро́нная литогра́фия или электро́нно-лучева́я литогра́фия — метод нанолитографии с использованием электронного пучка.
rdf:langString
Електро́нна літогра́фія або електро́нно-промене́ва літогра́фія — метод нанолітографії з використанням електронного пучка.
rdf:langString
电子束曝光(electron beam lithography)指使用电子束在表面上制造图样的工艺,是光刻技术的延伸应用。 光刻技术的精度受到光子在波长尺度上的散射影响。使用的光波长越短,光刻能够达到的精度越高。根据德布罗意的物质波理论,电子是一种波长极短的波。这样,电子束曝光的精度可以达到纳米量级,从而为制作纳米线提供了很有用的工具。电子束曝光需要的时间长是它的一个主要缺点。为了解决这个问题,应运而生。 电子束曝光在半导体工业中被广泛使用于研究下一代超大规模集成电路。
rdf:langString
Elektronová litografie (angl. electron-beam lithography, e-beam lithography, EBL) je postup, při kterém je svazek elektronů emitován tak, aby vytvořil vzory (obrazy) na ploše pokryté tenkou vrstvou elektronového rezistu (expozice) a následně jsou selektivně odstraněny (rozpuštěny) buď exponované nebo neexponované oblasti rezistu (vyvolání rezistu). Elektronový litograf
rdf:langString
Die Elektronenstrahllithografie (ESL, englisch electron beam lithography oft als e-beam lithography abgekürzt) ist in der Mikro- und Halbleitertechnik ein spezielles Verfahren zur Strukturierung einer Elektronenstrahl-empfindlichen Schicht (engl. resist, in Analogie zur Fotolithografie auch Fotolack genannt). Das Verfahren gehört zur Gruppe der Next-Generation-Lithografie und ist eng verwandt mit der Ionenstrahllithografie. Durch die „Belichtung“ mit einem Elektronenstrahl wird der Resist chemisch geändert, so dass er lokal gelöst werden kann (Entwicklung) und eine strukturierte Resistschicht entsteht. Die Struktur kann anschließend auf eine Schicht aus einem anderen Material übertragen werden, z. B. durch Ätzen einer darunterliegenden Schicht oder durch selektive Abscheidung eines Materia
rdf:langString
Electron-beam lithography (often abbreviated as e-beam lithography, EBL) is the practice of scanning a focused beam of electrons to draw custom shapes on a surface covered with an electron-sensitive film called a resist (exposing). The electron beam changes the solubility of the resist, enabling selective removal of either the exposed or non-exposed regions of the resist by immersing it in a solvent (developing). The purpose, as with photolithography, is to create very small structures in the resist that can subsequently be transferred to the substrate material, often by etching.
rdf:langString
Elektronolitografia - jest obok fotolitografii i rentgenolitografii techniką wykorzystywaną do produkcji zminiaturyzowanych układów elektronicznych na podłożach półprzewodnikowych. W tej metodzie zamiast fotonów do uczulania wykorzystuje się wiązkę elektronów o energii rzędu 20 keV charakteryzującą się znacznie mniejszą długością fali. Główną zaletą tej techniki jest więc wysoka rozdzielczość sięgająca 0,1 nm. Dodatkowo nie trzeba stosować maski, gdyż wiązką elektronów można sterować bezpośrednio za pomocą pola elektrycznego lub pola magnetycznego. Odwzorowanie następuje przez przemiatanie wiązką po określonych rejonach zaprogramowanych w komputerze sterującym. Korekcja elektrostatyczna działa szybciej niż magnetyczna, jest jednak mniej precyzyjna. Wysoka energia elektronów oprócz klasycz
rdf:langString
rdf:langString
Elektronová litografie
rdf:langString
Elektronenstrahllithografie
rdf:langString
Electron-beam lithography
rdf:langString
Lithographie à faisceau d'électrons
rdf:langString
電子線描画装置
rdf:langString
Elektronolitografia
rdf:langString
Litografia por feixe de elétrons
rdf:langString
Электронная литография
rdf:langString
Електронна літографія
rdf:langString
电子束曝光
xsd:integer
1093768
xsd:integer
1103174926
rdf:langString
June 2019
rdf:langString
Elektronová litografie (angl. electron-beam lithography, e-beam lithography, EBL) je postup, při kterém je svazek elektronů emitován tak, aby vytvořil vzory (obrazy) na ploše pokryté tenkou vrstvou elektronového rezistu (expozice) a následně jsou selektivně odstraněny (rozpuštěny) buď exponované nebo neexponované oblasti rezistu (vyvolání rezistu). Účelem tohoto postupu je vytvořit v rezistu velmi malé struktury, které pak mohou být přeneseny do materiálu podložky. Elektronová litografie byla vyvinuta pro potřeby výroby integrovaných obvodů (zejména výroba masek pro jednotlivé technologické operace). Používá se rovněž pro vytváření struktur v oblasti nanotechnologie. Elektronový litograf
rdf:langString
Die Elektronenstrahllithografie (ESL, englisch electron beam lithography oft als e-beam lithography abgekürzt) ist in der Mikro- und Halbleitertechnik ein spezielles Verfahren zur Strukturierung einer Elektronenstrahl-empfindlichen Schicht (engl. resist, in Analogie zur Fotolithografie auch Fotolack genannt). Das Verfahren gehört zur Gruppe der Next-Generation-Lithografie und ist eng verwandt mit der Ionenstrahllithografie. Durch die „Belichtung“ mit einem Elektronenstrahl wird der Resist chemisch geändert, so dass er lokal gelöst werden kann (Entwicklung) und eine strukturierte Resistschicht entsteht. Die Struktur kann anschließend auf eine Schicht aus einem anderen Material übertragen werden, z. B. durch Ätzen einer darunterliegenden Schicht oder durch selektive Abscheidung eines Materials auf dem Resist. Der wesentliche Vorteil des Verfahrens ist, dass Strukturen mit deutlich geringeren Abmessungen (im Nanometerbereich) als bei der Fotolithografie hergestellt werden können. Das Verfahren besitzt große Bedeutung bei der Herstellung von mikroelektronischen Schaltkreisen für moderne elektronische Geräte und wird vor allem bei der Herstellung der bei der Fotolithografie eingesetzten Fotomasken verwendet. Es kann aber auch als maskenloses Lithografieverfahren für die Strukturierung von Schichten bzw. Wafern in der Prototypen- oder Kleinserienherstellung eingesetzt werden. Die Elektronenstrahllithografie wird auch in der Großserienproduktion als Nachfolgeverfahren für heutige (Stand 2011) Fotolithografie auf Basis von Excimerlasern gehandelt. Die langen Prozesszeiten aktueller Techniken, bei denen der Elektronenstrahl beispielsweise über das Substrat gerastert wird, sind jedoch nicht wirtschaftlich und führen auch zu technischen Problemen, z. B. Instabilitäten beim Elektronenstrahl.
rdf:langString
Electron-beam lithography (often abbreviated as e-beam lithography, EBL) is the practice of scanning a focused beam of electrons to draw custom shapes on a surface covered with an electron-sensitive film called a resist (exposing). The electron beam changes the solubility of the resist, enabling selective removal of either the exposed or non-exposed regions of the resist by immersing it in a solvent (developing). The purpose, as with photolithography, is to create very small structures in the resist that can subsequently be transferred to the substrate material, often by etching. The primary advantage of electron-beam lithography is that it can draw custom patterns (direct-write) with sub-10 nm resolution. This form of maskless lithography has high resolution and low throughput, limiting its usage to photomask fabrication, low-volume production of semiconductor devices, and research and development.
rdf:langString
L'utilisation d'un faisceau d'électrons pour tracer des motifs sur une surface est connue sous le nom de lithographie par faisceau d'électrons. On parle également de lithographie électronique. Par rapport à la photolithographie, l'avantage de cette technique est qu'elle permet de repousser les limites de la diffraction de la lumière et de dessiner des motifs avec une résolution pouvant aller jusqu'au nanomètre. Cette forme de lithographie a trouvé diverses formes d'application dans la recherche et l'industrie des semi-conducteurs et dans ce qu'il est convenu d'appeler les nanotechnologies.
rdf:langString
電子線描画装置(でんしせんびょうがそうち、電子ビーム描画装置、電子ビーム露光装置、EB (electron beam) 露光装置、Electron Beam Lithography Exposure)は、電子線加工装置と走査型電子顕微鏡を応用したもので、主に半導体用レチクル作成に用いられる。電子銃から発せられた電子線を電子レンズやアパーチャー、デフレクタなどを通し、X-Y-Zステージを微細に制御しながらマスクブランクスへ照射して目的のパターンを露光する。また、マーク付きウェハーへの直接描画(ダイレクト描画)機能を持つものもある。
rdf:langString
Elektronolitografia - jest obok fotolitografii i rentgenolitografii techniką wykorzystywaną do produkcji zminiaturyzowanych układów elektronicznych na podłożach półprzewodnikowych. W tej metodzie zamiast fotonów do uczulania wykorzystuje się wiązkę elektronów o energii rzędu 20 keV charakteryzującą się znacznie mniejszą długością fali. Główną zaletą tej techniki jest więc wysoka rozdzielczość sięgająca 0,1 nm. Dodatkowo nie trzeba stosować maski, gdyż wiązką elektronów można sterować bezpośrednio za pomocą pola elektrycznego lub pola magnetycznego. Odwzorowanie następuje przez przemiatanie wiązką po określonych rejonach zaprogramowanych w komputerze sterującym. Korekcja elektrostatyczna działa szybciej niż magnetyczna, jest jednak mniej precyzyjna. Wysoka energia elektronów oprócz klasycznych wzbudzeń prowadzi do rozrywania wiązań C-C, co powoduje zwiększenie rozpuszczalności rezystu. Otrzymanie tak wysokiej precyzji wymaga wprowadzenia dodatkowych elementów kontrolujących centrowanie maski i podłoża. Płytki umieszczane są na stolikach, których położenie kontrolowane jest z dokładnością do ułamków nanometrów za pomocą interferometrów laserowych. Ograniczeniem rozdzielczości elektronolitografii są przekrój wiązki elektronowej, rozpraszanie elektronów w podłożu i rezyście oraz wtórne odbicie od warstw rezystu. W zderzeniach generowane są również wtórne elektrony, które penetrują materiał daleko poza naświetlanym obszarem. Ekspozycji towarzyszy również silne rozpraszanie energii mogące częściowo rozkładać rezyst. Problemy te ujawniają się szczególnie przy produkcji struktur periodycznych i naświetlaniu blisko leżących elementów, Wtedy to sumują się bocznie rozproszone elektrony mogące powodować wywołanie rezystu w niechcianych obszarach. Jednym z rozwiązań jest stosowanie elektronów o niskiej energii, jednak wtedy pojawiają się problemy z silnym odpychaniem Coulombowskim elektronów i kolimacją wiązki. Użycie wysokoenergetycznych, głęboko penetrujących elektronów powoduje z kolei znaczne wydłużenie czasów naświetlania. Poważnym ograniczeniem elektronolitografii jest jej szybkość ograniczona prędkością skanowania wiązki. Choć powszechnie stosuje się ją w laboratoriach badawczych w przemyśle elektronicznym wciąż bezkonkurencyjna pod względem szybkości (100 razy szybsza) jest fotolitografia. Ważnym zastosowaniem elektronolitografii jest produkcja masek wykorzystywanych w fotolitografii.
rdf:langString
Litografia por feixe de elétrons (frequentemente abreviada na literatura em língua inglesa como e-beam lithography) é a prática de varrer com um feixe de elétrons em um padrão através de uma superfície coberta com um filme (chamado nesta área de atividade ), ("expondo" o resiste) e de remover seletivamente ou regiões expostas ou não expostas do resiste ("desenvolvimento"). O propósito, assim como com fotolitografia, é a criação de estruturas muito pequenas no resiste que podem posteriormente ser transferidas para o substrato material, muitas vezes por decapagem. Ele foi desenvolvido para a fabricação de circuitos integrados, e é também usado para criar arquiteturas nanotecnológicas.
rdf:langString
Электро́нная литогра́фия или электро́нно-лучева́я литогра́фия — метод нанолитографии с использованием электронного пучка.
rdf:langString
Електро́нна літогра́фія або електро́нно-промене́ва літогра́фія — метод нанолітографії з використанням електронного пучка.
rdf:langString
电子束曝光(electron beam lithography)指使用电子束在表面上制造图样的工艺,是光刻技术的延伸应用。 光刻技术的精度受到光子在波长尺度上的散射影响。使用的光波长越短,光刻能够达到的精度越高。根据德布罗意的物质波理论,电子是一种波长极短的波。这样,电子束曝光的精度可以达到纳米量级,从而为制作纳米线提供了很有用的工具。电子束曝光需要的时间长是它的一个主要缺点。为了解决这个问题,应运而生。 电子束曝光在半导体工业中被广泛使用于研究下一代超大规模集成电路。
xsd:nonNegativeInteger
33408