Deep-level transient spectroscopy
http://dbpedia.org/resource/Deep-level_transient_spectroscopy an entity of type: Software
DLTS(Deep Level Transient Spectroscopy)は、半導体における深い準位(トラップとも呼ぶ)を測定する方法。容量の応答を利用して禁制帯中のエネルギーとが分かる。ICTS(Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy)も同じ原理を利用した測定方法である。
rdf:langString
Deep-level transient spectroscopy (DLTS) is an experimental tool for studying electrically active defects (known as charge carrier traps) in semiconductors. DLTS establishes fundamental defect parameters and measures their concentration in the material. Some of the parameters are considered as defect "finger prints" used for their identifications and analysis. The DLTS technique was pioneered by David Vern Lang at Bell Laboratories in 1974. A US Patent was awarded to Lang in 1975.
rdf:langString
La spettroscopia dei transitori di livello profondo o DTLS (dall'inglese Deep-Level Transient Spectroscopy) è una tecnica utilizzata per rilevare le impurità elettricamente attive (trappole) nei semiconduttori. Il metodo è stato sviluppato originariamente nel 1974 da David Vern Lang dei Bell Laboratories e brevettato nel 1975 (US3859595).
rdf:langString
Spektroskopia poziomów energetycznych defektów (DLTS z ang. Deep Level Transient Spectroscopy) jest techniką doświadczalną do badania aktywnych elektrycznie defektów w materiałach półprzewodnikowych. Technika ta pozwala wyznaczyć koncentrację defektów w badanym materiale oraz parametry fizyczne defektu takich jak wartość poziomu energetycznego w przerwie wzbronionej półprzewodnika oraz tak zwany przekrój czynny na złapanie nośnika prądu.
rdf:langString
rdf:langString
Deep-level transient spectroscopy
rdf:langString
Spettroscopia dei transitori di livello profondo
rdf:langString
DLTS
rdf:langString
Spektroskopia poziomów energetycznych defektów
xsd:integer
1670347
xsd:integer
1070378535
rdf:langString
Deep-level transient spectroscopy (DLTS) is an experimental tool for studying electrically active defects (known as charge carrier traps) in semiconductors. DLTS establishes fundamental defect parameters and measures their concentration in the material. Some of the parameters are considered as defect "finger prints" used for their identifications and analysis. DLTS investigates defects present in a space charge (depletion) region of a simple electronic device. The most commonly used are Schottky diodes or p-n junctions. In the measurement process the steady-state diode reverse is disturbed by a voltage pulse. This voltage pulse reduces the electric field in the space charge region and allows free carriers from the semiconductor bulk to penetrate this region and recharge the defects causing their non-equilibrium charge state. After the pulse, when the voltage returns to its steady-state value, the defects start to emit trapped carriers due to the thermal emission process. The technique observes the device space charge region capacitance where the defect charge state recovery causes the capacitance transient. The voltage pulse followed by the defect charge state recovery are cycled allowing an application of different signal processing methods for defect recharging process analysis. The DLTS technique has a higher sensitivity than almost any other semiconductor diagnostic technique. For example, in silicon it can detect impurities and defects at a concentration of one part in 1012 of the material host atoms. This feature together with a technical simplicity of its design made it very popular in research labs and semiconductor material production factories. The DLTS technique was pioneered by David Vern Lang at Bell Laboratories in 1974. A US Patent was awarded to Lang in 1975.
rdf:langString
La spettroscopia dei transitori di livello profondo o DTLS (dall'inglese Deep-Level Transient Spectroscopy) è una tecnica utilizzata per rilevare le impurità elettricamente attive (trappole) nei semiconduttori. La tecnica si basa sulla misura dei transitori della capacità differenziale nelle zone di carica spaziale delle giunzione p-n o delle giunzioni Schottky. I transitori capacitivi sono la conseguenza di generazioni-ricombinazioni che avvengono negli strati profondi (deep levels) e vengono provocati sostanzialmente usando degli impulsi ripetitivi. A seconda della polarizzazione usata per l'impulso (inversa o diretta) si possono evidenziare sia le impurità dei portatori di maggioranza che quelle dei portatori di minoranza. Gli impulsi vengono generati periodicamente e in corrispondenza viene misurato il transitorio capacitivo, o meglio la sua costante di tempo, in funzione della temperatura. Durante l'analisi, la temperatura viene fatta aumentare in modo costante e lento rispetto alla frequenza di ripetizione degli impulsi (ossia l'incremento di temperatura ΔT è trascurabile rispetto al periodo T0 di ripetizione degli impulsi). Questo meccanismo consente di evidenziare picchi di capacità in funzione della temperatura. Ripetendo la misura con periodi di impulsi differenti e correlando i vari risultati è possibile dedurre l'energia di attivazione di una trappola e la corrispondenze concentrazione di impurità. Il metodo è stato sviluppato originariamente nel 1974 da David Vern Lang dei Bell Laboratories e brevettato nel 1975 (US3859595).
rdf:langString
DLTS(Deep Level Transient Spectroscopy)は、半導体における深い準位(トラップとも呼ぶ)を測定する方法。容量の応答を利用して禁制帯中のエネルギーとが分かる。ICTS(Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy)も同じ原理を利用した測定方法である。
rdf:langString
Spektroskopia poziomów energetycznych defektów (DLTS z ang. Deep Level Transient Spectroscopy) jest techniką doświadczalną do badania aktywnych elektrycznie defektów w materiałach półprzewodnikowych. Technika ta pozwala wyznaczyć koncentrację defektów w badanym materiale oraz parametry fizyczne defektu takich jak wartość poziomu energetycznego w przerwie wzbronionej półprzewodnika oraz tak zwany przekrój czynny na złapanie nośnika prądu. Techniką DLTS mogą być badane defekty obecne w warstwie ładunku przestrzennego prostych urządzeń elektronicznych takich jak dioda p-n czy Dioda Schottky’ego. W czasie pomiaru polaryzacja zaporowa złącza jest zmniejszana na czas krótkiego impulsu. To zmniejszenie napięcia zmniejsza również pole elektryczne w złączu, co umożliwia swobodnym nośnikom prądu napłynięcie z objętości półprzewodnika i obsadzenie defektów obecnych w złączu urządzenia. Po impulsie, gdy napięcie powraca do wartości wyjściowej, defekty zostają w sposób niestabilny obsadzone nośnikami prądu. Defekty powracają do stanu równowagi termodynamicznej poprzez emisję termiczną zapułapkowanych nośników prądu do pasma przewodnictwa lub walencyjnego półprzewodnika. W technice DLTS zmiany stanu ładunkowego defektów w obszarze zubożonym złącza obserwowane są poprzez pomiar jego pojemności elektrycznej. Proces załadowywania defektów impulsem napięciowym oraz następująca po tym emisja zapułapkowanych nośników powtarzane są cyklicznie, co umożliwia stosowania technik fazoczułych (woltomierz homodynowy, woltomierz lock-in) do analizy kinetyk relaksacji pojemności złącza. Technika DLTS charakteryzuje się niezwykle wysoką czułością pomiarową. Przykładowo, dla typowego półprzewodzącego krzemu jest w stanie wykryć defekty lub zanieczyszczenia w koncentracji na poziomie jeden atom na 1012 atomów sieci krystalicznej. Ta własność w połączeniu ze stosunkowo prostą i tanią konstrukcją sprzętu uczyniła z DLTS-u jedno z najbardziej popularnych narzędzi diagnostycznych do badania jakości materiałów półprzewodnikowych. Technika DLTS została zaproponowana przez D. V. Langa z Bell Labs w 1974. Lang posiada od 1975 patent USA na pewne rozwiązania techniczne wykorzystywane początkowo do konstrukcji spektrometrów DLTS.
xsd:nonNegativeInteger
17028
