Dawon Kahng
http://dbpedia.org/resource/Dawon_Kahng an entity of type: Thing
داون كانغ هو مهندس ومخترع كوري-أمريكي عاش في الفترة بين سنتي 1931 و 1992، والذي تخصص في إلكترونيات الجوامد. قام كانغ إلى جانب محمد محمد عطا الله سنة 1959 بتطوير تقنية الأكسدة الحرارية وباختراع موسفت في مختبرات بل، مما أدى إلى حدوث ثورة في مجال صناعة أشباه الموصلات.
rdf:langString
Dawon Kahng (* 4. Mai 1931 in Keijō, Unterprovinz Keikidō, Provinz Chōsen, damaliges Japanisches Kaiserreich, heutiges Südkorea; † 13. Mai 1992 in New Brunswick, New Jersey) war ein südkoreanischer Physiker und Präsident des . Seine Erfindungen führten zu erheblichen Fortschritten in der Elektronik bzw. Mikroelektronik.
rdf:langString
강대원(姜大元, Dawon David Kahng, 1931년 5월 4일 ~ 1992년 5월 13일)은 대한민국의 반도체 물리학자이다.
rdf:langString
Кан Дэвон (кор. 강지현, англ. Dawon Kahng, 4 мая 1931 — 13 мая 1992) — корейско-американский инженер-электрик и изобретатель, наиболее популярен своими работами в области твердотельной электроники. Кан Дэвон известен своим изобретением MOSFET, также именуемого как MOS-транзистор. Работа была проделана совместно с Мохамедом Аталлой в 1959 году. Аталла и Кан разработали процессы PMOS и NMOS для изготовления полупроводниковых устройств MOSFET. MOSFET — это наиболее широко используемый тип транзисторов и основной элемент в структуре современного электронного оборудования.
rdf:langString
Dawon Kahng (4 de maig de 1931 - 13 de maig de 1992) va ser un enginyer elèctric i inventor coreà-americà, conegut pel seu treball en electrònica d'estat sòlid. El 1959, va inventar juntament amb Mohamed Atalla el MOSFET (transistor d'efecte de camp de metall-òxid-semiconductor) també conegut com a "transistor MOS". Atalla i Kahng van desenvolupar processos per a la fabricació del dispositiu semiconductor MOSFET tant en tecnologia PMOS com NMOS. El MOSFET és el tipus de transistor més utilitzat avui dia i l'element bàsic en la majoria d'equips electrònics moderns.
rdf:langString
Dawon Kahng (Korean: 강대원; May 4, 1931 – May 13, 1992) was a Korean-American electrical engineer and inventor, known for his work in solid-state electronics. He is best known for inventing the MOSFET (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor, or MOS transistor), along with his colleague Mohamed Atalla, in 1959. Kahng and Atalla developed both the PMOS and NMOS processes for MOSFET semiconductor device fabrication. The MOSFET is the most widely used type of transistor, and the basic element in most modern electronic equipment.
rdf:langString
Dawon Kahng (Seúl; 4 de mayo de 1931 - Nuevo Brunswick, Nueva Jersey; 13 de mayo de 1992) fue un ingeniero eléctrico e inventor coreano-estadounidense, conocido por su trabajo en electrónica de estado sólido . En 1959, inventó junto con Mohamed Atalla el MOSFET (transistor de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor) también conocido como "transistor MOS". Atalla y Kahng desarrollaron procesos para la fabricación del dispositivo semiconductor MOSFET tanto en tecnología PMOS como NMOS . El MOSFET es el tipo de transistor más utilizado hoy en día y el elemento básico en la mayoría de equipos electrónicos modernos .
rdf:langString
Dawon Kahng (4 Mei 1931 – 13 Mei 1992) adalah seorang penemu dan insinyur listrik Korea-Amerika Serikat, yang dikenal atas pekerjaannya dalam . Dia dikenal karena menemukan MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor), disebut juga transistor MOS, bersama Mohamed Atalla pada tahun 1959. Atalla dan Kahng mengembangkan proses dan untuk fabrikasi semikonduktor MOSFET. MOSFET adalah jenis transistor yang paling banyak digunakan, dan merupakan bagian paling dasar dari kebanyakan peralatan elektronik modern.
rdf:langString
rdf:langString
داون كانغ
rdf:langString
Dawon Kahng
rdf:langString
Dawon Kahng
rdf:langString
Dawon Kahng
rdf:langString
Dawon Kahng
rdf:langString
Dawon Kahng
rdf:langString
강대원
rdf:langString
Кан Дэвон
rdf:langString
Dawon Kahng
rdf:langString
Dawon Kahng
rdf:langString
New Brunswick, New Jersey, U.S.
xsd:date
1992-05-13
rdf:langString
xsd:date
1931-05-04
xsd:integer
37606600
xsd:integer
1100015581
xsd:date
1931-05-04
rdf:langString
United States
rdf:langString
South Korean
xsd:date
1992-05-13
rdf:langString
Floating-gate MOSFET
rdf:langString
Floating-gate memory
rdf:langString
Nanolayer-base transistor
rdf:langString
PMOS and NMOS
rdf:langString
Reprogrammable ROM
rdf:langString
Schottky diode
rdf:langString
강대원
rdf:langString
داون كانغ هو مهندس ومخترع كوري-أمريكي عاش في الفترة بين سنتي 1931 و 1992، والذي تخصص في إلكترونيات الجوامد. قام كانغ إلى جانب محمد محمد عطا الله سنة 1959 بتطوير تقنية الأكسدة الحرارية وباختراع موسفت في مختبرات بل، مما أدى إلى حدوث ثورة في مجال صناعة أشباه الموصلات.
rdf:langString
Dawon Kahng (4 de maig de 1931 - 13 de maig de 1992) va ser un enginyer elèctric i inventor coreà-americà, conegut pel seu treball en electrònica d'estat sòlid. El 1959, va inventar juntament amb Mohamed Atalla el MOSFET (transistor d'efecte de camp de metall-òxid-semiconductor) també conegut com a "transistor MOS". Atalla i Kahng van desenvolupar processos per a la fabricació del dispositiu semiconductor MOSFET tant en tecnologia PMOS com NMOS. El MOSFET és el tipus de transistor més utilitzat avui dia i l'element bàsic en la majoria d'equips electrònics moderns. Atalla i Kahng van proposar més tard el concepte del circuit integrat MOS, i a principis dels anys 60, van fer un treball pioner en els díodes Schottky i els transistors a base de mano-layers (nano-capes) . El 1967 Kahng va inventar juntament amb Simon Sze, el "MOSFET de porta flotant" (floting gate MOSFET ) . Kahng i Sze van proposar que el FGMOS es pogués utilitzar com a cèl·lules de memòria flotant en el tipus de memòria no volàtil (NVM) i la memòria de només lectura (ROM) reprogramable, que es va convertir en la base de les EPROM ( ROM programable esborrable), les EEPROM (ROM programable esborrable elèctricament) i les tecnologies de memòria flash. Kahng va entrar a la National Inventors Hall of Fame el 2009.
rdf:langString
Dawon Kahng (* 4. Mai 1931 in Keijō, Unterprovinz Keikidō, Provinz Chōsen, damaliges Japanisches Kaiserreich, heutiges Südkorea; † 13. Mai 1992 in New Brunswick, New Jersey) war ein südkoreanischer Physiker und Präsident des . Seine Erfindungen führten zu erheblichen Fortschritten in der Elektronik bzw. Mikroelektronik.
rdf:langString
Dawon Kahng (Korean: 강대원; May 4, 1931 – May 13, 1992) was a Korean-American electrical engineer and inventor, known for his work in solid-state electronics. He is best known for inventing the MOSFET (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor, or MOS transistor), along with his colleague Mohamed Atalla, in 1959. Kahng and Atalla developed both the PMOS and NMOS processes for MOSFET semiconductor device fabrication. The MOSFET is the most widely used type of transistor, and the basic element in most modern electronic equipment. Kahng and Atalla later proposed the concept of the MOS integrated circuit, and they did pioneering work on Schottky diodes and nanolayer-base transistors in the early 1960s. Kahng then invented the floating-gate MOSFET (FGMOS) with Simon Min Sze in 1967. Kahng and Sze proposed that FGMOS could be used as floating-gate memory cells for non-volatile memory (NVM) and reprogrammable read-only memory (ROM), which became the basis for EPROM (erasable programmable ROM), EEPROM (electrically erasable programmable ROM) and flash memory technologies. Kahng was inducted into the National Inventors Hall of Fame in 2009.
rdf:langString
Dawon Kahng (Seúl; 4 de mayo de 1931 - Nuevo Brunswick, Nueva Jersey; 13 de mayo de 1992) fue un ingeniero eléctrico e inventor coreano-estadounidense, conocido por su trabajo en electrónica de estado sólido . En 1959, inventó junto con Mohamed Atalla el MOSFET (transistor de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor) también conocido como "transistor MOS". Atalla y Kahng desarrollaron procesos para la fabricación del dispositivo semiconductor MOSFET tanto en tecnología PMOS como NMOS . El MOSFET es el tipo de transistor más utilizado hoy en día y el elemento básico en la mayoría de equipos electrónicos modernos . Atalla y Kahng propusieron más tarde el concepto del circuito integrado MOS, ya principios de los años 60, hicieron un trabajo pionero en los diodos Schottky y los transistores a base de mano-layers (nano-capas). En 1967 Kahng inventó junto con Simon Sze, el "MOSFET de puerta flotante" (floting gate MOSFET). Kahng y Sze propusieron que el FGMOS se pudiera utilizar como células de memoria flotante en el tipo de memoria no volátil (NVM) y la memoria de sólo lectura (ROM) reprogramable, que se convirtió en la base de las EPROM ( ROM programable borrable), las EEPROM (ROM programable borrable eléctricamente) y las tecnologías de memoria flash . Kahng entró en la National Inventors Hall of Fame en 2009.
rdf:langString
Dawon Kahng (4 Mei 1931 – 13 Mei 1992) adalah seorang penemu dan insinyur listrik Korea-Amerika Serikat, yang dikenal atas pekerjaannya dalam . Dia dikenal karena menemukan MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor), disebut juga transistor MOS, bersama Mohamed Atalla pada tahun 1959. Atalla dan Kahng mengembangkan proses dan untuk fabrikasi semikonduktor MOSFET. MOSFET adalah jenis transistor yang paling banyak digunakan, dan merupakan bagian paling dasar dari kebanyakan peralatan elektronik modern. Atalla dan Kahng kemudian mengusulkan konsep sirkuit terpadu MOS, dan mereka mengerjakan dan transistor berbasis pada awal 1960-an. Kahng kemudian menciptakan (FGMOS) bersama pada tahun 1967. Kahng dan Sze mengusulkan bahwa FGMOS bisa digunakan sebagai untuk (NVM) dan memori hanya baca (ROM) yang bisa dibaca, yang menjadi dasar untuk teknologi EPROM (erasable programmable ROM), EEPROM (electrically erasable programmable ROM) dan memori kilat. Kahng dimasukkan ke dalam pada tahun 2009.
rdf:langString
강대원(姜大元, Dawon David Kahng, 1931년 5월 4일 ~ 1992년 5월 13일)은 대한민국의 반도체 물리학자이다.
rdf:langString
Кан Дэвон (кор. 강지현, англ. Dawon Kahng, 4 мая 1931 — 13 мая 1992) — корейско-американский инженер-электрик и изобретатель, наиболее популярен своими работами в области твердотельной электроники. Кан Дэвон известен своим изобретением MOSFET, также именуемого как MOS-транзистор. Работа была проделана совместно с Мохамедом Аталлой в 1959 году. Аталла и Кан разработали процессы PMOS и NMOS для изготовления полупроводниковых устройств MOSFET. MOSFET — это наиболее широко используемый тип транзисторов и основной элемент в структуре современного электронного оборудования.
xsd:nonNegativeInteger
13837
xsd:gYear
1931
xsd:gYear
1992
