Copper interconnects
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Der Damascene-Prozess ist, wie seine Weiterentwicklung, der Dual-Damascene-Prozess, ein Fertigungsprozess aus der Halbleitertechnik. Er wird vor allem bei integrierten Schaltkreisen (Mikrochips) mit Kupfer-Leiterbahnen verwendet.Der Name „Damascene“ stammt von einer antiken Verzierungstechnik, der Tauschierung (auch Damaszierung, englisch damascening), bei der ein Material in vorher gefertigte Vertiefungen eingebracht wird.
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銅ベースチップとは、配線工程のメタル層において、配線として銅を用いた半導体集積回路のこと。銅はアルミニウムより優れた導体であるため、この技術を用いたチップはより小さいメタルコンポーネントを持つことができ、電気を通すエネルギーが小さくなる。またこれらの効果によりプロセッサが高パフォーマンスになる。これらはIBMがモトローラの支援のもと1997年に最初に導入した。 アルミニウムから銅への移行は、メタルのパターニングの根本的に異なる方法や、シリコンを潜在的にダメージを与える銅原子から分離させるためのバリアメタル層の導入などを含む製造技術の大きな発展を必要とした。
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In semiconductor technology, copper interconnects are interconnects made of copper. They are used in silicon integrated circuits (ICs) to reduce propagation delays and power consumption. Since copper is a better conductor than aluminium, ICs using copper for their interconnects can have interconnects with narrower dimensions, and use less energy to pass electricity through them. Together, these effects lead to ICs with better performance. They were first introduced by IBM, with assistance from Motorola, in 1997.
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Damascene-Prozess
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Copper interconnects
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銅配線
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Der Damascene-Prozess ist, wie seine Weiterentwicklung, der Dual-Damascene-Prozess, ein Fertigungsprozess aus der Halbleitertechnik. Er wird vor allem bei integrierten Schaltkreisen (Mikrochips) mit Kupfer-Leiterbahnen verwendet.Der Name „Damascene“ stammt von einer antiken Verzierungstechnik, der Tauschierung (auch Damaszierung, englisch damascening), bei der ein Material in vorher gefertigte Vertiefungen eingebracht wird.
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In semiconductor technology, copper interconnects are interconnects made of copper. They are used in silicon integrated circuits (ICs) to reduce propagation delays and power consumption. Since copper is a better conductor than aluminium, ICs using copper for their interconnects can have interconnects with narrower dimensions, and use less energy to pass electricity through them. Together, these effects lead to ICs with better performance. They were first introduced by IBM, with assistance from Motorola, in 1997. The transition from aluminium to copper required significant developments in fabrication techniques, including radically different methods for patterning the metal as well as the introduction of barrier metal layers to isolate the silicon from potentially damaging copper atoms.
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銅ベースチップとは、配線工程のメタル層において、配線として銅を用いた半導体集積回路のこと。銅はアルミニウムより優れた導体であるため、この技術を用いたチップはより小さいメタルコンポーネントを持つことができ、電気を通すエネルギーが小さくなる。またこれらの効果によりプロセッサが高パフォーマンスになる。これらはIBMがモトローラの支援のもと1997年に最初に導入した。 アルミニウムから銅への移行は、メタルのパターニングの根本的に異なる方法や、シリコンを潜在的にダメージを与える銅原子から分離させるためのバリアメタル層の導入などを含む製造技術の大きな発展を必要とした。
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