Chemical-mechanical polishing
http://dbpedia.org/resource/Chemical-mechanical_polishing
Chemisch-mechanisches Polieren, auch chemisch-mechanisches Planarisieren (CMP, engl: chemical mechanical polishing, auch chemical mechanical planarization) ist ein Polierverfahren in der Waferbearbeitung um dünne Schichten gleichmäßig abzutragen.
rdf:langString
Chemical mechanical polishing (CMP) or planarization is a process of smoothing surfaces with the combination of chemical and mechanical forces. It can be thought of as a hybrid of chemical etching and free abrasive polishing.
rdf:langString
Le polissage mécano-chimique (en anglais, Chemical mechanical polishing ou CMP) est un processus de lissage des surfaces utilisant l'action combinée de forces mécaniques et chimiques.
rdf:langString
化学機械研磨（かがくきかいけんま、英: chemical mechanical polishing) は、研磨剤（砥粒）自体が有する表面化学作用または研磨液に含まれる化学成分の作用によって、研磨剤と研磨対象物の相対運動による機械的研磨（表面除去）効果を増大させ、高速かつ平滑な研磨面を得る技術である。化学機械的研磨、化学的機械研磨、化学的機械的研磨とも表記される。 近年では、CPUを代表とする大規模集積回路の製造に用いるウェハー表面の平坦化仕上げや、回路形成時の配線製造工程など、半導体製造工程全般で多用されるようになった研磨技術である（半導体工学を参照のこと）。半導体製造工程においては、特に平坦な面を得ることが重要であるため、「平坦にする」ということを強調するために化学機械平坦化（かがくきかいへいたんか、chemical mechanical planarization）とも表現する。いずれも略語はCMPであり、実質的な相違はあまりない。
rdf:langString
化学机械平坦化 （英語：Chemical-Mechanical Planarization, CMP），又称化学机械研磨（Chemical-Mechanical Polishing），是半导体器件制造工艺中的一种技术，使用化學腐蝕及機械力对加工過程中的硅晶圓或其它衬底材料进行处理。
rdf:langString
Химико-механическая планаризация (англ. Chemical mechanical polishing, CMP; также Х.-м. полировка) — один из этапов в производстве микроэлектроники (СБИС). Представляет собой комбинацию химических и механических способов планаризации (удаления неровностей с поверхности изготавливаемой полупроводниковой пластины). В 1990-х года технология CMP была одной из самых быстроразвивающихся на рынке оборудования для производства микроэлектроники. Так, с 1995 года продажи CMP-установок утроились, достигнув 520 млн долларов в 1997 году. ХМП применяется практически после каждого литографического этапа.
rdf:langString
rdf:langString
Poliment químic mecànic
rdf:langString
Chemisch-mechanisches Polieren
rdf:langString
Chemical-mechanical polishing
rdf:langString
Planarisation mécano-chimique
rdf:langString
化学機械研磨
rdf:langString
Химико-механическая планаризация
rdf:langString
化学机械平坦化
xsd:integer
1253327
xsd:integer
1118572924
rdf:langString
Chemisch-mechanisches Polieren, auch chemisch-mechanisches Planarisieren (CMP, engl: chemical mechanical polishing, auch chemical mechanical planarization) ist ein Polierverfahren in der Waferbearbeitung um dünne Schichten gleichmäßig abzutragen.
rdf:langString
Chemical mechanical polishing (CMP) or planarization is a process of smoothing surfaces with the combination of chemical and mechanical forces. It can be thought of as a hybrid of chemical etching and free abrasive polishing.
rdf:langString
Le polissage mécano-chimique (en anglais, Chemical mechanical polishing ou CMP) est un processus de lissage des surfaces utilisant l'action combinée de forces mécaniques et chimiques.
rdf:langString
化学機械研磨（かがくきかいけんま、英: chemical mechanical polishing) は、研磨剤（砥粒）自体が有する表面化学作用または研磨液に含まれる化学成分の作用によって、研磨剤と研磨対象物の相対運動による機械的研磨（表面除去）効果を増大させ、高速かつ平滑な研磨面を得る技術である。化学機械的研磨、化学的機械研磨、化学的機械的研磨とも表記される。 近年では、CPUを代表とする大規模集積回路の製造に用いるウェハー表面の平坦化仕上げや、回路形成時の配線製造工程など、半導体製造工程全般で多用されるようになった研磨技術である（半導体工学を参照のこと）。半導体製造工程においては、特に平坦な面を得ることが重要であるため、「平坦にする」ということを強調するために化学機械平坦化（かがくきかいへいたんか、chemical mechanical planarization）とも表現する。いずれも略語はCMPであり、実質的な相違はあまりない。
rdf:langString
Химико-механическая планаризация (англ. Chemical mechanical polishing, CMP; также Х.-м. полировка) — один из этапов в производстве микроэлектроники (СБИС). Представляет собой комбинацию химических и механических способов планаризации (удаления неровностей с поверхности изготавливаемой полупроводниковой пластины). Изобретен в IBM в 1983 году. В конце 1980-х IBM передала описания некоторых вариантов CMP в Intel (для производства микропроцессоров для IBM PC) и в Micron Technology (производство чипов DRAM-памяти). В результате сокращений в IBM в 1990—1994 годах много инженеров, имевших опыт работы с CMP, перешло в другие компании, изготавливавшие СБИС. В 1990-х года технология CMP была одной из самых быстроразвивающихся на рынке оборудования для производства микроэлектроники. Так, с 1995 года продажи CMP-установок утроились, достигнув 520 млн долларов в 1997 году. ХМП применяется практически после каждого литографического этапа.
rdf:langString
化学机械平坦化 （英語：Chemical-Mechanical Planarization, CMP），又称化学机械研磨（Chemical-Mechanical Polishing），是半导体器件制造工艺中的一种技术，使用化學腐蝕及機械力对加工過程中的硅晶圓或其它衬底材料进行处理。
xsd:nonNegativeInteger
8553
