Anderson localization
http://dbpedia.org/resource/Anderson_localization an entity of type: Disease
アンダーソン局在(Anderson localization)は、物質中のポテンシャルが無秩序な場合に、電子の波動関数が空間的に局在する現象のこと。
rdf:langString
Локализация Андерсона, сильная локализация или переход Андерсона — утверждение о том, что в упорядоченном кристалле при определенной величине разброса энергий состояний на определенных узлах решетки все электронные состояния являются локализованными.
rdf:langString
Als Anderson-Lokalisierung oder starke Lokalisierung wird in der Physik die Unterdrückung der Diffusion in ungeordneten Umgebungen bezeichnet, falls der Grad der Unordnung (Konzentration der Störstellen) eine bestimmte Schwelle überschreitet. Der Effekt ist nach Philip Warren Anderson benannt, der 1958 im Paper Absence of Diffusion in Certain Random Lattices ein einfaches Modell zur Beschreibung solcher Transportprozesse vorschlug und den Effekt vorhersagte. Der Hamilton-Operator für das Anderson-Modell ist: mit
rdf:langString
In condensed matter physics, Anderson localization (also known as strong localization) is the absence of diffusion of waves in a disordered medium. This phenomenon is named after the American physicist P. W. Anderson, who was the first to suggest that electron localization is possible in a lattice potential, provided that the degree of randomness (disorder) in the lattice is sufficiently large, as can be realized for example in a semiconductor with impurities or defects.
rdf:langString
En la Física de la materia condensada, la localización de Anderson, también conocida como localización fuerte, consiste en la ausencia de difusión de ondas en un medio desordenado. Este fenómeno está nombrado en honor al físico americano Philip Warren Anderson, quien fue el primero en sugerir la posibilidad de que un electrón pudiese localizarse al interior de un semiconductor si el grado de aleatoriedad de las o es suficientemente grande.
rdf:langString
En physique de la matière condensée, la localisation d'Anderson est l'absence de diffusion des ondes dans un milieu désordonné. Ce phénomène est nommé d'après le physicien américain P. W. Anderson, qui a été le premier à suggérer que la localisation d'électrons est possible dans un treillis potentiel, à condition que le degré de hasard (de désordre) dans le treillis soit assez grand. Ce phénomène peut être réalisé par exemple dans un semi-conducteur contenant des impuretés ou des défauts.
rdf:langString
Локалізація Андерсона, також відома як сильна локалізація, — явище у фізиці конденсованих середовищ, відсутність ефекту поширення хвиль в невпорядкованому середовищі. Це явище отримало назву на честь американського фізика Філіпа Андерсона, який першим припустив можливість локалізації електронів у напівпровіднику за умови, що ступінь хаотичності домішок або дефектів досить великий. Локалізація Андерсона є загальним хвильовим явищем, яке стосується хвиль різної природи: електромагнітних, акустичних, квантових, спінових хвиль тощо. Це явище слід відрізняти від слабкої локалізації, яка є попередником локалізації Андерсона, і від локалізації Мотта, названої на честь Невілла Мотта, за якої перехід від металу до діелектрика відбувається не через розупорядкування структури, а через сильне взаємне
rdf:langString
rdf:langString
Anderson-Lokalisierung
rdf:langString
Anderson localization
rdf:langString
Localización de Anderson
rdf:langString
Localisation d'Anderson
rdf:langString
アンダーソン局在
rdf:langString
Переход Андерсона
rdf:langString
Локалізація Андерсона
xsd:integer
2213942
xsd:integer
1097490440
rdf:langString
In condensed matter physics, Anderson localization (also known as strong localization) is the absence of diffusion of waves in a disordered medium. This phenomenon is named after the American physicist P. W. Anderson, who was the first to suggest that electron localization is possible in a lattice potential, provided that the degree of randomness (disorder) in the lattice is sufficiently large, as can be realized for example in a semiconductor with impurities or defects. Anderson localization is a general wave phenomenon that applies to the transport of electromagnetic waves, acoustic waves, quantum waves, spin waves, etc. This phenomenon is to be distinguished from weak localization, which is the precursor effect of Anderson localization (see below), and from Mott localization, named after Sir Nevill Mott, where the transition from metallic to insulating behaviour is not due to disorder, but to a strong mutual Coulomb repulsion of electrons.
rdf:langString
Als Anderson-Lokalisierung oder starke Lokalisierung wird in der Physik die Unterdrückung der Diffusion in ungeordneten Umgebungen bezeichnet, falls der Grad der Unordnung (Konzentration der Störstellen) eine bestimmte Schwelle überschreitet. Der Effekt ist nach Philip Warren Anderson benannt, der 1958 im Paper Absence of Diffusion in Certain Random Lattices ein einfaches Modell zur Beschreibung solcher Transportprozesse vorschlug und den Effekt vorhersagte. Der Hamilton-Operator für das Anderson-Modell ist: mit
* den Zustand am Gitterplatz (siehe Wannier-Basis); die Summen laufen über alle Gitterplätze des -dimensionalen hyperkubischen Gitters
* dem Hüpfmatrix-Element für den Hüpfprozess zwischen den Gitterplätzen und (und umgekehrt)
* der Potentialstärke
* der Menge als zufällige Anordnung der on-site-Energien. Vereinfacht werden oft nur Hüpfprozesse zwischen nächsten Nachbarn betrachtet, die dann alle dasselbe Hüpfmatrix-Element haben; dann erkennt man ein Tight-Binding-Modell, d. h. das Teilchen (hier keine Wechselwirkungseffekte, daher Einteilchenbild) erhält kinetische Energie durch Hüpfprozesse, muss allerdings eine vom Gitterplatz abhängige potentielle Energie bezahlen (daher on-site-Energie). In diesem Modell kann es aus zwei Gründen zur Lokalisierung des Elektrons kommen: Wenn das Potential sehr stark wird und wenn es hinreichend ungeordnet ist. Die Anderson-Lokalisierung beschreibt nur Einteilchensysteme oder Vielteilchensysteme ohne Wechselwirkung unter den Teilchen. Vielteilchensysteme mit wechselwirkenden Teilchen können ebenfalls eine lokalisierte Phase ausprägen. Dieser Prozess wird Vielteilchenlokalisierung genannt.
rdf:langString
En la Física de la materia condensada, la localización de Anderson, también conocida como localización fuerte, consiste en la ausencia de difusión de ondas en un medio desordenado. Este fenómeno está nombrado en honor al físico americano Philip Warren Anderson, quien fue el primero en sugerir la posibilidad de que un electrón pudiese localizarse al interior de un semiconductor si el grado de aleatoriedad de las o es suficientemente grande. La localización de Anderson es un fenómeno ondulatorio general aplicado al transporte de ondas electromagnéticas, acústicas, de espín, etc. Este fenómeno debe de distinguirse de la , la cual es el efecto precursor de la localización de Anderson (Ver abajo), y de la , nombrada en honor a Sir Nevill Mott, donde la transición de comportamiento metálico del medio a comportamiento aislante no se debe al desorden, sino a una mutua entre electrones.
rdf:langString
En physique de la matière condensée, la localisation d'Anderson est l'absence de diffusion des ondes dans un milieu désordonné. Ce phénomène est nommé d'après le physicien américain P. W. Anderson, qui a été le premier à suggérer que la localisation d'électrons est possible dans un treillis potentiel, à condition que le degré de hasard (de désordre) dans le treillis soit assez grand. Ce phénomène peut être réalisé par exemple dans un semi-conducteur contenant des impuretés ou des défauts. En une et deux (en l'absence de couplage spin-orbite) dimensions, les états sont toujours localisés dès que le désordre est présent.En trois dimensions (ou en deux dimension en présence de couplage spin-orbite), l'intensité du désordre doit dépasser un certain seuil (appelé désordre critique) pour que tous les états soient localisés. Pour un désordre plus faible que le désordre critique, il existe un seuil de mobilité. Les états d'énergie inférieure au seuil de mobilité sont localisés, ceux d'énergie supérieure au seuil de mobilité sont diffusifs. Lorsque le niveau de Fermi est en dessous du seuil de mobilité, un état isolant est obtenu. Lorsqu'il est au-dessus, un état conducteur est observé. La localisation d'Anderson permet donc d'obtenir des transitions métal-isolant en fonction de la densité de porteurs ou de l'intensité du désordre. Près du seuil de mobilité, la longueur de localisation diverge comme et la conductivité (au zéro absolu) s'annule comme . Il existe une relation entre les exposants critiques . Dans la phase localisée en dimensions, à température suffisamment basse, la conductivité suit la loi du variable range hopping . De plus, en fonction de la fréquence, la conductivité varie comme . La localisation d'Anderson est un phénomène général qui s'applique au transport des ondes électromagnétiques, des ondes acoustiques, des ondes quantiques, des ondes de spin, etc. Elle a pu être observée avec des atomes ultrafoids. Ce phénomène est à distinguer de la localisation faible, qui est le précurseur de l'effet de la localisation d'Anderson, et de la localisation de Mott, nommé d'après Sir Nevill Mott, où la transition de métal à isolant n'est pas due au désordre, mais à la forte répulsion de Coulomb entre les électrons.
rdf:langString
アンダーソン局在(Anderson localization)は、物質中のポテンシャルが無秩序な場合に、電子の波動関数が空間的に局在する現象のこと。
rdf:langString
Локализация Андерсона, сильная локализация или переход Андерсона — утверждение о том, что в упорядоченном кристалле при определенной величине разброса энергий состояний на определенных узлах решетки все электронные состояния являются локализованными.
rdf:langString
Локалізація Андерсона, також відома як сильна локалізація, — явище у фізиці конденсованих середовищ, відсутність ефекту поширення хвиль в невпорядкованому середовищі. Це явище отримало назву на честь американського фізика Філіпа Андерсона, який першим припустив можливість локалізації електронів у напівпровіднику за умови, що ступінь хаотичності домішок або дефектів досить великий. Локалізація Андерсона є загальним хвильовим явищем, яке стосується хвиль різної природи: електромагнітних, акустичних, квантових, спінових хвиль тощо. Це явище слід відрізняти від слабкої локалізації, яка є попередником локалізації Андерсона, і від локалізації Мотта, названої на честь Невілла Мотта, за якої перехід від металу до діелектрика відбувається не через розупорядкування структури, а через сильне взаємне кулонівське відштовхування електронів. Андерсон розглянув модель тривимірної ґратки потенціальних ям, в кожній із яких можливий один стан для електрона. Електрон, локалізований в одній ямі, може з певною ймовірністю перестрибувати в сусідні ями. Андерсон поставив питання про те, наскільки ймовірно те, що локалізований в якійсь із ям електрон при опиниться на нескінченно великій віддалі від початкового положення. Андерсон показав, що ця ймовірність визначається відношенням величини енергетичного розупорядкування W до ширини зони B. Якщо W/B > 5, то всі електрони будуть локалізованими й не зможуть нескінченно віддалитися від свого початкового положення.
xsd:nonNegativeInteger
15521
