Aluminium gallium indium phosphide
http://dbpedia.org/resource/Aluminium_gallium_indium_phosphide an entity of type: Thing
فوسفيد الألمنيوم والغاليوم والإنديوم (AlGaInP) هي مادة شبه موصلة تستخدم في صناعة الديودات المشعة للضوء.
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Aluminium gallium indium phosphide (AlGaInP, also AlInGaP, InGaAlP, GaInP, etc.) is a semiconductor material that provides a platform for the development of novel multi-junction photovoltaics and optoelectronic devices, as it spans a direct bandgap from deep ultraviolet to infrared. AlGaInP is used in manufacture of light-emitting diodes of high-brightness red, orange, green, and yellow color, to form the heterostructure emitting light. It is also used to make diode lasers.
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Aluminiumgalliumindiumphosphid (AlInGaP), auch als Aluminiumindiumgalliumphosphid bezeichnet, ist einIII-V-Verbindungshalbleiter bestehend aus Aluminium und der Legierung Galliumindiumphosphid. Der Werkstoff ist ein direkter Halbleiter und dient zur Herstellung von hellen Leuchtdioden und Laserdioden im Farbbereich Orange-Rot, Gelb bis Grün-Gelb. Die Farbe der Leuchtdiode wird über die Veränderung des Bandabstandes durch das Mischungsverhältnis der beiden Ausgangssubstanzen gewählt.
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فوسفيد الألومنيوم والغاليوم والإنديوم
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Fosfur d'indi alumini gal·li
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Aluminiumgalliumindiumphosphid
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Aluminium gallium indium phosphide
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فوسفيد الألمنيوم والغاليوم والإنديوم (AlGaInP) هي مادة شبه موصلة تستخدم في صناعة الديودات المشعة للضوء.
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Aluminium gallium indium phosphide (AlGaInP, also AlInGaP, InGaAlP, GaInP, etc.) is a semiconductor material that provides a platform for the development of novel multi-junction photovoltaics and optoelectronic devices, as it spans a direct bandgap from deep ultraviolet to infrared. AlGaInP is used in manufacture of light-emitting diodes of high-brightness red, orange, green, and yellow color, to form the heterostructure emitting light. It is also used to make diode lasers.
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Aluminiumgalliumindiumphosphid (AlInGaP), auch als Aluminiumindiumgalliumphosphid bezeichnet, ist einIII-V-Verbindungshalbleiter bestehend aus Aluminium und der Legierung Galliumindiumphosphid. Der Werkstoff ist ein direkter Halbleiter und dient zur Herstellung von hellen Leuchtdioden und Laserdioden im Farbbereich Orange-Rot, Gelb bis Grün-Gelb. Die Farbe der Leuchtdiode wird über die Veränderung des Bandabstandes durch das Mischungsverhältnis der beiden Ausgangssubstanzen gewählt. Kristalline Schichten aus AlInGaP werden durch Epitaxie auf einem Substrat von Galliumarsenid (GaAs) oder Galliumphosphid (GaP) gezüchtet.
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