Aluminium arsenide
http://dbpedia.org/resource/Aluminium_arsenide an entity of type: Thing
L'arsenur d'alumini, en anglès: aluminium arsenide o aluminum arsenide, és un compost químic i un material semiconductor el qual té gairebé la mateixa constant de xarxa cristal·lina que l'arsenur de gal·li i l'. La mobilitat d'electrons hi funciona molt bé i per això té aplicacions en l'electrònica.
rdf:langString
زرنيخيد الألومنيوم (AlAS) هي مادة شبه موصلة مع تقريباً نفس ثابت الشبكة البلورية لكل من زرنيخيد الغاليوم و زرنيخيد الألومنيوم والغاليوم وأوسع فجوة نطاق من زرنيخيد الغاليوم .
rdf:langString
Aluminium arsenide (AlAs) is a semiconductor material with almost the same lattice constant as gallium arsenide and aluminium gallium arsenide and wider band gap than gallium arsenide. (AlAs) can form a superlattice with gallium arsenide (GaAs) which results in its semiconductor properties. Because GaAs and AlAs have almost the same lattice constant, the layers have very little induced strain, which allows them to be grown almost arbitrarily thick. This allows for extremely high performance high electron mobility, HEMT transistors, and other quantum well devices.
rdf:langString
Aluminiumarsenid ist eine anorganische chemische Verbindung des Aluminiums aus der Gruppe der Arsenide.
rdf:langString
El Arseniuro de aluminio, es un compuesto de arsénico y aluminio con casi la misma constante de red del Arseniuro de galio (GaAs) y Arseniuro de galio-aluminio (AlxGa1-xAs) y una banda prohibida más amplia. Puede formar una con el Arseniuro de galio, convirtiéndose en semiconductor.
rdf:langString
Ábhar leathsheoltóra is ea arsainíd alúmanaim (AlAs) le beagnach an tairiseach laitíseach céanna is a bhíonn ag agus agus níos leithne ná arsainíd ghailliam. Is féidir le AlAs sárlaitís a dhéanamh le arsanaíd ghailliam ( GaAs ) agus dá bharr sin bíonn airíonna leathsheoltóra de thoradh air. Toisc go mbíonn beagnach an tairiseach laitíse céanna ar ( GaAs ) agus ( AlAs ),bíonn straidhn ionduchtaithe an-beag sna sraitheanna, a ligeann dóibh a bheith fásta beagnach go haondeonach go tiubh. Ceadaíonn sé seo feidhmíochta an-ard i soghluaisteacht ard na leictreon, trasraitheoirí HEMT , agus gairis loig chandaim eile.
rdf:langString
L’arséniure d'aluminium (AlAs) est un composé chimique d'aluminium et d'arsenic. C'est un matériau semi-conducteur avec presque la même constante de réseau que GaAs et AlGaAs et une bande interdite plus large que GaAs.
rdf:langString
ヒ化アルミニウム（ヒかアルミニウム、英: aluminium arsenide）は、化学式 AlAs で表される、アルミニウムのヒ化物である。主に半導体材料として用いられる。格子定数はヒ化ガリウムやヒ化アルミニウムガリウムと同じであり、バンドギャップはヒ化ガリウムより広い。
rdf:langString
Арсени́д алюми́ния (AlAs) — бинарное неорганическое химическое соединение алюминия и мышьяка.Применяется для создания оптоэлектронных приборов (светодиодов, полупроводниковых лазеров, фотоприёмников). В гетероструктурах с арсенидом галлия — для изготовления сверхбыстродействующих транзисторов.
rdf:langString
砷化鋁是一种半導體材料，它的晶格常數跟砷化鎵類似。砷化鋁的晶系為等軸晶系，熔點是1740 °C，密度是3.76 g/cm³，而且它很容易潮解。
rdf:langString
Арсенід алюмінію (AlAs) — непрямозонний напівпровідник. Арсенід алюмінію має майже однаковий період кристалічної ґратки з арсенідом галію, але має більшу ширину забороненої зони. Завдяки збігу періодів ґратки арсенід галію, арсенід алюмінію та їхні сплави добре утворюють гетеропереходи й гетероструктури, а тому широко використовується в напівпровідниковій електроніці.
rdf:langString
rdf:langString
Aluminium arsenide
rdf:langString
زرنيخيد الألومنيوم
rdf:langString
Arsenur d'alumini
rdf:langString
Aluminiumarsenid
rdf:langString
Arseniuro de aluminio
rdf:langString
Arsainíd alúmanaim
rdf:langString
Arséniure d'aluminium
rdf:langString
ヒ化アルミニウム
rdf:langString
Арсенид алюминия
rdf:langString
Арсенід алюмінію
rdf:langString
砷化铝
rdf:langString
Aluminium arsenide
rdf:langString
Aluminium arsenide
xsd:integer
3263888
xsd:integer
1119314109
rdf:langString
Boron-phosphide-unit-cell-1963-CM-3D-balls.png
xsd:integer
444428416
rdf:langString
changed
rdf:langString
L'arsenur d'alumini, en anglès: aluminium arsenide o aluminum arsenide, és un compost químic i un material semiconductor el qual té gairebé la mateixa constant de xarxa cristal·lina que l'arsenur de gal·li i l'. La mobilitat d'electrons hi funciona molt bé i per això té aplicacions en l'electrònica.
rdf:langString
زرنيخيد الألومنيوم (AlAS) هي مادة شبه موصلة مع تقريباً نفس ثابت الشبكة البلورية لكل من زرنيخيد الغاليوم و زرنيخيد الألومنيوم والغاليوم وأوسع فجوة نطاق من زرنيخيد الغاليوم .
rdf:langString
Aluminium arsenide (AlAs) is a semiconductor material with almost the same lattice constant as gallium arsenide and aluminium gallium arsenide and wider band gap than gallium arsenide. (AlAs) can form a superlattice with gallium arsenide (GaAs) which results in its semiconductor properties. Because GaAs and AlAs have almost the same lattice constant, the layers have very little induced strain, which allows them to be grown almost arbitrarily thick. This allows for extremely high performance high electron mobility, HEMT transistors, and other quantum well devices.
rdf:langString
Aluminiumarsenid ist eine anorganische chemische Verbindung des Aluminiums aus der Gruppe der Arsenide.
rdf:langString
El Arseniuro de aluminio, es un compuesto de arsénico y aluminio con casi la misma constante de red del Arseniuro de galio (GaAs) y Arseniuro de galio-aluminio (AlxGa1-xAs) y una banda prohibida más amplia. Puede formar una con el Arseniuro de galio, convirtiéndose en semiconductor.
rdf:langString
Ábhar leathsheoltóra is ea arsainíd alúmanaim (AlAs) le beagnach an tairiseach laitíseach céanna is a bhíonn ag agus agus níos leithne ná arsainíd ghailliam. Is féidir le AlAs sárlaitís a dhéanamh le arsanaíd ghailliam ( GaAs ) agus dá bharr sin bíonn airíonna leathsheoltóra de thoradh air. Toisc go mbíonn beagnach an tairiseach laitíse céanna ar ( GaAs ) agus ( AlAs ),bíonn straidhn ionduchtaithe an-beag sna sraitheanna, a ligeann dóibh a bheith fásta beagnach go haondeonach go tiubh. Ceadaíonn sé seo feidhmíochta an-ard i soghluaisteacht ard na leictreon, trasraitheoirí HEMT , agus gairis loig chandaim eile.
rdf:langString
L’arséniure d'aluminium (AlAs) est un composé chimique d'aluminium et d'arsenic. C'est un matériau semi-conducteur avec presque la même constante de réseau que GaAs et AlGaAs et une bande interdite plus large que GaAs.
rdf:langString
ヒ化アルミニウム（ヒかアルミニウム、英: aluminium arsenide）は、化学式 AlAs で表される、アルミニウムのヒ化物である。主に半導体材料として用いられる。格子定数はヒ化ガリウムやヒ化アルミニウムガリウムと同じであり、バンドギャップはヒ化ガリウムより広い。
rdf:langString
Арсени́д алюми́ния (AlAs) — бинарное неорганическое химическое соединение алюминия и мышьяка.Применяется для создания оптоэлектронных приборов (светодиодов, полупроводниковых лазеров, фотоприёмников). В гетероструктурах с арсенидом галлия — для изготовления сверхбыстродействующих транзисторов.
rdf:langString
砷化鋁是一种半導體材料，它的晶格常數跟砷化鎵類似。砷化鋁的晶系為等軸晶系，熔點是1740 °C，密度是3.76 g/cm³，而且它很容易潮解。
rdf:langString
Арсенід алюмінію (AlAs) — непрямозонний напівпровідник. Арсенід алюмінію має майже однаковий період кристалічної ґратки з арсенідом галію, але має більшу ширину забороненої зони. Завдяки збігу періодів ґратки арсенід галію, арсенід алюмінію та їхні сплави добре утворюють гетеропереходи й гетероструктури, а тому широко використовується в напівпровідниковій електроніці.
xsd:nonNegativeInteger
8035