3D XPoint
http://dbpedia.org/resource/3D_XPoint an entity of type: Company
3D XPoint('스리디 크로스포인트'로 발음)는 인텔과 마이크론이 2015년 7월에 발표한 비휘발성 메모리 기술이다. 인텔은 차기 기억 장치를 가리킬 때 Optane이라는 이름의 기술을 이용하는 반면 마이크론은 QuantX라는 이름을 사용한다. 기능에 대한 자료와 물리적인 상세 내용이 공개되진 않았지만, 스토리지의 밀도는 플래시 메모리와 비슷하지만 내구성이 개선, 더 빠른 동작 속도를 수반하는 것으로 알려져 있다. 비트 스토리지는 적층 가능한 격자형 데이터 접근 배열과 더불어 대량자재의 저항 변화에 기반을 두고 있다.
rdf:langString
3D XPoint (スリーディークロスポイント)は、2015年7月、インテルとマイクロンによって発表された不揮発性メモリの技術である。同技術を使用した記憶装置製品にインテルは Optane (オプテイン)、マイクロンは QuantX (クアンテックス)と別のブランド名を冠している。 材料や動作原理の詳細については明かされていなかったが、外部企業による検証が行われPCM(相変化メモリ)であることが分かった。ビットの記録はの変化と積層可能な交差格子状の記憶素子の配列の組み合わせで行われる。また、セレクタに (OTS:Ovonic Threshold Switch) を使っていることも大きな特徴と言える。 「3D XPointはDRAMのおよそ半分の価格になるだろうが、NANDフラッシュに比較すれば4・5倍となるだろう」とマイクロンのストレージソリューション担当ヴァイスプレジデントは述べている。インテルの主張によれば同技術を用いた製品をNANDフラッシュと比較した場合、レイテンシは1/10に、書き込み寿命は3倍に、書き込み速度は4倍に、読み込み速度は3倍に改善され、消費電力は30%に軽減される。 2021年にMicron社は、それに引き続き2022年にintel社もこの記述のメモリ製品からの撤退を表明している。
rdf:langString
3D XPoint（发音three dee cross point）是一种由英特尔和美光科技于2015年7月宣布的非揮發性記憶體（NVM）技术。英特尔为使用该技术的存储设备冠名Optane，而美光称为QuantX。它通常被认为是一种基于相變化記憶體的技术，但也有其他可能性被提出。 该种技术的材料和物理细节尚未公布。位元存储基于bulk电阻的变化，结合可堆叠的跨网格数据存取阵列。 美光的存储解决方案副总裁说：“3D Crosspoint将是DRAM价格的一半左右，但会比NAND闪存贵4到5倍。”相较NAND闪存，英特尔宣称其有10倍的低延迟，3倍写入耐久，4倍每秒写入、3倍每秒读取的性能提升，以及30%的功耗。
rdf:langString
3D XPoint (pronounced three-D cross point) is a discontinued non-volatile memory (NVM) technology developed jointly by Intel and Micron Technology. It was announced in July 2015 and is available on the open market under the brand name Optane (Intel) from April 2017 until July 2022. Bit storage is based on a change of bulk resistance, in conjunction with a stackable cross-grid data access array. Initial prices are less than dynamic random-access memory (DRAM) but more than flash memory.
rdf:langString
3D XPoint (Aussprache: ['θɹiː 'diː 'kɹɒs 'pɔɪnt]) ist eine von Intel und Micron Technology entwickelte und im Juli 2015 vorgestellte nichtflüchtige Speichertechnologie. Der Speicher weist laut Herstellerangaben eine geringere Speicherlatenz auf als der ebenfalls nichtflüchtige und verbreitet eingesetzte NAND-Flash-Speicher und lässt sich häufiger überschreiben. Bei Intel wird diese Technologie auch Optane genannt.
rdf:langString
3D XPoint (pronunciado con three dee cross point) es una tecnología de memoria no volátil (NVM) desarrollada conjuntamente por Intel y Micron. Se anunció en julio de 2015 y está disponible en el mercado abierto con los nombres de marca Optane (Intel) y, posteriormente, QuantX (Micron) desde abril de 2017. El almacenamiento de bits se basa en un cambio de resistencia en masa, junto con una matriz de acceso a datos de cuadrícula cruzada apilable. Los precios iniciales son menores que la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM), pero mayores que la memoria flash NAND.
rdf:langString
3D XPoint (prononcé en anglais « 3D CrossPoint ») est une technologie de mémoire non volatile annoncée par Intel et Micron en juillet 2015. La vitesse de fonctionnement et la longévité d'écriture sont censées être chacune mille fois meilleures que pour la mémoire flash. La fabrication a commencé en 2016 dans une usine de l'Utah. En mars 2017, Intel a sorti le premier produit basé sur cette technologie, l'Optane SSD PC P4800X. Intel a annoncé que ce produit sera plus largement disponible au deuxième trimestre 2017.
rdf:langString
3D XPoint, uitgesproken als 3D cross point, is een technologie voor niet-vluchtig geheugen, die werd aangekondigd door Intel en in juli 2015 en is beschikbaar onder de merknamen Optane (Intel) en vervolgens QuantX (Micron) sinds april 2017. Zowel de snelheid als de schrijfbestendigheid zouden tot duizend maal hoger zijn dan flashgeheugen.
rdf:langString
3D XPoint é uma memória não-volátil, o desenvolvimento do 3D XPoint foi a primeira nova categoria de memória feita nos últimos 25 anos. Essa memória é vendida pelo nome de Intel Optane e foi desenvolvida pela Intel juntamente pela Micron em agosto de 2015. Em 2016 e no início de 2017 os principais SSDS com 3D XPoint testados foram até quatorze vezes mais rápido em operações de escrita e três vezes mais resistentes que unidades com memória Flash NAND de forma com que estejam livres dos piores desafios de fragmentação. Pode ser usado como:
rdf:langString
3D XPoint (читается «3D crosspoint» — «трёхмерное пересечение») — технология энергонезависимой памяти, анонсированная корпорациями Intel и Micron в июле 2015 года. Устройства компании Intel, использующие данную технологию, выходят под торговой маркой Optane, а устройства Micron предполагалось выпускать под маркой QuantX, впоследствии Micron отказалась от участия в развитии технологии.
rdf:langString
rdf:langString
3D XPoint
rdf:langString
3D XPoint
rdf:langString
3D XPoint
rdf:langString
3D XPoint
rdf:langString
3D XPoint
rdf:langString
3D XPoint
rdf:langString
3D XPoint
rdf:langString
3D XPoint
rdf:langString
3D XPoint
rdf:langString
3D XPoint
xsd:integer
47371808
xsd:integer
1122552672
rdf:langString
3D XPoint (Aussprache: ['θɹiː 'diː 'kɹɒs 'pɔɪnt]) ist eine von Intel und Micron Technology entwickelte und im Juli 2015 vorgestellte nichtflüchtige Speichertechnologie. Der Speicher weist laut Herstellerangaben eine geringere Speicherlatenz auf als der ebenfalls nichtflüchtige und verbreitet eingesetzte NAND-Flash-Speicher und lässt sich häufiger überschreiben. Bei Intel wird diese Technologie auch Optane genannt. Während Speicherzellen in NAND-Flash den Speicherinhalt durch unterschiedliche elektrische Spannungsniveaus in Feldeffekttransistoren speichern, basiert 3D XPoint auf der Veränderung des elektrischen Widerstands. Die Speicherchips weisen eine räumliche Gitterstruktur auf, an deren Kreuzungspunkten die eigentlichen Informationsspeicher sitzen. Sie kommen ohne Feldeffekttransistoren wie die Flash-Zellen aus, was eine höhere Integrationsdichte möglich macht. Da Intel und Micron über den genauen Technologie-Typ keine Details verlauten lassen, wird in der Fachwelt auf Grund von bestehenden Patenten und älteren Aussagen vertiefend spekuliert.
rdf:langString
3D XPoint (pronounced three-D cross point) is a discontinued non-volatile memory (NVM) technology developed jointly by Intel and Micron Technology. It was announced in July 2015 and is available on the open market under the brand name Optane (Intel) from April 2017 until July 2022. Bit storage is based on a change of bulk resistance, in conjunction with a stackable cross-grid data access array. Initial prices are less than dynamic random-access memory (DRAM) but more than flash memory. As a non-volatile memory, 3D XPoint has a number of features that distinguish it from other currently available RAM and NVRAM. Although the first generations of 3D XPoint were not especially large or fast, as of 2019 3D XPoint is used to create some of the fastest SSDs available, with small-write latency. As the memory is inherently fast, and byte-addressable, techniques such as read-modify-write and caching used to enhance traditional SSDs are not needed to obtain high performance. In addition, chipsets such as Cascade Lake are designed with inbuilt support for 3D XPoint, that allow it to be used as a caching or acceleration disk, and it is also fast enough to be used as non-volatile RAM (NVRAM) in a DIMM package.
rdf:langString
3D XPoint (pronunciado con three dee cross point) es una tecnología de memoria no volátil (NVM) desarrollada conjuntamente por Intel y Micron. Se anunció en julio de 2015 y está disponible en el mercado abierto con los nombres de marca Optane (Intel) y, posteriormente, QuantX (Micron) desde abril de 2017. El almacenamiento de bits se basa en un cambio de resistencia en masa, junto con una matriz de acceso a datos de cuadrícula cruzada apilable. Los precios iniciales son menores que la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM), pero mayores que la memoria flash NAND. Como una memoria no volátil, 3DXPoint tiene una serie de características que la distinguen de otras RAM y NVRAM actualmente disponibles. Aunque las primeras generaciones de 3D XPoint no fueron especialmente grandes o rápidas, a partir de 2019 se utiliza 3D XPoint para crear algunos de los SSD más rápidos disponibles, con una latencia de escritura pequeña (el tipo de tarea más difícil para la mayoría de los SSD ) es un orden de magnitud más rápido que cualquier SSD empresarial anterior. Como la memoria es intrínsecamente rápida y direccionable por bytes, no se necesitan técnicas tales como lectura-modificación-escritura y almacenamiento en caché que se utilizan para mejorar las SSD tradicionales para obtener un alto rendimiento. Además, los conjuntos de chips como Cascade Lake están diseñados con soporte incorporado para 3D XPoint, que permiten su uso como un disco de almacenamiento en caché o de aceleración, y también son lo suficientemente rápidos para ser utilizados como RAM no volátil (NVRAM) en un paquete DIMM. A pesar de la tibia recepción inicial cuando se lanzó por primera vez, 3D XPoint, particularmente en la forma de la gama Optane de Intel, ha sido altamente aclamado y ampliamente recomendado para tareas donde sus características específicas son valiosas, con revisores como Storage Review que concluyeron en agosto de 2018 que para con cargas de trabajo de baja latencia, 3D XPoint estaba produciendo 500.000 IOPS sostenidas 4K para lecturas y escrituras, con latencias de 3 a 15 microsegundos, y que en la actualidad "no hay nada [más] que se acerque", mientras que Tom's Hardware describió El Optane 900p en diciembre de 2017 es como una "criatura mítica" que se debe ver para creer, y que duplicó la velocidad de los mejores dispositivos de consumo anteriores. En 2017, ServeTheHome llegó a la conclusión de que en las pruebas de lectura, escritura y mezcla, las unidades SSD de Optane eran aproximadamente 2,5 veces más rápidas que las mejores unidades SSD del centro de datos de Intel que las habían precedido, la P3700 NVMe. AnandTech observó que los SSD basados en Optane para el consumidor eran similares en rendimiento a los mejores SSD que no son 3D-XPoint para transferencias grandes, y que ambos están "arrebatados" por el gran rendimiento de transferencia de los SSD Optane empresariales.
rdf:langString
3D XPoint (prononcé en anglais « 3D CrossPoint ») est une technologie de mémoire non volatile annoncée par Intel et Micron en juillet 2015. La vitesse de fonctionnement et la longévité d'écriture sont censées être chacune mille fois meilleures que pour la mémoire flash. Alors que la mémoire NAND utilise les charges électriques et les blocs mémoires pour stocker des données, 3D XPoint utilise la résistance électrique et les bits de données, qui peuvent être écrits et lus individuellement. Les cellules de mémoire n'ont pas besoin d'un transistor, la densité sera donc similaire à celle des NAND et un ordre de grandeur supérieure à celle de la DRAM. La fabrication a commencé en 2016 dans une usine de l'Utah. En mars 2017, Intel a sorti le premier produit basé sur cette technologie, l'Optane SSD PC P4800X. Intel a annoncé que ce produit sera plus largement disponible au deuxième trimestre 2017.
rdf:langString
3D XPoint('스리디 크로스포인트'로 발음)는 인텔과 마이크론이 2015년 7월에 발표한 비휘발성 메모리 기술이다. 인텔은 차기 기억 장치를 가리킬 때 Optane이라는 이름의 기술을 이용하는 반면 마이크론은 QuantX라는 이름을 사용한다. 기능에 대한 자료와 물리적인 상세 내용이 공개되진 않았지만, 스토리지의 밀도는 플래시 메모리와 비슷하지만 내구성이 개선, 더 빠른 동작 속도를 수반하는 것으로 알려져 있다. 비트 스토리지는 적층 가능한 격자형 데이터 접근 배열과 더불어 대량자재의 저항 변화에 기반을 두고 있다.
rdf:langString
3D XPoint (スリーディークロスポイント)は、2015年7月、インテルとマイクロンによって発表された不揮発性メモリの技術である。同技術を使用した記憶装置製品にインテルは Optane (オプテイン)、マイクロンは QuantX (クアンテックス)と別のブランド名を冠している。 材料や動作原理の詳細については明かされていなかったが、外部企業による検証が行われPCM(相変化メモリ)であることが分かった。ビットの記録はの変化と積層可能な交差格子状の記憶素子の配列の組み合わせで行われる。また、セレクタに (OTS:Ovonic Threshold Switch) を使っていることも大きな特徴と言える。 「3D XPointはDRAMのおよそ半分の価格になるだろうが、NANDフラッシュに比較すれば4・5倍となるだろう」とマイクロンのストレージソリューション担当ヴァイスプレジデントは述べている。インテルの主張によれば同技術を用いた製品をNANDフラッシュと比較した場合、レイテンシは1/10に、書き込み寿命は3倍に、書き込み速度は4倍に、読み込み速度は3倍に改善され、消費電力は30%に軽減される。 2021年にMicron社は、それに引き続き2022年にintel社もこの記述のメモリ製品からの撤退を表明している。
rdf:langString
3D XPoint, uitgesproken als 3D cross point, is een technologie voor niet-vluchtig geheugen, die werd aangekondigd door Intel en in juli 2015 en is beschikbaar onder de merknamen Optane (Intel) en vervolgens QuantX (Micron) sinds april 2017. Zowel de snelheid als de schrijfbestendigheid zouden tot duizend maal hoger zijn dan flashgeheugen. Terwijl NAND geheugen elektrische lading en blokadressering gebruikt om gegevens op te slaan, doet 3D XPoint dit met elektrische weerstand en bitadressering. De datacellen hebben niet elk een transistor nodig, waardoor de celdichtheid hoger kan zijn dan die van NAND en DRAM. De bedrijfssnelheid wordt verwacht lager te zijn dan die van DRAM. De prijs per bit zal hoger zijn dan bij NAND maar lager dan bij DRAM.
rdf:langString
3D XPoint é uma memória não-volátil, o desenvolvimento do 3D XPoint foi a primeira nova categoria de memória feita nos últimos 25 anos. Essa memória é vendida pelo nome de Intel Optane e foi desenvolvida pela Intel juntamente pela Micron em agosto de 2015. Em 2016 e no início de 2017 os principais SSDS com 3D XPoint testados foram até quatorze vezes mais rápido em operações de escrita e três vezes mais resistentes que unidades com memória Flash NAND de forma com que estejam livres dos piores desafios de fragmentação. A memória 3D XPoint é baseada em técnicas de camada e combina elementos NAND e DRAM. Sendo mais densas conseguem suportar mais células de memória, armazenando mais dados. Estas células são posicionadas em interseções das linhas de cada camada de uma forma que elas ficam muito próximas uma das outras, não necessitando de transistores contrária da NAND. Pode ser usado como:
* Memória Principal;
* Banco de RAM secundário;
* Substituindo um SSD ou disco rígido;
rdf:langString
3D XPoint (читается «3D crosspoint» — «трёхмерное пересечение») — технология энергонезависимой памяти, анонсированная корпорациями Intel и Micron в июле 2015 года. Устройства компании Intel, использующие данную технологию, выходят под торговой маркой Optane, а устройства Micron предполагалось выпускать под маркой QuantX, впоследствии Micron отказалась от участия в развитии технологии. Подробная информация об использованных материалах и физических принципах по состоянию на конец 2016 года не разглашалась. Для записи информации в ячейках памяти используется изменение сопротивления материала. Ячейки, предположительно вместе с неким селектором, расположены на пересечении перпендикулярных линий адресации слов и битов. Технология допускает реализацию с несколькими слоями ячеек.Устройства на основе памяти 3D XPoint выпускаются для установки в разъёмы для оперативной памяти DDR4 и PCI Express (NVM Express).
rdf:langString
3D XPoint（发音three dee cross point）是一种由英特尔和美光科技于2015年7月宣布的非揮發性記憶體（NVM）技术。英特尔为使用该技术的存储设备冠名Optane，而美光称为QuantX。它通常被认为是一种基于相變化記憶體的技术，但也有其他可能性被提出。 该种技术的材料和物理细节尚未公布。位元存储基于bulk电阻的变化，结合可堆叠的跨网格数据存取阵列。 美光的存储解决方案副总裁说：“3D Crosspoint将是DRAM价格的一半左右，但会比NAND闪存贵4到5倍。”相较NAND闪存，英特尔宣称其有10倍的低延迟，3倍写入耐久，4倍每秒写入、3倍每秒读取的性能提升，以及30%的功耗。
xsd:nonNegativeInteger
18162
