250 nm process
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250 nanòmetres (250 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 250 nm. És una millora de la tecnologia de 350 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de . Sabent que els àtoms de silici tenen una distància entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 460 àtoms de llargada.
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عملية 250 نانومتر عملية 250 نانومتر (بالإنجليزية: 250nm process ) عملية تشير إلى مستوى عملية تصنيع تقنية أشباه الموصلات التي تم التوصل إليها بحدود العامين 1997–1999 ميلادي من قبل الشركات الرائدة في مجال أشباه الموصلات، مثل إنتل وآي بي إم.
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The 250 nanometer (250 nm or 0.25 µm) process refers to a level of semiconductor process technology that was reached by most manufacturers in the 1997–1998 timeframe.
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El valor de 250 nanómetros se refiere a una tecnología de proceso de semiconductores que estuvo comercialmente disponible entre los años 1997 y 1999. Asimismo, la tecnología de proceso de 250 nanómetros reflejó una tendencia histórica, la cual estipula que la densidad (en términos prácticos, el número de transistores) de los microprocesadores, o en general de los circuitos integrados crece a un ritmo aproximado de un 70% cada 2 o 3 años (básicamente manteniendo el mismo tamaño del núcleo del mismo).
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250 nm désigne un procédé de fabrication des semi-conducteurs, gravés avec une finesse d'un quart de micromètre. Les premiers processeurs possédant cette technologie sont apparus sur le marché en 1997. Un processeur avec 5 millions de transistors peut tenir sur une puce de 47 mm2 gravée en 250 nm. Selon la feuille de route de l'ITRS le successeur du 250 nm est la technologie 130 nm.
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250 nm(나노미터) 공정 또는 0.25 µm(마이크로미터) 공정은 회로선 폭이 250 nm인 반도체를 다루는 공정 기술 수준을 말한다. 250nm CMOS 공정은 1987년 카사이 나오키가 주도하는 일본의 NEC 연구팀에 의해 증명되었다.
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Il 250 nm (250 nanometri o 0,25 µm) evoluzione del precedente processo a 350 nm è un processo produttivo della tecnologia dei semiconduttori con cui vengono prodotti i circuiti integrati a larghissima scala di integrazione (VLSI). Il successore di questo processo utilizza una larghezza di canale di 180 nanometri.
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O processo de 250 nm refere-se ao nível de tecnologia do processo de fabricação de semicondutores MOSFET que foi comercializado por volta do período de 1996 a 1998. Um processo CMOS de 250 nm foi demonstrado por uma equipe de pesquisa japonesa da NEC em 1987. Em 1988, uma equipe de pesquisa da IBM fabricou um MOSFET de porta dupla de 250 nm usando um processo CMOS.
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250纳米制程，又稱0.25微米製程，是半导体制造制程的一个水平，大约于1997年至1998年左右达成。 这一制程由当时领先的半导体公司如英特尔和IBM所完成。
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عملية 250 نانومتر
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250 nanòmetres
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250 nm process
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250 nanómetros
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250 nm
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250 nm
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250 nm 공정
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250 nanômetros
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250纳米制程
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CMOS manufacturing processes
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180.0
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250 nanòmetres (250 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 250 nm. És una millora de la tecnologia de 350 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de . Sabent que els àtoms de silici tenen una distància entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 460 àtoms de llargada.
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عملية 250 نانومتر عملية 250 نانومتر (بالإنجليزية: 250nm process ) عملية تشير إلى مستوى عملية تصنيع تقنية أشباه الموصلات التي تم التوصل إليها بحدود العامين 1997–1999 ميلادي من قبل الشركات الرائدة في مجال أشباه الموصلات، مثل إنتل وآي بي إم.
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The 250 nanometer (250 nm or 0.25 µm) process refers to a level of semiconductor process technology that was reached by most manufacturers in the 1997–1998 timeframe.
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El valor de 250 nanómetros se refiere a una tecnología de proceso de semiconductores que estuvo comercialmente disponible entre los años 1997 y 1999. Asimismo, la tecnología de proceso de 250 nanómetros reflejó una tendencia histórica, la cual estipula que la densidad (en términos prácticos, el número de transistores) de los microprocesadores, o en general de los circuitos integrados crece a un ritmo aproximado de un 70% cada 2 o 3 años (básicamente manteniendo el mismo tamaño del núcleo del mismo).
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250 nm désigne un procédé de fabrication des semi-conducteurs, gravés avec une finesse d'un quart de micromètre. Les premiers processeurs possédant cette technologie sont apparus sur le marché en 1997. Un processeur avec 5 millions de transistors peut tenir sur une puce de 47 mm2 gravée en 250 nm. Selon la feuille de route de l'ITRS le successeur du 250 nm est la technologie 130 nm.
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250 nm(나노미터) 공정 또는 0.25 µm(마이크로미터) 공정은 회로선 폭이 250 nm인 반도체를 다루는 공정 기술 수준을 말한다. 250nm CMOS 공정은 1987년 카사이 나오키가 주도하는 일본의 NEC 연구팀에 의해 증명되었다.
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Il 250 nm (250 nanometri o 0,25 µm) evoluzione del precedente processo a 350 nm è un processo produttivo della tecnologia dei semiconduttori con cui vengono prodotti i circuiti integrati a larghissima scala di integrazione (VLSI). Il successore di questo processo utilizza una larghezza di canale di 180 nanometri.
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O processo de 250 nm refere-se ao nível de tecnologia do processo de fabricação de semicondutores MOSFET que foi comercializado por volta do período de 1996 a 1998. Um processo CMOS de 250 nm foi demonstrado por uma equipe de pesquisa japonesa da NEC em 1987. Em 1988, uma equipe de pesquisa da IBM fabricou um MOSFET de porta dupla de 250 nm usando um processo CMOS.
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250纳米制程，又稱0.25微米製程，是半导体制造制程的一个水平，大约于1997年至1998年左右达成。 这一制程由当时领先的半导体公司如英特尔和IBM所完成。
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