1T-SRAM

rdf:langString 1T-SRAM

rdf:langString 1T-SRAM es una tecnología de memoria de acceso aleatorio pseudoestático (PSRAM) introducida por MoSys, Inc., que ofrece una alternativa de alta densidad a la memoria de acceso aleatorio estático (SRAM) tradicional en aplicaciones de memoria integradas. Mosys utiliza una celda de almacenamiento de un solo transistor (celda de bits) como la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM), pero rodea la celda de bits con circuitos de control que hacen que la memoria sea funcionalmente equivalente a SRAM (el controlador oculta todas las operaciones específicas de DRAM, como la precarga y actualizar). 1T-SRAM (y PSRAM en general) tiene una interfaz SRAM estándar de ciclo único y aparece ante la lógica circundante como lo haría una SRAM. Debido a su celda de bit de un transistor, 1T-SRAM es más pequeña que la SRAM convencional (seis transistores o "6T"), y más cercana en tamaño y densidad a la DRAM incorporada (eDRAM). Al mismo tiempo, 1T-SRAM tiene un rendimiento comparable al SRAM en densidades de varios megabits, utiliza menos energía que eDRAM y se fabrica en un proceso lógico CMOS estándar como SRAM convencional. MoSys comercializa 1T-SRAM como IP física para uso integrado (en la matriz) en aplicaciones System-on-a-chip (SOC). Está disponible en una variedad de procesos de fundación, incluidos Chartered, SMIC, TSMC y UMC. Algunos ingenieros usan los términos 1T-SRAM y "DRAM embebida" indistintamente, ya que algunas fundación es proporcionan 1T-SRAM de MoSys como "eDRAM". Sin embargo, otras fundaciónes ofrecen 1T-SRAM como oferta distinta.